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TrendForce：第三季DRAM價格預(yù)估下跌3～8％

  • 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便
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SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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利基型DRAM持續(xù)擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

  • 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn)，為長遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
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三星推出512GB 內(nèi)存擴展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ，作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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第二季度DRAM跌幅估縮小

  • 根據(jù)市調(diào)預(yù)估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標(biāo)，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達(dá)3～8％，且可能會進一步惡化。在服務(wù)器DR
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

  • 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導(dǎo)入

  • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達(dá)高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價于第四
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！　〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
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美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

  • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟背后，有一
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美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答

  • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術(shù)1α 節(jié)點DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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