3d dram 文章 進入3d dram技術(shù)社區(qū)
韓國芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價甩賣:SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱,芯片出口的多少,直接關(guān)系著幾大財團的營收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道,消費電子產(chǎn)品需求下滑,導(dǎo)致對芯片的需求下滑,尤其是存儲芯片,需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設(shè)備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是,全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬部,這也
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美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲引擎
- IT之家 11 月 20 日消息,2020 年初,美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計的開源存儲引擎 HSE,這是一款快速鍵值存儲數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相,不再依賴于對 Linux 內(nèi)核的修改,改為完全基于用戶空間的解決方案。本周,美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲引擎,帶來了更多功能改進。據(jù)介紹,HSE 3.0 改進了數(shù)據(jù)管理,提高了各種重要工作負載的性能。此外,HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵(例如時間序列數(shù)據(jù))的工作負載、多客戶端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
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大聯(lián)大世平集團推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案
- 2022年11月16日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于耐能(Kneron)KL520芯片的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案的展示板圖 在現(xiàn)代化經(jīng)濟建設(shè)和智能管理的驅(qū)動下,人工智能門禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個特殊情境下,各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機關(guān)等單位,對于多功能智能門禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢下,大
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Arm Immortalis 實現(xiàn) 3D 游戲新境界
- 新聞重點· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案,Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤,將為高級移動游戲提供超真實的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎(chǔ)可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布,MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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芯片巨頭美光:成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布,采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證,并做好了量產(chǎn)準備?! ?β工藝可將能效提高約15%,存儲密度提升35%以上,單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關(guān)注的點是,美光稱,1β繞過了EUV(極紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)?! ∵@意味著相較于三星、SK海力士,美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟,DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力,各公司目
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機構(gòu)預(yù)計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB,首次超過移動設(shè)備
- 11 月 2 日消息,據(jù)國外媒體報道,受電子消費品續(xù)期下滑影響,當前全球存儲芯片市場并不樂觀,DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑,三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績,也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀,但部分領(lǐng)域的需求,卻在不斷增長。研究機構(gòu)在最新的報告中就表示,服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長,在今年有望首次超過智能手機、平板電腦等移動設(shè)備對 DRAM 的需求。研究機構(gòu)在報告中預(yù)計,今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求,會達到 684.86 億 GB,智能手機、平板
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功率效率提高15%,美光1β DRAM樣本出貨
- 當?shù)貢r間11月1日,美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴,并已通過世界上最先進的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準備。據(jù)官方介紹,美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨,此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%,每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示,隨著LPDDR5X的出樣,移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益,提升新一代智能手機的性能的同時,消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示,新版
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美光出貨全球最先進的1β技術(shù)節(jié)點DRAM
- 2022年11月2日——中國上?!獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證,并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升,將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用,基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存:采用先進 1β 工藝,15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息,美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存,采用先進 1β 工藝,正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹,美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨,現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱,最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升,每個 die 容量為 16Gb。美光表示,隨著 LPDDR5X 的出樣,移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益,提升新一代智能手機的性能的同時,消
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SK海力士:未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃
- 近日,SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注,對此,SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上,針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運營受困的各種假想情境,作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中,“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù),SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外,針對美國對芯片設(shè)備出口的管制,SK海力士表示,
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺積電10月27日宣布,成立開放創(chuàng)新平臺(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù),使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
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西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路(IC)關(guān)鍵可測試性設(shè)計(DFT)。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升,IC設(shè)計界也面臨著嚴苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu),以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個晶粒,使其能夠作為單一組件運作。但是,這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn),因為大部分傳統(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn),西門子推出Tess
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