首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%

  • 　　全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 　　存儲器業(yè)者強調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構(gòu)，帶動DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下，
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

  • 　　DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。 　　內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 　　這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及計算機三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

國內(nèi)存儲器市場分析 該如何走存儲器國產(chǎn)化道路？

  • 近年來，隨著移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲器產(chǎn)品的應(yīng)用市場也隨之逐步開拓，市場需求越來越大。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM   

內(nèi)存價格暴漲一整年：徹底沒法買了

  • 內(nèi)存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價，但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數(shù)據(jù)那是相當(dāng)?shù)膰樔恕?/li>
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

  • 　　隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。 　　2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
  • 關(guān)鍵字： IC  DRAM  

半導(dǎo)體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過哪些難關(guān)

  • 　　過去兩年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。 　　通盤來看，全球前十大半導(dǎo)體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 　　國外對于中國半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施 　　眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導(dǎo)體廠商的，他們在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術(shù)成熟，專利頗多，而對于中國近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%，預(yù)估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。 　　旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時序進入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND   

ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 　　 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。   　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

回顧美日DRAM芯片之爭

  • 盛極而衰是自然規(guī)律，商業(yè)領(lǐng)域也是這樣。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  東芝  

1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

  • 自1970年，美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來，已經(jīng)過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  Flash  

手機零組件供貨缺口恐擴大 PC產(chǎn)業(yè)營運難逃沖擊

  • 第3季零組件缺貨情況持續(xù)，而終端廠商考量營運壓力續(xù)轉(zhuǎn)嫁到PC終端售價之上，預(yù)料也將讓PC銷售回溫的力道受到影響，經(jīng)此相關(guān)廠商得更強化零組件缺貨所可能造成的風(fēng)險管控等才是。
  • 關(guān)鍵字： SSD  DRAM  

存儲芯片銷售飆升：SK海力士第二季度獲利創(chuàng)新高

  • 　　北京時間7月25日上午消息，韓國芯片制造商SK海力士周二稱，由于存儲芯片需求強勁，其第二季營業(yè)利潤較上年同期飆升574%，創(chuàng)有史以來新高，符合市場預(yù)期。 　　該財報刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位，SK海力士因而有望朝分析師所預(yù)估的史上最高年營業(yè)利潤13萬億韓元(約合786.54億人民幣)邁進。 　　SK海力士表示，4-6月獲利為3.1萬億韓元(約合187.56億人民幣)。營收增長70%至6.7萬億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長3%，平均售價上漲11%;NAND芯
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士今年投資規(guī)模上看62億美元 致力于技術(shù)提升

  • 　　以往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴大與降低成本，但制程愈趨于先進，研發(fā)難度提高，投資規(guī)模擴大不保證能帶來對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術(shù)創(chuàng)新開拓全球市場。 　　據(jù)韓媒每日經(jīng)濟報導(dǎo)，SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產(chǎn)比例，并持續(xù)增加14納米NAND Flash產(chǎn)量，以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力，提高事業(yè)獲利性。 　　SK海力士將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術(shù)競爭力。 　　資通訊技術(shù)發(fā)達帶動存儲器需求成長，移動裝置用DRAM及NAND Flash
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

Gartner預(yù)測2017年全球半導(dǎo)體收入將達到4千億美元

  • 　　根據(jù)全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的最新預(yù)測，2017年全球半導(dǎo)體總體收入將首度突破4,000億美元大關(guān)，達到4014億美元，較2016年增加16.8%。2010年全球半導(dǎo)體收入曾創(chuàng)下3000億美元的紀錄，更早之前則是在2000年超過了2000億美元?！　artner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲器的短缺正在帶動半導(dǎo)體市場的整體繁榮。由于存儲器廠商抬高DRAM和NAND的價格，其收入和利潤亦隨之增長?！薄　artner預(yù)計2017年存儲器市場的收入漲幅
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  
共1827條 25/122 |‹ « 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 » ›|

dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473