MEMS封裝技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用

1 引言
當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體集成電路科研水平已基本具備將一些復(fù)雜的機(jī)電系統(tǒng)集成制作在芯片上的能力，幾乎整個(gè)1000億美元規(guī)模的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施都可以用來(lái)支持MEMS技術(shù)，那些被批量制造的、同時(shí)包含尺寸在納米到毫米量級(jí)的電子與機(jī)械元器件構(gòu)成的MEMS，成為國(guó)際上微電子系統(tǒng)集成發(fā)展的新方向。多門(mén)類(lèi)實(shí)用的MEMS演示樣品向早期產(chǎn)品演繹，可批量生產(chǎn)的微加速度計(jì)、力敏傳感器、微陀螺儀、數(shù)字微鏡器件、光開(kāi)關(guān)等的商品化日趨成熟，初步形成100億美元的市場(chǎng)規(guī)模，年增長(zhǎng)率在30％以上。當(dāng)MEMS與其他技術(shù)交融時(shí)，往往還會(huì)催生一些新的MEMS器件，為微電子技術(shù)提供了非常大的市場(chǎng)和創(chuàng)新機(jī)遇，有可能在今后數(shù)十年內(nèi)引發(fā)一場(chǎng)工業(yè)革命。然而，實(shí)現(xiàn)MEMS的商品化、市場(chǎng)化還面臨許多挑戰(zhàn)，尚有很多產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)難題需要進(jìn)行深層次的研究、解決，尤其是MEMS封裝技術(shù)的發(fā)展相對(duì)滯后，在某些方面形成封裝障礙，使得很多MEMS器件的研發(fā)仍暫時(shí)停留在實(shí)驗(yàn)室階段，首先解決這一通往市場(chǎng)的瓶頸，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈提速運(yùn)轉(zhuǎn)已成為各界共識(shí)。

2 MEMS封裝的特點(diǎn)
MEMS技術(shù)是一門(mén)相當(dāng)?shù)湫偷亩鄬W(xué)科交叉滲透、綜合性強(qiáng)、時(shí)尚前沿的研發(fā)領(lǐng)域，幾乎涉及到所有自然及工程學(xué)科內(nèi)容，以單晶硅Si、Si02、SiN、SOI等為主要材料。Si機(jī)械電氣性能優(yōu)良，其強(qiáng)度、硬度、楊式模量與Fe相當(dāng)，密度類(lèi)似A1，熱傳導(dǎo)率也與Mo和W不相上下。在制造復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)時(shí)，現(xiàn)多采用的各種成熟的表面微bD工技術(shù)以及體微機(jī)械加工技術(shù)，正向以LIGA（即深度x射線刻蝕、微電鑄成型、塑料鑄模等三個(gè)環(huán)節(jié)的德文縮寫(xiě)）技術(shù)、微粉末澆鑄、即刻掩膜EFAB為代表的三維加工拓展。因而MEMS封裝具有與IC芯片封裝顯著不同的自身特殊性：
（1）專用性
MEMS中通常都有一些可動(dòng)部分或懸空結(jié)構(gòu)、硅杯空腔、梁、溝、槽、膜片，甚至是流體部件與有機(jī)部件，基本上是靠表面效應(yīng)工作的。封裝架構(gòu)取決于MEMS器件及用途，對(duì)各種不同結(jié)構(gòu)及用途的MEMS器件，其封裝設(shè)計(jì)要因地制宜，與制造技術(shù)同步協(xié)調(diào)，專用性很強(qiáng)。
（2）復(fù)雜性
根據(jù)應(yīng)用的不同，多數(shù)MEMS封裝外殼上需要留有同外界直接相連的非電信號(hào)通路，例如，有傳遞光、磁、熱、力、化等一種或多種信息的輸入。輸入信號(hào)界面復(fù)雜，對(duì)芯片鈍化、封裝保護(hù)提出了特殊要求。某些MEMS的封裝及其技術(shù)比MEMS還新穎，不僅技術(shù)難度大，而且對(duì)封裝環(huán)境的潔凈度要求達(dá)到100級(jí)。
（3）空間性
為給MEMS可活動(dòng)部分提供足夠的活動(dòng)、可動(dòng)空間，需要在外殼上刻蝕或留有一定的槽形及其他形狀的空間，灌封好的MEMS需要表面上的凈空，封裝時(shí)能提供一個(gè)十分有效的保護(hù)空腔。
（4）保護(hù)性
在晶片上制成的MEMS在完成封裝之前，始終對(duì)環(huán)境的影響極其敏感。MEMS封裝的各操作工序、劃片、燒結(jié)、互連、密封等需要采用特殊的處理方法，提供相應(yīng)的保護(hù)措施，裝網(wǎng)格框架，防止可動(dòng)部位受機(jī)械損傷。系統(tǒng)的電路部分也必須與環(huán)境隔離保護(hù)，以免影響處理電路性能，要求封裝及其材料不應(yīng)對(duì)使用環(huán)境造成不良影響。
（5）可靠性
MEMS使用范圍廣泛，對(duì)其封裝提出更高的可靠性要求，尤其要求確保產(chǎn)品在惡劣條件下的安全工作，免受有害環(huán)境侵蝕，氣密封裝能發(fā)散多余熱量。
（6）經(jīng)濟(jì)性
MEMS封裝主要采用定制式研發(fā)，現(xiàn)處于初期發(fā)展階段，離系列化、標(biāo)準(zhǔn)化要求尚遠(yuǎn)。其封裝在整個(gè)產(chǎn)品價(jià)格中占有40％-90％的比重，降低封裝成本是一個(gè)熱門(mén)話題。
總而言之，IC封裝和MEMS封裝這兩者最大的區(qū)別在于MEMS一般要和外界接觸，而IC恰好相反，其封裝的主要作用就是保護(hù)芯片與完成電氣互連，不能直接將IC封裝移植于更復(fù)雜的MEMS。但從廣義上講，MEMS封裝形式多是建立在標(biāo)準(zhǔn)化的IC芯片封裝架構(gòu)基礎(chǔ)上。目前的技術(shù)大多沿用成熟的微電子封裝工藝，并加以改進(jìn)、演變，適應(yīng)MEMS特殊的信號(hào)界面、外殼、內(nèi)腔、可靠性、降低成本等要求。

3 MEMS封裝的發(fā)展
MEMS的發(fā)展目標(biāo)在于通過(guò)微型化、集成化來(lái)探索新原理、新功能的元器件與系統(tǒng)，開(kāi)辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)，其封裝就是確保這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)，起著舉足輕重的作用。幾乎每次國(guó)際性MEMS會(huì)議都會(huì)對(duì)其封裝技術(shù)進(jìn)行熱烈討論，多元化研發(fā)另辟蹊徑。各種改進(jìn)后的MEMS封裝不斷涌現(xiàn)，其中較有代表性的思路是涉及物理、化學(xué)、生物、微機(jī)械、微電子的集成微傳感器及其陣列芯片系統(tǒng)，在實(shí)現(xiàn)MEMS片上系統(tǒng)后，再進(jìn)行封裝；另一種是將處理電路做成專用芯片，并與MEMS組裝在同一基板上，最后進(jìn)行多芯片組件MCM封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝SIP。在商用MEMS產(chǎn)品中，封裝是最終確定其體積、可靠性、成本的關(guān)鍵技術(shù)，期待值極高。
MEMS封裝大致可分為圓片級(jí)、單片全集成級(jí)、MCM級(jí)、模塊級(jí)、SIP級(jí)等多個(gè)層面。圓片級(jí)給MEMS制作的前、后道工序提供了一個(gè)技術(shù)橋梁，整合資源，具有倒裝芯片封裝與芯片尺寸封裝的特點(diǎn)，對(duì)靈敏易碎的元件、執(zhí)行元件進(jìn)行特殊鈍化保護(hù)，使其免受有害工作介質(zhì)和潮汽侵蝕，不受或少受其他無(wú)關(guān)因素的干擾，避免降低精度，完成MEMS芯片與基座（或管殼）的焊接和鍵合；單片全集成級(jí)封裝要對(duì)一個(gè)集成在同一襯底上的微結(jié)構(gòu)和微電路進(jìn)行密封，使之成為一個(gè)可供應(yīng)用的完整系統(tǒng)產(chǎn)品，尺寸小，內(nèi)部互連長(zhǎng)度短，電氣特性好，輸出／人接點(diǎn)密度高，是MEMS封裝發(fā)展的較理想方案；MCM級(jí)將MEMS和信號(hào)處理芯片組裝在一個(gè)外殼內(nèi)，常采用成熟的淀積薄膜型多芯片組件MCM-D、混合型多芯片組件MCM-C／D、厚膜陶瓷多芯片組件MCM-C的工藝與結(jié)構(gòu)達(dá)到高密度、高可靠性封裝，可以充分利用已有的條件和設(shè)備，分別制作MEMS的不同部分。這類(lèi)封裝在小體積、多功能、高密度、提高生產(chǎn)效率方面顯出優(yōu)勢(shì)；模塊級(jí)封裝旨在為MEMS設(shè)計(jì)提供一些模塊式的外部接口，一般分為光學(xué)接口、流體接口、電學(xué)接口，接口數(shù)據(jù)則由總線系統(tǒng)傳輸，從而使MEMS能使用統(tǒng)一的、標(biāo)準(zhǔn)化的封裝批量生產(chǎn)，減少在封裝設(shè)備上的投資，降低成本，縮短生產(chǎn)周期，并要求封裝可以向二維空間自由擴(kuò)展和連接，形成模塊，完成某些功能，保證盡可能高的封裝密度；SiP稱為超集成策略，在集成異種元件方面提供了最大的靈活性，適用于射頻RF-MEMS的封裝，在目前的通信系統(tǒng)使用了大量射頻片外分立單元，無(wú)源元件（電容、電感、電阻等）占到射頻系統(tǒng)元件數(shù)目的80％-90％，占基板面積的70％-80％，這些可MEMS化來(lái)提高系統(tǒng)集成度及電學(xué)性能，但往往沒(méi)有現(xiàn)成的封裝可以利用，而SiP是一種很好的選擇，完成整個(gè)產(chǎn)品的組裝與最后封裝。
在MEMS封裝技術(shù)中，倒裝芯片互連封裝以其高I／O密度、低耦合電容、小體積、高可靠性等特點(diǎn)而獨(dú)具特色，可將幾個(gè)不同功能的MEMS芯片通過(guò)倒裝互連組裝在同一塊基板上，構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的系統(tǒng)。倒裝芯片正面朝下，朝下的光電MEMS可靈活地選擇需要接收的光源，而免受其他光源的影響。研究表明，通過(guò)化學(xué)鍍沉積柔性化凸點(diǎn)下金屬層UBM、焊膏印刷和凸點(diǎn)轉(zhuǎn)移在芯片上形成凸點(diǎn)的這一套工藝的設(shè)備要求不高， 町作為倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)用于力敏MEMS，尤其適合各研究機(jī)構(gòu)為MEMS開(kāi)發(fā)的單件小批量的倒裝芯片封裝。而使用光刻掩膜、電鍍和回流的方法形成凸點(diǎn)的UBM，卻適合工業(yè)化大批量生產(chǎn)的MEMS壓力傳感器。采用倒裝芯片互連技術(shù)的MEMS封裝已取得多方面進(jìn)展，成為研發(fā)熱點(diǎn)。
在實(shí)際應(yīng)用中，MEMS的封裝可能是采用多種技術(shù)的結(jié)合。嚴(yán)格地講，有些封裝技術(shù)并無(wú)明顯的差異和界定，另一些卻與微電子封裝密切相關(guān)或相似，高密度封裝、大腔體管殼與氣密封裝、晶片鍵合、芯片的隔離與通道、倒裝芯片、熱學(xué)加工、柔性化凸點(diǎn)、準(zhǔn)密封封裝技術(shù)等倍受關(guān)注。用于MEMS封裝的材料主要有陶瓷、金屬、鑄模塑料等數(shù)種，高可靠性產(chǎn)品的殼體大多采用陶瓷—金屬、陶瓷—玻璃、金屬—玻璃等結(jié)構(gòu)，各有特點(diǎn)，滿足MEMS封裝的特殊信號(hào)界面、外殼性能等要求。

4 MEMS封裝的應(yīng)用
MEMS是當(dāng)代國(guó)際矚日的重大科技探索前沿陣地之一，新研發(fā)的MEMS樣品不斷被披露出來(lái)，從敏感MEMS拓展到全光通信用光MEMS、移動(dòng)通信前端的RF-MEMS、微流體系統(tǒng)等信息MEMS。光MEMS包括微鏡陣列、光開(kāi)關(guān)、可變衰減器、無(wú)源互連耦合器、光交叉連接器、光分插復(fù)用器和波分復(fù)用器等，MEMS與光信號(hào)有著天然的親和力；RF-MEMS包括射頻開(kāi)關(guān)、可調(diào)電容器、電感器、諧振器、濾波器、移相器、天線等關(guān)鍵元器件；微流體系統(tǒng)包括微泵、微閥、微混合器、微流體傳感器等，可對(duì)微量流體進(jìn)行輸運(yùn)、組分分析和分離以及壓力、流量、溫度等參數(shù)的在線測(cè)控。MEMS正處在蓬勃發(fā)展時(shí)期，產(chǎn)業(yè)鏈和價(jià)值鏈的形成是需要鏈中各環(huán)節(jié)的共同努力和密切合作的，封裝不可缺位。

4.1 微加速度計(jì)
MEMS最成功的產(chǎn)品是微加速度計(jì)，通常由一個(gè)懸臂構(gòu)成，梁的一端固定，另一端懸掛著一個(gè)約10μg的質(zhì)量塊，由此質(zhì)量塊敏感加速度后，轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)C／V轉(zhuǎn)換、放大、相敏解調(diào)輸出。有的廠家月產(chǎn)達(dá)200萬(wàn)件，研發(fā)出20余種型號(hào)產(chǎn)品，主要用于汽車(chē)安全氣囊系統(tǒng)和穩(wěn)定系統(tǒng)的慣性測(cè)量，國(guó)際市場(chǎng)年需求量在1億件以上。在市場(chǎng)上較其他類(lèi)MEMS取得商業(yè)化快速進(jìn)展的原因是更適宜采用標(biāo)準(zhǔn)的IC封裝，提供一個(gè)相應(yīng)的微機(jī)械保護(hù)環(huán)境，無(wú)需開(kāi)發(fā)特殊的外殼結(jié)構(gòu)，從XL50圓型陶瓷封裝演進(jìn)到XL276型8腳陶瓷雙列直插式、XL202型14腳陶瓷表面貼裝式封裝，目前逐漸被更小的XL202E型8引腳陶瓷表面貼裝所取代，可耐高溫和強(qiáng)烈的機(jī)械振動(dòng)、酸堿腐蝕。Low-G系列產(chǎn)品采用流行的方形平面無(wú)引腳QFN-16封裝，有的采用16腳雙列直插式或單列直插式塑料封裝。采用MCM技術(shù)通常能在一個(gè)MEMS封裝中納入更復(fù)雜的信號(hào)調(diào)節(jié)功能芯片。

4.2 微陀螺儀
MEMS微陀螺儀多利用振動(dòng)來(lái)檢測(cè)旋轉(zhuǎn)的角速度信號(hào)，正加速研制高精度、低成本、集成化、抗高沖擊的產(chǎn)品，研究在芯片上制造光纖陀螺，小批量生產(chǎn)硅MEMS陀螺（俗稱芯片陀螺）和MEMS石英壓電速率陀螺，用于全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)精確制導(dǎo)的信號(hào)補(bǔ)償、汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)、飛行器、天線穩(wěn)定系統(tǒng)等。有采用無(wú)引線陶瓷芯片載體LCCC封裝、混合集成封裝、MCM封裝、單管殼系統(tǒng)封裝的微陀螺儀，將慣性傳感器與控制專用電路封裝為一體，要求內(nèi)部必須是真空氣密條件。

4.3 力敏傳感器
　　以MEMS技術(shù)為基礎(chǔ)的微型化、多功能化、集成化、智能化的力敏傳感器獲得商業(yè)化應(yīng)用。其中，硅MEMS壓力傳感器的使用最廣泛，基本工藝流程分為力敏彈性膜片（硅杯）和組裝兩大過(guò)程，在紐裝中如何避免附加應(yīng)力的產(chǎn)生是封裝工藝的關(guān)鍵，采用靜電封接獨(dú)具特色，將力敏彈性膜片與玻璃環(huán)通過(guò)靜電封接機(jī)封接為一體，形成膜片基體，背面接受壓力結(jié)構(gòu)增加膜片的固定支撐厚度，然后鍵合內(nèi)引線、粘結(jié)、焊外引線、老化處理、零點(diǎn)補(bǔ)償、密封、靜電標(biāo)定等完成整個(gè)封裝過(guò)程：封裝技術(shù)向低溫玻璃封接、激光硅—玻璃封接發(fā)展。

4.4 表面貼裝麥克風(fēng)
全球首款表面貼裝Si Sonic微型麥克風(fēng)的部件采用MEMS技術(shù)制造，并將其與一個(gè)CMOS電荷泵IC、兩個(gè)RF濾波電容集成在一個(gè)封裝中，組成一個(gè)表面貼裝器件。這種表面貼裝的封裝形式適合大批量自動(dòng)裝配生產(chǎn)，生產(chǎn)效率極大提高，而目前采用傳統(tǒng)電容式麥克風(fēng)ECM是手工貼裝，缺乏規(guī)模經(jīng)濟(jì)性。前者總體只有ECM的一半大小，投影面積是更小的8．61mm2，有望取代一直在便攜式應(yīng)用中占主導(dǎo)地位的ECM。

4.5 數(shù)字微鏡器件
數(shù)字微鏡器件DMD（DIGITAL Micromirror DEVICE）主芯片含有超過(guò)150萬(wàn)個(gè)能被精確控制、獨(dú)立轉(zhuǎn)動(dòng)的微鏡，可用于光通信及數(shù)字投影裝置、背投彩電等，其成像原理是由微鏡±10°的轉(zhuǎn)動(dòng)控制光信號(hào)通斷，透鏡成像并投影到屏幕上，優(yōu)勢(shì)是光效高、色彩豐富逼真、亮度易作到2000流明甚至更高、對(duì)比度2000：1、可靠性好、平均壽命約為50年，現(xiàn)銷(xiāo)售量超過(guò)300萬(wàn)套。DMD采用帶有透明窗口的密封封裝形式，用陶瓷作為基底，玻璃作為窗口，同時(shí)使用了吸氣劑，去除可能會(huì)對(duì)器件可靠性造成危害的濕氣、氫以及其他一些物質(zhì)微粒，其封裝能夠保證器件內(nèi)干燥、密封并有一個(gè)透明的窗口確保光路的暢通。

4.6 MEMS光開(kāi)關(guān)
用MEMS技術(shù)制作的光開(kāi)關(guān)是將光機(jī)械結(jié)構(gòu)、微制動(dòng)器、微光元件在同一基底上集成，具有傳統(tǒng)光機(jī)械開(kāi)關(guān)和波導(dǎo)開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，二維和三維MEMS光開(kāi)關(guān)已有商業(yè)化的產(chǎn)品面世，開(kāi)展對(duì)一維的研究，多采用組件或隔離密封式、模塊形式封裝，其典型代表為MEMS-5200系列交換模塊。有些產(chǎn)品能夠接受來(lái)自數(shù)十條光纖的輸入信號(hào)，并可將其路由到其他幾百條光纖中去，采用這種產(chǎn)品的主要理由是避免花費(fèi)昂貴、且難處理的大量光—電轉(zhuǎn)換和電—光轉(zhuǎn)換，要達(dá)到這一目的，就要求，于關(guān)與光纖以及其他器件之間進(jìn)行幾百次甚至幾千次的連接，采用同光纖相適應(yīng)的封裝，封裝及接頭技術(shù)甚至比MEMS還新穎，并要盡可能減小溫度、濕度、振動(dòng)以及其他環(huán)境因素對(duì)封裝光開(kāi)關(guān)的影響。MEMS光開(kāi)關(guān)市場(chǎng)上尚缺乏共同的封裝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，因批量小、技術(shù)難度大而價(jià)格特別昂貴，封裝工藝、封裝材料、性能測(cè)試等的不斷改進(jìn)是熱點(diǎn)關(guān)注的話題。封裝技術(shù)還需要更大的發(fā)展，才能充分體現(xiàn)出MEMS光開(kāi)關(guān)在全光網(wǎng)中可擴(kuò)展地完成各種光交換的關(guān)鍵作用的特性。

4.7 RF-MEMS
RF-MEMS可彌補(bǔ)CMOS工藝的不足，MEMS技術(shù)制作的無(wú)源元件有益于系統(tǒng)集成度與電學(xué)性能的提高、成本降低，成為國(guó)際頂級(jí)半導(dǎo)體廠商拓展硅芯片應(yīng)用范圍的研發(fā)方向。RF-MEMS開(kāi)關(guān)的實(shí)用化獲得相當(dāng)大的進(jìn)展，往往沒(méi)有現(xiàn)成的封裝可以直接使用，因而需尋求解決方案，SIP首當(dāng)其沖。SIP從RF-MEMS設(shè)計(jì)階段即考慮封裝問(wèn)題，無(wú)源元件的集成方式、封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、封裝工藝流程、系統(tǒng)內(nèi)芯片間的互連、封裝材料的選擇等尤為關(guān)鍵。SIP中內(nèi)含表面安裝器件、集成式無(wú)源元件、存儲(chǔ)器芯片、CMOS芯片、GaAs高性能功率放大器，在基板上可用高密度互連技術(shù)制作掩埋式無(wú)源元件、傳輸線等，簡(jiǎn)化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，降低寄生效應(yīng)與損耗，提高應(yīng)用頻率范圍，縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。

5 結(jié)束語(yǔ)
MEMS以及微光電子機(jī)械系統(tǒng)MOEMS、納米電子機(jī)械系統(tǒng)NEMS的研發(fā)為新的技術(shù)革命提供了大量機(jī)遇。不同的MEMS要求具體相應(yīng)的封裝結(jié)構(gòu)，封裝技術(shù)的特異性高，引發(fā)出大量的封裝問(wèn)題亟待解決。據(jù)國(guó)外權(quán)威統(tǒng)計(jì)公司SPC的統(tǒng)計(jì)，國(guó)內(nèi)MEMS的研究處于世界前八位，可批量生產(chǎn)MEMS力敏傳感器，研制成功MEMS光開(kāi)關(guān)、RF-MEMS開(kāi)關(guān)、微流體系統(tǒng)等多種原理樣品，從總體水平上看，與國(guó)外的差距主要體現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)化技術(shù)上。選擇一些應(yīng)用量大、面廣的MEMS及其封裝作為發(fā)展和市場(chǎng)切人點(diǎn)，形成產(chǎn)業(yè)，滿足市場(chǎng)需求，為發(fā)展其他MEMS打下基礎(chǔ)、摸索出規(guī)律，這樣就成功了一半。沒(méi)有一項(xiàng)MEMS的研發(fā)會(huì)漠視封裝技術(shù)，沒(méi)有封裝的跟進(jìn)是不現(xiàn)實(shí)的。
從國(guó)外發(fā)展趨勢(shì)看，MEMS的封裝類(lèi)別一般都沿用已經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)化的IC封裝結(jié)構(gòu)形式，或者加以改進(jìn)來(lái)適應(yīng)MEMS要求，力爭(zhēng)采用更多的現(xiàn)有IC封裝架構(gòu)實(shí)現(xiàn)MEMS的封裝。采用新型封裝結(jié)構(gòu)及其技術(shù)，建立MEMS封裝單元庫(kù)，注重成本的新封裝結(jié)構(gòu)與MEMS研發(fā)之間的進(jìn)一步整合，成為另一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。
在MEMS問(wèn)題上，若就其封裝展開(kāi)充分的探討，則各有各的方式，市場(chǎng)角逐要選擇對(duì)路產(chǎn)品，在市場(chǎng)引導(dǎo)下組建起MEMS的完整產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)侵档闷诖摹?br />