臺(tái)晶圓代工訂單沖高　日本與大陸市場(chǎng)扮要角

　　整合元件廠(IDM)在金融海嘯后，輕晶圓廠(Fab-Lite)路線更確立，以往歐美IDM廠為臺(tái)系晶圓代工廠訂單主力，但近年來(lái)日本 IDM廠釋單力道增強(qiáng)，尤其在先進(jìn)制程動(dòng)作最為積極，半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期，2011年日本IDM廠對(duì)臺(tái)釋單效應(yīng)將更明顯，未來(lái)日本將與大陸共同成為臺(tái)系晶圓代工廠成長(zhǎng)重要市場(chǎng)。

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀向來(lái)看好IDM廠委外趨勢(shì)，在第2季法說(shuō)會(huì)中他特別指出，雖然2009年臺(tái)積電在大陸業(yè)務(wù)營(yíng)收首度超越日本市場(chǎng)，但2010年臺(tái)積電在日本業(yè)務(wù)出現(xiàn)令人驚喜的巨大增長(zhǎng)，因此，盡管大陸市場(chǎng)持續(xù)走強(qiáng)，但日本市場(chǎng)營(yíng)收貢獻(xiàn)仍將占較大比重。

　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉指出，金融海嘯后IDM廠加大委外釋單力道，且在諸多領(lǐng)域都有看到IDM廠釋單。全球晶圓(Global Foundries)執(zhí)行長(zhǎng)Douglas Grose則認(rèn)為，為求生存與成長(zhǎng)，愈來(lái)愈多IDM廠勢(shì)必將采行輕晶圓廠策略，外包趨勢(shì)將持續(xù)下去，代工廠必將受惠。

　　以臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，第2 季來(lái)自日本地區(qū)營(yíng)收比重由首季4%提升到5%，較2009年同期3%成長(zhǎng);至于第2季來(lái)自大陸地區(qū)營(yíng)收比重為3%，較首季2%提升1個(gè)百分點(diǎn)，與2009 年第2季持平。張忠謀亦強(qiáng)調(diào)，IDM委外趨勢(shì)將持續(xù)不衰，未來(lái)10年內(nèi)幾乎所有IDM廠都將轉(zhuǎn)型成為無(wú)晶圓廠或極輕晶圓廠(Fab Very Lite)，超越摩爾相關(guān)技術(shù)更是IDM廠委外最主要產(chǎn)品領(lǐng)域。

　　2010年以來(lái)日本IDM廠積極與臺(tái)系晶圓代工廠進(jìn)行合作，包括瑞薩陸續(xù)關(guān)閉舊廠房，停止28奈米以下制程投資，并將28奈米以下制程芯片委由臺(tái)積電與全球晶圓生產(chǎn)。富士通(Fujitsu)則于2010年開(kāi)始在臺(tái)積電生產(chǎn) 40奈米芯片，并將與臺(tái)積電合作28奈米制程邏輯芯片。

　　不過(guò)，由于40奈米以下先進(jìn)制程目前占整體晶圓代工產(chǎn)值仍不高，28奈米從2010年下半才開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)，因此，日系IDM廠對(duì)晶圓代工廠釋單效應(yīng)在2010年仍只是起步，業(yè)界預(yù)期到2011年將會(huì)有顯著成長(zhǎng)。

　　大陸方面，隨著大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)崛起，廠商家數(shù)不斷增加，技術(shù)實(shí)力提升，未來(lái)勢(shì)必將面臨先進(jìn)制程生產(chǎn)考驗(yàn)，中芯國(guó)際剛宣布量產(chǎn)65奈米制程，40奈米則要到 2011年下半，而這些先進(jìn)制程芯片設(shè)計(jì)，臺(tái)積電、聯(lián)電仍會(huì)是最大受惠者。因此，在日本與大陸成為成長(zhǎng)雙引擎前提下，臺(tái)積電、聯(lián)電2010年大舉提高資本支出，有其必要性。