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5nm工藝可能無法實現(xiàn)？存儲器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個技術(shù)老兵怎么說

  • 　　5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 　　近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
  • 關(guān)鍵字： 5nm  DRAM  

再進一步，三星發(fā)布最強10nmDRAM芯片

  • 　　根據(jù)三星最新財報顯示，三星Q3凈利潤更是高達98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財報的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 　　昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級DRAM產(chǎn)品。” 　　三星在聲明中稱，這是全球第一個第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運算中心、移動設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
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三星DRAM“霸主”地位難撼動！已開發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片

  • 　　繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另據(jù)路透社報道，三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。 　　據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時功耗又降低了 1
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

  • 　　DRAM 內(nèi)存市場近期嚴重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。 　　事實上，當前的第 4 季是傳統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4   

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫史上新高

  • 　　今年內(nèi)存供給吃緊，推升價格持續(xù)走揚，研調(diào)機構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 　　據(jù)IC Insights估計，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。 　　全年來看，DRAM市場預(yù)估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個百分點，也是繼1994年成長78%以來最強成長動能。 　　許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴產(chǎn)動作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動與游戲設(shè)備對高效能內(nèi)存的需求大
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中國反壟斷機構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

南亞科：明年DRAM市場穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊

  • 　　今年DRAM市場強勁成長，南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 　　隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運算等應(yīng)用，促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動今年內(nèi)存市場強勁成長逾50%。 　　展望2018年，南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長率在20%~25%，預(yù)估2018年需求將較2017
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  

研調(diào)：預(yù)計2017年DRAM市場銷售額增長74％至720億美元

  • 　　縱觀2017年，隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機和其他移動產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求，平均售價也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預(yù)計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 　　圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 　　IC Insights預(yù)計2017年全年DRAM的銷售額將達720億美元，年增長率達74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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2021年全球IC市場規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長最快

  • 　　調(diào)研機構(gòu)IC Insights最新報告預(yù)估，全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元，成長為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規(guī)模年復(fù)合成長率(CAGR)為7.9%。 　　在12類IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中，僅游戲機與平板電腦產(chǎn)品用IC市場規(guī)模會出現(xiàn)下滑，其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機等IC應(yīng)用市場規(guī)模都會呈現(xiàn)成長。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場規(guī)模成長最快，成長幅度較整體IC高出70%。 　　預(yù)估2017年全球車用IC市場規(guī)模，將繼2016年成長11%(達2
  • 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  DRAM  

DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

  • 　　日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
  • 關(guān)鍵字： RRAM  DRAM  

DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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三星260億美元的豪賭：想壟斷DRAM和NAND閃存市場

  • 三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，提高至260億美元。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

喜大普奔！內(nèi)存價格崩盤：一個月暴降30%

  • 最近一個多月的時間內(nèi)，尤其是雙11之后，內(nèi)存價格開始普遍下滑，而且幅度相當夸張，最高甚至接近30%。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

  • 　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 　　韓媒BusinessKorea 5日報導(dǎo)(見此)，IHS Markit報告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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