連續(xù)四年成長！明年全球晶圓廠設(shè)備投資額年增7.5%達(dá)675億美元

　　SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)今(18)日公布最新“全球晶圓廠預(yù)測報告”(World Fab Forecast Report)指出，今(2018)年全球晶圓廠設(shè)備投資將增加14%，達(dá)628億美元，而明(2019)年可望成長7.5%，達(dá)675億美元，為連續(xù)四年成長，并創(chuàng)下歷年晶圓廠設(shè)備投資金額最高的記錄。同時，新晶圓廠建設(shè)投資正邁向新高，預(yù)估將維持連續(xù)四年成長，明年建廠相關(guān)投資將逼近170億美元大關(guān)。

　　SEMI指出，因新晶圓廠陸續(xù)啟動，設(shè)備需求因而大幅增加，投資在晶圓廠技術(shù)、生產(chǎn)制程和額外的產(chǎn)能資本額也將有所增長。“全球晶圓廠預(yù)測報告”目前共追蹤78座已經(jīng)或要在2017年到2020年間動工的新設(shè)晶圓廠和產(chǎn)線，預(yù)估在這段期間相關(guān)晶圓廠設(shè)備需求最終將超過2,200億美元;而此期間這些晶圓廠和產(chǎn)線的建廠投資金額可望達(dá)530億美元。而在2017年到2020年間動工的78座晶圓廠和產(chǎn)線當(dāng)中，有59處已于2017年和2018年開始興建，另有19座則可望在2019年和2020年動工。

　　而從國家及地區(qū)排名來看，SEMI指出，韓國晶圓廠設(shè)備投資達(dá)630億美元，位居第一;中國大陸以620億元位居第二，中國臺灣則以400億美元拿下第三名，其次為日本的220億美元，以及美洲地區(qū)的150億美元;歐洲和東南亞則并列第六，投資金額分別為80億美元。上述晶圓廠中有60%屬于存儲器，而存儲器中又以3D NAND占比最高，其余約30%為晶圓代工。