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國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張

  • 　　在中美貿易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張?！　H半導體產(chǎn)業(yè)降溫　　6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張?！　?jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)最新統(tǒng)計，5月全球半
  • 關鍵字： 半導體  存儲  DRAM  

美光正在為DDR5擴大產(chǎn)能 并迅速轉向更先進工藝技術

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產(chǎn)能的計劃，并迅速轉向更先進的工藝技術。
  • 關鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

紫光集團組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日，紫光集團發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內存。
  • 關鍵字： 紫光  DRAM  閃存  

DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)

  • DRAM價格第2季大幅走跌，根據(jù)供應鏈透露，6月起DRAM顆?，F(xiàn)貨價格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關卡。
  • 關鍵字： 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機與中轉

  • 半導體無所不在，舉凡汽車、家電、手機到戰(zhàn)斗機，皆少不了半導體這玩意。半導體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機外，韓國經(jīng)濟前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
  • 關鍵字： 三星  DRAM  SDI  

三星18nm工藝內存芯片曝缺陷 明年全面挺進16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個行業(yè)。前幾年內存價格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
  • 關鍵字： DRAM  16nm  三星電子  

MRAM技術新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術

  • 　　全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開。　　其
  • 關鍵字： MRAM  DRAM  

集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

  • 　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季?！　「鶕?jù)DRAMeXchange調查，DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務器以及PC客戶端甚至超過七周。　　進
  • 關鍵字： 集邦咨詢  DRAM  

中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

  • 　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術精進下，加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護，其目的將難以達成?！　髮е赋?，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
  • 關鍵字： DRAM  NANDFlash  

手機存儲芯片價格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

  • 近日，半導體產(chǎn)業(yè)市場調研品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調侃為“價格跑贏了房價”的內存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  

DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀?！　≡陧n國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%。　　B2B(企業(yè)間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
  • 關鍵字： DRAM  SK海力士  

DRAM大幅跌價 三星的半導體老大位置懸了

  • 　　據(jù)市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指，今年以來DRAM內存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續(xù)下跌導致位置不保?！　〈鎯π酒瑑r格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來，受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤轉換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大，存儲芯片價格進入了快速上漲的階段?！　∽鳛?/li>
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

集邦咨詢：第一季DRAM合約價大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

  • 　　Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結價(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅。　　DRAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
  • 關鍵字： DRAM  

中國將增加在美半導體采購量？韓媒：不太容易

  • 　　據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴。　　韓國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度，主要有兩個原因?！　∈紫?，中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業(yè)的影響。
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國？

  • 作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料，全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代，同時生產(chǎn)中心由美國轉移到了日本。目前日本憑借半導體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額，但......
  • 關鍵字： 硅片  DRAM  
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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