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ASML凈銷售額75億歐元，凈利潤為21億歐元，預計2024年全年凈銷售額約為280億歐元

  • 阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財報。2024年第三季度，ASML實現(xiàn)凈銷售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤達21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預計2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預計，2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽（除非特別說明，數(shù)字均以百萬歐元
  • 關鍵字： ASML  EUV  光刻機  

英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心

  • IT之家 9 月 3 日消息，日經(jīng)報道稱，英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設施將在三到五年內(nèi)建成，配備極紫外線光刻（EUV）設備。▲ 圖源：英特爾設備制造商和材料公司將付費使用該設施進行原型設計和測試。據(jù)介紹，這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。IT之家查詢獲悉，產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所隸屬經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省，是日本一家設法使用集成科學和工程知識來解決日本社會和經(jīng)濟發(fā)展需要的研究機構，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構的一個新設計的法律機構。
  • 關鍵字： 英特爾  AIST  芯片  EUV  

imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構

  • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結(jié)構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
  • 關鍵字： imec  High-NA  EUV  DRAM  

極紫外光刻新技術問世，大幅降本增效

  • 日本沖繩科學技術大學院大學設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業(yè)的標準界限。
  • 關鍵字： EUV  

臺積電不用當盤子了？日本開發(fā)出更便宜EUV 撼動芯片業(yè)

  • 荷商艾司摩爾（ASML）是半導體設備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據(jù)《Tom's Hardware》報導，日本科學家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報導指出，沖繩科學技術學院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機，相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設備大規(guī)模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關注的是，新系統(tǒng)在光學投影設定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
  • 關鍵字： 臺積電  EUV  ASML  

價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

  • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
  • 關鍵字： Intel  High NA EUV  光刻機  晶圓  8納米  

臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時間未定

  • IT之家 7 月 30 日消息，《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。對此，臺積電海外營運資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8
  • 關鍵字： 臺積電  ASML  光刻機  EUV  

臺積電大舉拉貨EUV光刻機

  • 臺積電依然是 EUV 設備的最大買家。臺積電 2nm 先進制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn)，設備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關鍵，今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV，總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續(xù)擴充之下，ASML 2025 年交付數(shù)量增長將超過 3 成，臺廠供應鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。設備廠商透露，EUV 設備供應吃緊，交期長達 16~20
  • 關鍵字： EUV  

EUV 的單次曝光與多次曝光的進步

  • 在過去的五年中，EUV 模式設計取得了長足的進步，但高 NA EUV 又重現(xiàn)了舊的挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： EUV  ASML  

ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
  • 關鍵字： ASML  Hyper-NA EUV  光刻機  臺積電  三星  英特爾  

獨擁四大連續(xù)制程設備 TEL成EUV出貨大贏家

  • 國際設備大廠東京威力科創(chuàng)（TEL）為全球唯一擁有沉積、涂布／顯影、蝕刻、清洗四大連續(xù)制程設備之公司，是晶圓片進入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出，隨著芯片設計演進，蝕刻技術不斷朝著3D化方向演進，垂直堆棧發(fā)展、更有效利用空間，然而堆棧層數(shù)的增加，在成膜次數(shù)跟蝕刻時間、次數(shù)也會隨之增加，所需的機臺數(shù)量同步成長。 EUV大廠擁有近乎100％市占率，TEL在涂布／顯影與之緊密配合，同樣近乎獨占；換言之，只要EUV出貨，TEL亦將同步受惠。TEL更透露，早已在臺設置研發(fā)中心，近期更會擴增潔凈室規(guī)模
  • 關鍵字： 制程設備  EUV  TEL  

臺積電EUV大舉拉貨 供應鏈集體狂歡

  • 臺積電2納米先進制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn)，設備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之EUV（極紫外光曝光機）至為關鍵，今明兩年共將交付超過60臺EUV，總投資金額上看超過4,000億元。在產(chǎn)能持續(xù)擴充之下，ASML2025年交付數(shù)量成長將超過3成，臺廠供應鏈沾光，其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設備業(yè)者透露，EUV機臺供應吃緊，交期長達16至20個月，因此2024年訂單大部分會于后年開始交付；據(jù)法人估計，今年臺積電EUV訂
  • 關鍵字： 2納米  先進制程  ASML  EUV  臺積電  

改變?摩爾定律的未來是粒子加速器嗎？

  • 位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術可能會更便宜、更快、更高效。
  • 關鍵字： 摩爾定律  粒子加速器  EUV  光刻技術  

ASML市值超車LVMH，成為歐洲第二大上市公司

  • 最新 EUV 設備的銷售情況對 ASML 的市值產(chǎn)生了明顯影響。
  • 關鍵字： EUV  ASML  

可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了

  • 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數(shù)值只有0.33，對應產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
  • 關鍵字： ASML  光刻機  高NA EUV  0.2nm  
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