3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
關(guān)鍵字：長江存儲 3D NAND

中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達(dá)1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
關(guān)鍵字：存儲芯片 DRAM NAND Flash

長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
關(guān)鍵字：長江存儲 3D NAND

2022半導(dǎo)體儲存器市場調(diào)研半導(dǎo)體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

　　國內(nèi)半導(dǎo)體儲存器行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲存器市場調(diào)研半導(dǎo)體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析　　國內(nèi)開始布局存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?，中國大陸的存儲器公司陸續(xù)成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)存儲器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機遇。　　半導(dǎo)體儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
關(guān)鍵字：存儲 DRAM 市場

TrendForce：DRAM原廠降價意愿提高第三季跌至近10%

根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價強勢，并未出現(xiàn)降價求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格
關(guān)鍵字： TrendForce DRAM

存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
關(guān)鍵字：長江存儲 3D NAND

中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
關(guān)鍵字：長江存儲 3D NAND

國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預(yù)計年底量產(chǎn)

頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
關(guān)鍵字：長江存儲 3D NAND

TrendForce：第三季DRAM價格預(yù)估下跌3～8％

據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便
關(guān)鍵字： TrendForce DRAM

imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動2D/3D IC升級

比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線 3D IC

英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求，以及實現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
關(guān)鍵字： 3D 圖像傳感器

英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強現(xiàn)實（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應(yīng)用而設(shè)計，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
關(guān)鍵字： 3D s深度傳感

SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM

SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存
關(guān)鍵字： SK海力士英偉達(dá) HBM3 DRAM

3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
關(guān)鍵字： DRAM 3D DRAM 華為三星美光制程納米

利基型DRAM持續(xù)擴產(chǎn) 華邦電搶攻AIoT、元宇宙

內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn)，為長遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
關(guān)鍵字： DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙