4nm 工藝文章進(jìn)入4nm 工藝技術(shù)社區(qū)

高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：?jiǎn)魏似?4000 分，多核提升超 20%

11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績(jī)突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺(tái)積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴(kuò)展矩陣擴(kuò)展（Scalable Matrix Extensio
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半導(dǎo)體行業(yè)最高性能！Eliyan 推出芯粒互連 PHY：3nm 工藝、64Gbps / bump

IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文，宣布在美國(guó)加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯?；ミB PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項(xiàng)技術(shù)不僅實(shí)現(xiàn)了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能，還在多芯粒架構(gòu)中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標(biāo)志著半導(dǎo)體互連領(lǐng)域的一次重大突破。IT之家注：芯?；ミB PHY 是一種用于連接多個(gè)芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實(shí)現(xiàn)高帶寬、低延遲和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
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臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺(tái)工廠相近

據(jù)彭博社援引消息稱，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺(tái)積電位于臺(tái)灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺(tái)積電在回應(yīng)彭博社報(bào)道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項(xiàng)目“正在按計(jì)劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。根據(jù)此前的信息顯示，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報(bào)道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng)，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國(guó)亞利
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不再執(zhí)著制造工藝華為：以系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程建設(shè)消除芯片代差

多年來持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創(chuàng)新不應(yīng)只在單點(diǎn)的芯片工藝上，而是應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據(jù)《快科技》報(bào)導(dǎo)，在今天的數(shù)據(jù)大會(huì)上，華為常務(wù)董事張平安就芯片技術(shù)發(fā)展發(fā)言指出，「通過系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)可以解決我們整體數(shù)字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們?cè)谛酒系拇?。」張平安說，「在華為看來，AI數(shù)據(jù)中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數(shù)能結(jié)合?！乖谶@之
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高通入門級(jí)驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz

7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動(dòng)平臺(tái)驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級(jí)市場(chǎng)，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計(jì)，包括2個(gè)最高可達(dá)2.0GHz的A78內(nèi)核和6個(gè)A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍(lán)牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時(shí)兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運(yùn)行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項(xiàng)性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
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臺(tái)積電高管張曉強(qiáng)：不在乎摩爾定律是死是活

近日，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)博士在接受采訪時(shí)被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡(jiǎn)單，不在乎。只要我們能繼續(xù)推動(dòng)工藝進(jìn)步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強(qiáng)看來，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)在于，每年都能投產(chǎn)一種新的制程工藝，為客戶改進(jìn)性能、功耗和面積（PPA）指標(biāo)進(jìn)。比如說最近十年來，蘋果一直是臺(tái)積電的頭號(hào)客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進(jìn)，正好反映了臺(tái)積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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Intel 3 “3nm 級(jí)”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級(jí)工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)針對(duì)的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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谷歌已經(jīng)與臺(tái)積電達(dá)成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

此前有報(bào)道稱，明年谷歌可能會(huì)改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺(tái)積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進(jìn)行過渡，谷歌將擴(kuò)大在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺(tái)積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗(yàn)證。據(jù)Wccftech報(bào)道，谷歌與臺(tái)積電已達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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4nm→2nm，三星或升級(jí)美國(guó)德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)

根據(jù)韓國(guó)媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國(guó)德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國(guó)廠和英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國(guó)德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計(jì)劃于2024年底開始分階段運(yùn)營(yíng)。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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全新芯片技術(shù)亮相：不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍

IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)有著廣泛的應(yīng)用前景：“CPU 是計(jì)算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無法勝任自己的任務(wù)，這一點(diǎn)需要改變?！痹撔酒夹g(shù)涉及一個(gè)配套芯片，不產(chǎn)生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實(shí)時(shí)優(yōu)化處理任務(wù)
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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新型存儲(chǔ)技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對(duì)外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級(jí)。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲(chǔ)器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時(shí)寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對(duì)性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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臺(tái)積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點(diǎn)的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級(jí)到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會(huì)像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進(jìn)的封裝方法，以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì)演講的一部分，臺(tái)積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細(xì)節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺(tái)積電計(jì)劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項(xiàng)任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級(jí)工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級(jí)版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè)。In
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項(xiàng)目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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