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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?

  •   明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。   韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
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Yole:供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲,市場年均增長9%

  •   存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì),2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場的復(fù)合年增長率約為9%,到2022將達(dá)到1350億美元,DRAM和NAND市場份額合計(jì)約占95%。此外,供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲,導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤!   存儲(chǔ)器的需求來自各行各業(yè),特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場。平均而言,每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上,預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右,而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
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紫光國芯:DRAM未來會(huì)考慮與長江存儲(chǔ)合作

  •   紫光國芯日前在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。前不久,針對(duì)“存儲(chǔ)芯片行業(yè)增長很快,為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動(dòng)問答時(shí)表示,西安紫光國芯從事DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場上DRAM的代工廠很少,特別是在市場需求旺盛的時(shí)期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)能不好保證
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全球第四次DRAM戰(zhàn)爭:中韓定鼎之戰(zhàn)

  • 中國廠商在國際市場上已經(jīng)引起三星與海力士的警惕,而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進(jìn)行著試探。
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紫光國芯:DRAM未來會(huì)考慮與長江存儲(chǔ)合作

  •   紫光國芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。   前不久,針對(duì)“存儲(chǔ)芯片行業(yè)增長很快,為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動(dòng)問答時(shí)表示,西安紫光國芯從事DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場上DRAM的代工廠很少,特別是在市場需求旺盛的時(shí)期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)
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內(nèi)存價(jià)格一年漲三倍:外企壟斷流通價(jià)格倒掛

  • 在此輪內(nèi)存漲價(jià)行情中,由于不少企業(yè)加大了建倉囤貨的力度,導(dǎo)致在內(nèi)存流通環(huán)節(jié)甚至出現(xiàn)了價(jià)格倒掛的現(xiàn)象。
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紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場

  •   近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇,整體毛利率下降,導(dǎo)致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期,對(duì)全年業(yè)績估計(jì)相對(duì)樂觀,公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場,營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預(yù)計(jì),公司2017年全年凈利潤為2.35億元~3.36億元,上年同期為3.36億元,同比變動(dòng)-30%~0%。前三季度,紫光國芯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元,同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元,同比下降22.912%。紫光國芯表示,公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段,已投入自有
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數(shù)據(jù)中心需求熱,SK海力士第三季營收大幅增長30.1%

  •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下,并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求,Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(jià)(Average Selling Price)墊高帶動(dòng),三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。   DRAMeXchange分析師劉家豪指出,進(jìn)入第四季,在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯,Server DRAM第四
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圖解中國存儲(chǔ)器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

  • 中國存儲(chǔ)器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?
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存儲(chǔ)器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下

  •   DRAM漲勢不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲(chǔ)器漲幅過大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場,不堪侵蝕獲利,已開始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢將止步,價(jià)格有下調(diào)壓力。   調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃,都為未來DRAM市場投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%,但成長已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價(jià)格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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內(nèi)存條漲價(jià)背后:廠家紛紛將產(chǎn)能挪到利潤較高的業(yè)務(wù)

  • 作為一個(gè)寡頭壟斷市場,內(nèi)存條價(jià)格一路飆升背后,是三星電子、美光科技、SK海力士內(nèi)存廠商正經(jīng)歷一次較為一致的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。
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DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺

  •   臺(tái)灣兩大存儲(chǔ)器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認(rèn)為,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預(yù)期,DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。   威剛指出,全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,帶動(dòng)云端基礎(chǔ)設(shè)備及服務(wù)規(guī)模大舉躍升,連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。   只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良,并未就新增產(chǎn)能進(jìn)行巨額投資,威剛表示,這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。   創(chuàng)見預(yù)期,第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應(yīng)求,產(chǎn)品價(jià)格也將維持高檔。   威剛更指出,韓系DRAM大廠已預(yù)告明年第1
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DRAM核心設(shè)計(jì)的新舊存取技術(shù)差異

  •   本文討論不同的存取技術(shù)對(duì)于DRAM在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)所發(fā)生的改變,尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲(chǔ)存單元——DRAM的最小記憶單位…   不同的存取技術(shù)對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)將發(fā)生什么改變?當(dāng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中的儲(chǔ)存單元(storage cell)加上控制端點(diǎn)以及數(shù)據(jù)端點(diǎn)后,就被稱為1T1C DRAM單元;其中,控制端點(diǎn)也就是字組線(WL),用于傳遞位址訊號(hào),數(shù)據(jù)端點(diǎn)也就是位元線(BL),用于傳遞數(shù)據(jù)值。   陣列結(jié)
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0.7納秒!相變存儲(chǔ)器速度新極限

  •   隨著數(shù)字全球化,爆炸式增長的信息對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn),而且目前商用計(jì)算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲(chǔ)部件,即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大,其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲(chǔ)密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點(diǎn)的新式通用式存儲(chǔ)介質(zhì)勢在必行。        近日,美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
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蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%

  •   由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動(dòng)式DRAM產(chǎn)能,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下,標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨,第四季合約價(jià)順利再漲6~10%,業(yè)界對(duì)明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識(shí),法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。   南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲,加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出,6日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)新臺(tái)幣50.72億元,創(chuàng)下單月營收歷史新高,與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收,但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于新臺(tái)幣4
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dram 介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]

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