如何看待格羅方德來中國設(shè)工廠？

　　根據(jù)格羅方德公布的數(shù)據(jù)，22nm FD-SOI工藝的功耗比中芯國際目前掌握的28nm HKMG降低了70%，22nm FD-SOI擁有堪比14/16nm FinFET的性能和功耗，唯一的缺點就在于采用SOI工藝成本較高。因此，22nm FD-SOI并非落后技術(shù)，本次成都與格羅方德合資并非重復(fù)引進(jìn)淘汰產(chǎn)能。

　　何況SOI工藝在在傳感器、射頻芯片和物聯(lián)網(wǎng)方面頗具市場潛力。就以射頻芯片來說，由于在成本、集成度上的優(yōu)勢，RF-SOI已經(jīng)在手機射頻芯片的斬獲80%-90%的市場份額——采用RF-SOI可以使同一張硅芯片上可以實現(xiàn)更多邏輯與控制的集成，這就避免了采用GaAS(砷化鎵)技術(shù)必須采用單獨芯片控制GaAS芯片的情況。而且國內(nèi)華虹宏力已經(jīng)掌握了0.18um 200mm的RF-SOI量產(chǎn)技術(shù)，并實現(xiàn)在成本上優(yōu)于GaAS。

　　另外，SOI還具有了較高的跨導(dǎo)、降低的寄生電容、減弱的短溝效應(yīng)、較為陡直的亞閾斜率，與體硅電路相比，SOI電路的抗輻照強度提高了100倍。在高溫環(huán)境下，SOI器件性能明顯優(yōu)于體硅器件。

　　國內(nèi)對SOI工藝寄予一定希望

　　對于SOI工藝，國內(nèi)的一些其他動作還是比較值得關(guān)注和玩味的。在去年，上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司收購法國Soitec公司14.5%的股份(消息人士表示：如果不是國外政府限制，在商業(yè)談判時是打算實現(xiàn)中資控股的)。上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司由國家集成電路大基金和上海嘉定工業(yè)區(qū)等機構(gòu)共同出資成立。顯而易見，上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司很有可能是中國資本收購的海外半導(dǎo)體公司，獲取半導(dǎo)體技術(shù)的執(zhí)行者。

　　FD-SOI技術(shù)的確在跨導(dǎo)，高頻，低功耗，抗靜電等方面有顯著優(yōu)點，并且制程設(shè)計和流片上較為簡單，有利于縮短開發(fā)周期，但其硅晶片成本則明顯昂貴于Fin-FET晶片(這正是規(guī)模生產(chǎn)的邊際效益不足，導(dǎo)致的個體成本偏高，8寸SOI硅片甚至十倍價格于Fin-FET 的體硅片)。法國Soitec公司是一家設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的科技公司，擁有約3600項專利，其核心技術(shù)是FD-SOI技術(shù)。Soitec所掌握的SmartCut技術(shù)使其具備的生產(chǎn)全球最好的SOI硅片的技術(shù)實力，國際上其它SOI wafer供應(yīng)商SunEdison(MEMC)和日本信越SEH也是得益于SOITEC的SmartCut技術(shù)授權(quán)，因此，Soitec的技術(shù)實力是毋庸置疑的。

　　在收購達(dá)成之后，中方的IC設(shè)計廠商能夠通過格羅方德和三星的代工廠來獲得使用FD-SOI技術(shù)，同時Soitec公司還承諾如果未來中國大規(guī)模采用了這個技術(shù)，需要多少晶圓都可以提供。

　　在這里必須指出，中方的IC設(shè)計廠商能夠使用能夠通過格羅方德和三星的代工廠來獲得使用FD-SOI技術(shù)是非常有意義的。

　　目前，雖然國際上對采用ARM內(nèi)核的手機SoC芯片在境外代工廠流片沒有多大限制，比如華為海思麒麟、展訊的SoC都可以在臺積電流片。但對于國內(nèi)自主設(shè)計的CPU，如果要在臺積電流片，就必須使用代理穿馬甲(臺積電裝瞎賺錢)，這不僅大幅太高了芯片的成本，還非常不利于自主CPU的規(guī)?；a(chǎn)。

　　而如果中方的IC設(shè)計廠商能夠通過格羅方德的代工廠生產(chǎn)SOI工藝的芯片，而且Soitec公司充分保障晶圓供應(yīng)，這對國內(nèi)IC設(shè)計公司而言的確是一個好消息，比如采用ST 28nm SOI工藝流片的龍芯3A3000。雖然龍芯和ST保持了多年良好的合作，但多一個流片渠道不僅有利于提升龍芯的議價能力，更有利于保障流片渠道的穩(wěn)定性(此前多次發(fā)生因龍芯流片量小，而被嫌棄不得不排隊等檔期以致拉長研發(fā)周期的情況)。

　　對國內(nèi)企業(yè)是否會造成沖擊

　　目前，中芯國際是中國大陸晶圓代工企業(yè)的龍頭老大，在資金上得到了國家集成電路大基金的鼎立支持，已在上海、天津、深圳三地宣布擴產(chǎn)計劃，其中在上海和深圳啟動建設(shè)300毫米晶圓生產(chǎn)線，深圳廠預(yù)計2017年底投產(chǎn)，目標(biāo)產(chǎn)能為每月4萬片晶圓。

　　在商業(yè)上，相關(guān)部門積極協(xié)調(diào)，拉了高通、華為這樣的大客戶，而中芯國際的重要股東大唐電信，其麾下的聯(lián)芯也采用了28nm HKMG工藝量產(chǎn)手機芯片，這款芯片將會被用于小米旗下的某款智能手機。

　　在技術(shù)上，中芯國際也獲得了比利時微電子研究中心的支持，成立了合資公司開發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。按照計劃，中芯國際將在2018年實現(xiàn)14nm制造工藝的試生產(chǎn)。

　　作為中國大陸僅次于中芯國際之后實現(xiàn)28nm制造工藝的上海華力微電子，最近也是大動作連不斷，先是從臺灣聯(lián)電高薪聘請了50人的28nm工藝研發(fā)團(tuán)隊。在去年年底，投資387億元的300毫米生產(chǎn)線正式開工，預(yù)計在2022年前投產(chǎn)，月產(chǎn)能可達(dá)4萬片，工藝則涵蓋28nm、20nm、14nm，可以滿足國內(nèi)IC設(shè)計公司對先進(jìn)芯片制造工藝的需求。

　　而格羅方德只不過在2018年導(dǎo)入22nm SOI工藝，一切順利的話，投產(chǎn)要到2019年。因此，對于中芯國際的威脅遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如臺積電來得大，而且中芯國際的14nm FinFET工藝也比格羅方德的22nm SOI工藝更加主流，而這意味著中芯國際可以有機會獲得更多的訂單。而臺積電也在南京開啟了16nm產(chǎn)線，計劃2019年就到達(dá)預(yù)計產(chǎn)能，因此格羅方德在華投資既沒有必要在Fin-FET領(lǐng)域，也難以對大陸既有的Fin-FET企業(yè)造成威脅，反而對格羅方德推動SOI技術(shù)生態(tài)和產(chǎn)業(yè)鏈完整化更為重要，半導(dǎo)體行業(yè)的規(guī)模效應(yīng)尤為突出，產(chǎn)業(yè)規(guī)模越大，成本才能越低。因此成都的SOI兩期工程，第一期RF-SOI低風(fēng)險進(jìn)度快，關(guān)鍵在第二期的22nm SOI，如果順利實施，有助于完善SOI生態(tài)，降低成本，以及讓SOI技術(shù)得到更多的市場份額，屆時中國將成為SOI技術(shù)較為成熟的國家。因此格羅方德在成都的投資，對于國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)來說，更象一種兩面下注，既是技術(shù)補充(畢竟在RF等領(lǐng)域有明顯優(yōu)勢)，又能在Fin-FET與SOI的競爭中成為對沖。

　　該合資公司的成立很有可能是與海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司收購法國Soitec公司股份是一脈相承的，國內(nèi)可以借此機會實現(xiàn)中國大陸對SOI工藝相關(guān)技術(shù)的掌握。