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三星擴產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年

  • 　　包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產(chǎn)能擴張幅度有限，加上20納米以下先進制程轉(zhuǎn)換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的需求亦進入倍數(shù)成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過1倍。 　　以4GBDDR4模組合約價來看，去年第3季平均價格僅13美元，但今年第4季價格已大漲至30.5美元，不僅價格已連續(xù)6季度調(diào)漲，累計漲幅亦超過1.3倍。想當然爾，DRAM價格大漲也明顯
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％

  • 　　由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標準型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 　　南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于43～4
  • 關(guān)鍵字： DRAM  存儲器  

半導體迎來第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與升級世界將裝上“中國芯”？

  • 從過去的兩次半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移來看，中國如今已經(jīng)具備成為行業(yè)新霸主的條件，未來半導體行業(yè)迎來大發(fā)展可以期待。
  • 關(guān)鍵字： 中國芯  DRAM  

DRAM風云錄，國產(chǎn)廠商也要入局

  • 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據(jù)了市場上95%的份額，現(xiàn)在國產(chǎn)存儲研發(fā)成功，但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實現(xiàn)，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷售需要長達幾年時間。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

DRAM供不應(yīng)求短期難解 三星計劃下季再調(diào)漲報價3~5%

  • 　　DRAM供不應(yīng)求短期難解，全球DRAM制造龍頭韓國三星半導體通知渠道商，計劃明年第1季再調(diào)漲DRAM報價，漲幅3~5%，其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下，仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現(xiàn)，有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產(chǎn)，打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。 　　中國臺灣地區(qū)DRAM大廠也強調(diào)，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向，預料即使三星調(diào)升部分產(chǎn)線，增加的DRAM產(chǎn)出仍無法滿足市場需求，預料明年DRAM還
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  

從Gartner預測全球半導體市場強增長看行業(yè)投資線索

  • 　　知名信息技術(shù)研究和分析公司Gartner發(fā)布預測，2017年全球半導體市場總營收將達到4111億美元，較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機中復蘇且全球半導體營收增加31.8%之后，增長最為強勁的一次。根據(jù)Gartner統(tǒng)計及預測，全球半導體市場總營收在2014年~2016年的這3年間，規(guī)模在3400億美元左右。但2017年因為內(nèi)存價格逐季大漲，帶動半導體市場出現(xiàn)強勁增長，這也是半導體市場年度總營收首度超過4000億美元大關(guān)。 　　Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示，以
  • 關(guān)鍵字： DRAM  高通  

國內(nèi)芯片廠商砸180億造內(nèi)存 不再看國外臉色！

  • 　　去年雙11時，一條8G DDR4 2400hz的內(nèi)存僅在300元左右，轉(zhuǎn)眼1年過去了，價格已經(jīng)飆升至900元，也就是說兩條8GB的內(nèi)存足以購買一塊中端顯卡了，這樣的價格很多年沒有看到過了，也導致了許多想更換內(nèi)存的朋友望而生畏。 　　   　　其實內(nèi)存主要上漲的原因就是內(nèi)存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來瘋狂的上漲，其漲幅到達了111%，原材料的上漲導致內(nèi)存成本飆升。另一方面由于2016年時電腦市場內(nèi)存飽和，許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷售方向轉(zhuǎn)向了手機，因為手機在不斷的推出新產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  

內(nèi)存竟然降價了：幅度驚人

  • 僅僅是活動促銷，未來一段時間內(nèi)，內(nèi)存價格仍然會居高不下，有需要的用戶必然要繼續(xù)糾結(jié)。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

三星考慮明年擴大DRAM產(chǎn)能，恐改變目前供給緊俏格局

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，由于DRAM廠近兩年來產(chǎn)能擴張幅度有限，加上制程轉(zhuǎn)換的難度，DRAM供給成長明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾，DRAM合約價自2016年中開啟漲價序幕。然而，三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻的情況下，可能將擴大DRAM產(chǎn)能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標準型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13美元均價拉升至今年
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

為何今年以來內(nèi)存價格漲得這么瘋狂?

  • 內(nèi)存的上游原料DRAM顆粒在這1年以來，漲幅到達111%，原料價格的上漲導致內(nèi)存成本上升，是最大的原因。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

全球2018年DRAM產(chǎn)業(yè)預估預測

  • 本文介紹了2017年DRAM市場狀況，并對2018年的DRAM市場進行了分析預測。2018年預計僅增長19.6%，無大規(guī)模增產(chǎn)計劃下，供給將延續(xù)吃緊走勢。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  市場  預測  201711  

DRAM領(lǐng)域亂象，全都怪Vista

  • 這個時候想起了狂吃內(nèi)存的Vista操作系統(tǒng)？
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  

內(nèi)存的戰(zhàn)爭：中日韓三國的產(chǎn)業(yè)恩怨，還沒有到終章

  • DRAM領(lǐng)域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機之前的五家，然而存儲器價格隨著供給/需求的變化而進行短周期波動，但行業(yè)將長期維持暴利狀態(tài)，這個時候新玩家來了。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

IC Insights：全球半導體2017年上調(diào)市場預測提升至22％

  • 　　據(jù)IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。 　　此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測。總體而言，2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調(diào)高5個百分點。 　　2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

2018年三大DRAM廠擴產(chǎn)有限，整體價格漲勢依舊

  • 　　近期，DRAM 價格持續(xù)大漲使許多廠商吃不消，陸續(xù)調(diào)漲產(chǎn)品價格，消費者也抱怨連連。這波漲勢何時停止，目前看來短期幾乎不可能，只能期望價格不要一次漲太多就已萬幸了。 　　集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告指出，進入第 4 季后，三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規(guī)劃好 2018 年的發(fā)展。由于資本支出都趨保守，意味著大規(guī)模產(chǎn)能擴張已不可能，甚至制程技術(shù)前進的腳步也會緩下來。DRAM 大廠在 2018 年的首要目標，就是獲得持續(xù)且穩(wěn)定的利潤，價格至少維持 2017
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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