- IT之家 7 月 5 日消息，據多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現低迷、強化代工業(yè)務的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發(fā)的部門負責人也被更換，由原本擔任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HB
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三星 DRAM
- 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據中國臺灣媒體《中時新聞網》引述南亞科總經理提到，DRAM市況預期第三季產品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產品智能化的關鍵元件，未來各種消費型智能電子產品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
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DRAM TrendForce
- 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發(fā)團隊，以量產4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術，據說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美
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三星 4F2結構 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專業(yè)的團隊，負責開發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現有的 6F2 級別，在不改變工藝節(jié)點的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團隊，研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統。在漏極（D）上方安裝一個
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三星 DRAM
- 據TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產后，DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價格跌幅仍深，預期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
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DRAM TrendForce
- 受消費電子市場需求疲弱影響，存儲產業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”，加上今年一季度為市場淡季，供過于求關系下，產業(yè)庫存高企。第二季度存儲產業(yè)市況如何？未來是否將有所好轉？近期，南亞科、華邦電兩家存儲廠商對此進行了回應。南亞科：庫存逐步去化，部分應用領域已出現急單近期，媒體報道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產業(yè)庫存高點，在需求與供應端改善下，庫存正逐步去化，預期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應用領域已出現急單。為滿足市場應用需求趨勢，南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產品，在技術推進上，20納米產品
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存儲廠商 DRAM
- 伴隨存儲芯片價格筑底，關于半導體周期拐點將臨近的討論越來越熱。
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存儲芯片 DRAM
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過量產 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數據中
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三星 DDR5 DRAM
- 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內存擴展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB
CXL DRAM，預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬?？蓴U展內存（Memory Expander）“作
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三星電子 CXL 2.0 CXL DRAM
- 集邦咨詢預估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務器內存）價格跌幅將收斂，由原預估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
- 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存）——HBM3*的技術界限，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產品，并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后，又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產品?！?“最近隨著人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產業(yè)的發(fā)展，高端存儲器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足
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SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
- 據媒體報道，盡管消費性電子應用需求復蘇緩慢，但華邦電總經理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設計、制造與銷售公司，其產品包括利基型存儲器（Specialty DRAM）、行動存儲器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲器產品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產品價格上看，在NAND
Flash方面，此前據TrendForce集邦咨詢3月30日調查指出，即便原廠持續(xù)進行減產，然需求端如服
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利基型 DRAM
dram 介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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