nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

　　三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過(guò)引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯　價(jià)格走揚(yáng)

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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中國(guó)成為全球新建晶圓廠主要推手

　　全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó)。　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)，全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó);而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計(jì)將可達(dá)到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長(zhǎng)13%、達(dá)到407億美元。　　　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%

　　據(jù)韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D NAND型快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定，但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。　　barron`s.com16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，JP摩根發(fā)表研究報(bào)告指出，三星應(yīng)該會(huì)在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬(wàn)片晶圓 (西安廠12萬(wàn)片、Line 16廠接近4萬(wàn)片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開(kāi)，且該公司還計(jì)劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。　　另外，三星也將善用Line
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中國(guó)半導(dǎo)體成效驚人包攬近兩年過(guò)半全球新增產(chǎn)能

　　中國(guó)砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出，今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)估有超過(guò)一半都將來(lái)自中國(guó)。　　據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠，當(dāng)中有10座設(shè)在中國(guó)，其中兩座生產(chǎn)存儲(chǔ)器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
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NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康

　　蘋(píng)果iPhone 7已展開(kāi)備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。　　創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤(pán)態(tài)勢(shì)成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。　　威剛董事長(zhǎng)陳立白日
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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)

　　為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來(lái)?…，等等，問(wèn)了那么多為什么，那我反問(wèn)一個(gè)問(wèn)題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? 　　 ? 　　一、Nand flash的特性　　1、位翻轉(zhuǎn) 　　在 NAND 閃存是通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元(Cell)進(jìn)行充電來(lái)完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，存儲(chǔ)單元的閾值電壓就對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時(shí)候，通過(guò)將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對(duì)比來(lái)獲得其數(shù)據(jù)值。對(duì)SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個(gè)
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中國(guó)存儲(chǔ)器“3+1”版圖初現(xiàn)

存儲(chǔ)器是一個(gè)嚴(yán)格按照摩爾定律前進(jìn)、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)，想做起來(lái)太難，在過(guò)去的年月里，能夠聽(tīng)到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國(guó)這次能否在存儲(chǔ)器市場(chǎng)占有一定規(guī)模呢？
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2016年第一季NAND品牌營(yíng)收排行榜

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在平均銷售單價(jià)下滑幅度明顯高于位元出貨量成長(zhǎng)的情況下，第一季NAND Flash品牌商營(yíng)收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個(gè)季衰退。　　2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過(guò)于求影響，通路顆粒合約價(jià)下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟(SSD)跌價(jià)幅度擴(kuò)大至13~18%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì)非常缺

　　全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應(yīng)。　　慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心，立足全球的國(guó)際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來(lái)新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì)后，針對(duì)今年NAND Fl
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

　　紅色供應(yīng)鏈來(lái)勢(shì)洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過(guò)有分析師預(yù)測(cè)，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。　　巴倫(Barronˋs)6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國(guó)透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位

　　全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國(guó)三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。　　全球個(gè)人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機(jī)增長(zhǎng)放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。　　高通曾表示，第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降65%，這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jī)。　　將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星，也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會(huì)下降，一些分析師預(yù)測(cè)1-
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TrendForce：2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片

　　中國(guó)大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。　　TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]