首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> dram

四強(qiáng)投資動(dòng)作暗潮洶涌 欲爭(zhēng)奪3D NAND市場(chǎng)

  • 　　盡管目前全球存儲(chǔ)器四強(qiáng)競(jìng)局維持平衡狀態(tài)，然近期各廠投資動(dòng)作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來(lái)3~4年內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)既有平衡競(jìng)局恐將被打破。 　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，3D NAND技術(shù)是未來(lái)存儲(chǔ)器產(chǎn)品主流，然技術(shù)層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)2016年真正
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

臺(tái)灣DRAM教父投奔紫光的三個(gè)關(guān)鍵理由

  • 紅色供應(yīng)鏈給臺(tái)企帶來(lái)了巨大壓力，市場(chǎng)萎縮，人才流失，再也損失不起了。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  紫光  

南亞科：大陸DRAM追臺(tái) 至少三年

  • 　　南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭昨(6)日表示，雖然中國(guó)在DRAM產(chǎn)業(yè)急起直追，但至少還要花三年才能追上臺(tái)灣。對(duì)于前總座高啟全退休前往中國(guó)紫光集團(tuán)發(fā)展，想要?jiǎng)?chuàng)造中美臺(tái)合作空間，南亞科新任總經(jīng)理李培瑛說(shuō)，一切仍有不確定性，公司目前尚無(wú)實(shí)質(zhì)作法。 　　   　　南亞科昨天舉行臨時(shí)董事會(huì)，通過(guò)高啟全退休案，但仍擔(dān)任南亞科董事，并決議即日起由資深副總李培瑛接任總經(jīng)理。 　　吳嘉昭透露，高啟全是在9月18日提出申請(qǐng)退休，對(duì)于他的離開(kāi)感到惋惜，雖然不清楚高的詳細(xì)生涯規(guī)畫，但仍給予祝福。 　　此外，高啟全
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  

京東方攜手爾必達(dá)前社長(zhǎng)斗法紫光DRAM

  • 臺(tái)灣過(guò)去數(shù)十年培養(yǎng)出來(lái)的半導(dǎo)體人才，現(xiàn)在一個(gè)一個(gè)往大陸跑，臺(tái)企離沒(méi)落不遠(yuǎn)了。
  • 關(guān)鍵字： 京東方  DRAM  

MIC：明年全球半導(dǎo)體衰退1%

  • 　　資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)報(bào)告指出，受到新興市場(chǎng)智慧型手機(jī)晶片價(jià)格快速下滑及需求不佳影響，預(yù)估明年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率較今年衰退1%，臺(tái)灣半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩之下，明年產(chǎn)值將達(dá)2.2兆元微幅年增2.2%。 　　資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)分析師施雅茹表示，今年臺(tái)灣半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不如全球，主要受DRAM與IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值下滑影響，估算今年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約4,971億元新臺(tái)幣，年減6%，DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2,325 億元，年減13%;預(yù)估明年可望在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩，以及晶圓代工、IC封測(cè)
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

全球12吋晶圓產(chǎn)線續(xù)增　18吋晶圓之路漸行漸遠(yuǎn)

  • 　　由于12吋晶圓持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用至非存儲(chǔ)器領(lǐng)域，使得全球12吋晶圓生產(chǎn)線持續(xù)增加，2015年已超過(guò)90條產(chǎn)線，較5年前增加約20條產(chǎn)線，且預(yù)計(jì)未來(lái)4年將再增加近20條產(chǎn)線，相較之下，18吋晶圓商用化時(shí)程則會(huì)再往后延緩，業(yè)界預(yù)期2020年之前將不會(huì)有采用18吋晶圓進(jìn)行大量生產(chǎn)的產(chǎn)線。 　　12吋晶圓除應(yīng)用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片，亦持續(xù)擴(kuò)大使用在非存儲(chǔ)器產(chǎn)品，包括電源管理芯片、影像感測(cè)器等，甚至用來(lái)制造邏輯芯片、微型元件IC等，且為因應(yīng)市場(chǎng)需求，將芯片產(chǎn)量最大化，半導(dǎo)體廠在1
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  DRAM  

三星DRAM報(bào)價(jià)下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營(yíng)收不樂(lè)觀

  • 　　全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預(yù)期。 　　繼臺(tái)積電前天無(wú)預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè)，市場(chǎng)消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 　　8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 　　隨今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市場(chǎng)需
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

DRAM報(bào)價(jià) 傳出三星調(diào)降20%

  • 　　全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，國(guó)內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預(yù)期。 　　繼臺(tái)積電前天無(wú)預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè)，市場(chǎng)消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 　　8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 　　隨今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲(chǔ)器比較

  • 　　PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 　　EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來(lái)激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
  • 關(guān)鍵字： SRAM  DRAM  

18吋晶圓技術(shù)成本過(guò)高　12吋將續(xù)為業(yè)者主力

  • 　　雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經(jīng)驗(yàn)顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術(shù)至少會(huì)比小尺寸晶圓降低20%。 　　然而在實(shí)務(wù)上，要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)，業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費(fèi)。因此在資金和技術(shù)的障礙下，各業(yè)者往往會(huì)采用將現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行效率最大化的方式進(jìn)行生產(chǎn)，而不是對(duì)新開(kāi)發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行投資。 　　以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  DRAM  

大陸景氣低迷　韓國(guó)存儲(chǔ)器廠前景恐難卜

  • 　　雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國(guó)存儲(chǔ)器廠的業(yè)績(jī)展望相對(duì)明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動(dòng)DRAM價(jià)格可能下滑，2016年前景反而不透明。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績(jī)可能會(huì)與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來(lái)大陸景氣迅速萎縮，但對(duì)下半年暫時(shí)不會(huì)有太大影響。 　　三星下半年IT及移動(dòng)裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績(jī)可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲(chǔ)器和系統(tǒng)晶
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

Intel想滅了三星/海力士？

  • 由于對(duì)DRAM過(guò)于依賴，近年來(lái)英特爾半導(dǎo)體龍頭地位搖搖欲墜，現(xiàn)在英特爾似乎下決心要扳倒后進(jìn)：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亞歷山大。
  • 關(guān)鍵字： Intel  DRAM  

海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

  • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場(chǎng)憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長(zhǎng)期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過(guò)于求。 　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過(guò)剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 　　受市場(chǎng)憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

研調(diào)：DRAM價(jià)未來(lái)幾季續(xù)跌

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)第2季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長(zhǎng)，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來(lái)到114億美金。在淡季影響下，各DRAM廠營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來(lái)的幾個(gè)季度。在需求端如筆電與智慧型手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來(lái)自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，該機(jī)構(gòu)
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)在 2015年第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來(lái)到114億美元。 　　在淡季影響下，各DRAM廠第二季營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來(lái)的幾季;在需求端如筆電與智慧型
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  
共1827條 41/122 |‹ « 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 » ›|

dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473