nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

閃存容量突破性進(jìn)展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。　　　　當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

閃存容量突破性進(jìn)展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。　　 ? 　　當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限
關(guān)鍵字：英特爾鎂光 3D NAND

東芝擴(kuò)大符合e ?MMC5.1版標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會) e?MMC? 版 5.1[1]標(biāo)準(zhǔn)、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品集成了采用15nm工藝技術(shù)制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB和64GB產(chǎn)品樣品即日起出貨，32G
關(guān)鍵字：東芝 NAND

東芝：智社會人為本，我做到了

　　雖然東芝的宣傳口號是“智社會人為本，以科技應(yīng)人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細(xì)觀看東芝強(qiáng)大產(chǎn)品陣容之后，我倒更愿意用“半導(dǎo)體技術(shù)溫暖你的心”來形容它。因?yàn)闁|芝的很多設(shè)計確實(shí)很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。　　東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司說，中國市場大體上有兩種產(chǎn)品需求，一是以量價為中心的產(chǎn)品，另一種是以提高附加值為中心的產(chǎn)品。東芝有非常寬廣的產(chǎn)品線來滿足以上兩種市場的需求。　　東芝展位　　存儲產(chǎn)品解決方案　　東
關(guān)鍵字：東芝 LED NAND

閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進(jìn)行規(guī)?；虡I(yè)生產(chǎn)。　　閃迪存儲技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構(gòu)，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎(chǔ)，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。　　DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
關(guān)鍵字： TLC NAND

性價比優(yōu)勢更明顯　TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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EMC：新技術(shù)沖擊導(dǎo)致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退

　　由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現(xiàn)，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務(wù)則及時趕上，填補(bǔ)了這部分市場空間。　　William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會議的內(nèi)容總結(jié)。　　EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統(tǒng)市場的復(fù)合年均營收(目前為260億美元)將實(shí)現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨(dú)立混合系
關(guān)鍵字： EMC NAND

大陸手機(jī)市場驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升

　　中國大陸智能型手機(jī)的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機(jī)整機(jī)的競爭上都倍感壓力。
關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash

3D NAND堆疊競爭鳴槍　SK海力士、東芝苦追三星

　　為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨(dú)大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。　　據(jù)ET News報導(dǎo)，NAND Flash的2D平面微細(xì)制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點(diǎn)從制程微細(xì)化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
關(guān)鍵字： NAND 三星

美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流

　　近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。　　美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據(jù)整個存儲器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機(jī)器對機(jī)器、移動設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
關(guān)鍵字：美光存儲器 NAND 201503

美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟

　　希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。　　盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預(yù)期這項(xiàng)長達(dá)數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機(jī)會發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
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半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭

　　2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動能。　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4

NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米

　　存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業(yè)熱點(diǎn)話題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場上的應(yīng)用進(jìn)程是怎樣的?移動產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術(shù)發(fā)展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節(jié)能以及更低的成本。　　2015年手機(jī)存儲市場　　著眼用戶體驗(yàn)提升　　目前業(yè)界對于2015年中國智能手機(jī)市場走勢的預(yù)測很多，總的觀點(diǎn)是增長率放緩。當(dāng)
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2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營收僅成長2%

　　根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。　　DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]