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存儲(chǔ)芯片,果真回暖了
- 受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響,存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示,DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%~18%,Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似,NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%,今年 Q1 NAN
- 關(guān)鍵字: NAND SSD DRAM
1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競(jìng)賽已拉開(kāi)帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息,閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響,依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期,但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源:SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代,美光將其稱為 1β DRAM,而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM,不過(guò)研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM,這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
- 關(guān)鍵字: DRAM 閃存
1γ DRAM、321層NAND!存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言,先進(jìn)制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前,DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來(lái)到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后,計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù),目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn),未來(lái)日本廠也有望導(dǎo)入EUV
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND 存儲(chǔ)
面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則,韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略
- 面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則,韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略據(jù)韓國(guó)新聞媒體報(bào)道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國(guó)家安全護(hù)欄,韓國(guó)半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們?cè)谥袊?guó)的業(yè)務(wù),并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來(lái)針對(duì)國(guó)內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對(duì)三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件,并在未來(lái)10年內(nèi)避免在中國(guó)進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示,補(bǔ)貼接受者在
- 關(guān)鍵字: CHIPS法案 韓國(guó)半導(dǎo)體 DRAM NAND
集邦咨詢:2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%,DRAM 要開(kāi)啟增長(zhǎng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道,伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后,DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
為什么消費(fèi)類DRAM無(wú)法滿足工業(yè)應(yīng)用需求?
- 消費(fèi)類DRAM廣泛普及,而且往往物美價(jià)廉。然而,這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中,我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異,并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。固定BOM的重要性消費(fèi)類 DRAM 模塊沒(méi)有固定的 BOM(物料清單);這意味著模塊中使用的材料可能會(huì)發(fā)生變化,而且經(jīng)常會(huì)在用戶未知的情況下發(fā)生變化,另外用戶可能會(huì)在一月份訂購(gòu)兩個(gè) DIMM 用于測(cè)試,在三月份再訂購(gòu)五百個(gè)用于生產(chǎn),但無(wú)法保證一月份訂購(gòu)的模塊與三月份訂購(gòu)的模塊包含相同的材料。即使是物料
- 關(guān)鍵字: innodisk DRAM
美光訂價(jià)能力升 營(yíng)運(yùn)露曙光
- 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財(cái)報(bào),鑒于美光對(duì)DRAM的訂價(jià)能力提升,市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善,預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過(guò)。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn),部分市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng),AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁,致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長(zhǎng)Mark Murphy先前透露,若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測(cè)價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營(yíng)運(yùn)有望改善,帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng),該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商,紛紛上調(diào)美光投資評(píng)等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評(píng)等,目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
- 關(guān)鍵字: 美光 DDR5 DRAM
存儲(chǔ)廠商持續(xù)減產(chǎn),市場(chǎng)何時(shí)迎來(lái)供需平衡?
- 受高通貨膨脹、消費(fèi)電子需求疲軟等因素影響,存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展“遇冷”,鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn),2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過(guò),由于市場(chǎng)需求持續(xù)衰弱,2023年存儲(chǔ)市況仍未復(fù)蘇,價(jià)格不斷下跌,廠商業(yè)績(jī)承壓。這一背景下,部分存儲(chǔ)廠商期望通過(guò)繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價(jià)格,推動(dòng)市場(chǎng)供需平衡。近日,臺(tái)灣地區(qū)《工商時(shí)報(bào)》等媒體報(bào)道,DRAM廠商南亞科將跟進(jìn)大廠減產(chǎn)策略,調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出,根據(jù)客戶需求和市場(chǎng)變化動(dòng)態(tài)調(diào)整,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)疲軟,預(yù)計(jì)產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調(diào)降20%以內(nèi)。此前,全球市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)廠商 DRAM TrendForce
3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)?
- 3D DRAM 的使用在未來(lái)或許是可能的。
- 關(guān)鍵字: DRAM
DRAM的變數(shù)
- 一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來(lái)了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù),第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 20.4%,終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢(shì)。存儲(chǔ)作為行業(yè)的風(fēng)向標(biāo),止跌是大家喜聞樂(lè)見(jiàn)的。這樣的好消息背后,不知道還有多少變數(shù),又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)呢?經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報(bào)告,2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元,環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度,DRAM 供應(yīng)商庫(kù)存快速堆積,為搶占第四季度的出貨市
- 關(guān)鍵字: DRAM
美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年上半年在臺(tái)量產(chǎn)
- IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)臺(tái)灣 《中央通訊社》 報(bào)道,臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)盧東暉表示,美光有多達(dá) 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺(tái)灣生產(chǎn),其中臺(tái)日?qǐng)F(tuán)隊(duì)一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺(tái)中廠量產(chǎn),這是美光第 1 代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù)。據(jù)悉,美光現(xiàn)在只有在臺(tái)中有 EUV 的制造工廠,1-gamma 制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn),日本廠未來(lái)也會(huì)導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強(qiáng)調(diào),臺(tái)灣和日本是美光非常重要的制造中心,美光有多達(dá) 65% 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù),開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位,并開(kāi)啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM(1)"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上,我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
- 關(guān)鍵字: 三星 12納米 DDR5 DRAM
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái),泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。)l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展,因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關(guān)鍵字: 3D DRAM 泛林
DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展
- 高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
- 關(guān)鍵字: DRAM
dram 介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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