nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

蘋果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕

　　蘋果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時(shí)隔5年，蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會(huì)采用AMOLED屏幕。　　　　先前蘋果不用三星閃存，是因?yàn)槿窍Ｍ陂W存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺(tái)灣供應(yīng)商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個(gè)技術(shù)，來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標(biāo)準(zhǔn)。又因?yàn)檫@一工藝較為廉價(jià)，所以三星比較重視。　　使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單

　　傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對(duì)蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲(chǔ)器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。　　據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone

　　韓廠積極打進(jìn)蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報(bào)導(dǎo)，三星電子計(jì)畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。　　韓國網(wǎng)站媒體ET News報(bào)導(dǎo)，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃著手3D NAND研發(fā)

　　大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對(duì)手。　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。　　韓聯(lián)社引述EE Times
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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

國內(nèi)大力扶持存儲(chǔ)，各種巨額的投資項(xiàng)目爭議不小，但是為了存儲(chǔ)自主的未來，也值。
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DRAM及NAND市場價(jià)格下跌美光營收下滑

　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對(duì)未來季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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4000億能砸出中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國家意志的推動(dòng)下，中國存儲(chǔ)企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
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中國NAND快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下，將開始進(jìn)入新的里程碑。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋?，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%，達(dá)421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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中國砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

國內(nèi)終于要有了存儲(chǔ)，剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的，但長久來看還得是技術(shù)立足。
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東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計(jì)2016財(cái)年銷售不到5萬億日元

　　“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測(cè)需要多長時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計(jì)劃說明會(huì)，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會(huì)上這樣說道。　　東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會(huì)前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報(bào)道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰輸在起跑線？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。　
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主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)遇瓶頸閃迪/美光/Intel怎么樣了？

除供過于求價(jià)格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆齼r(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
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2015年第四季NAND廠商營收排行

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]