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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

  • 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強(qiáng)?平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴(kuò)展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬?？蓴U(kuò)展內(nèi)存（Memory Expander）“作
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DRAM迎來3D時(shí)代？

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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DDR5 Server DRAM 價(jià)格跌幅將收斂

  • 集邦咨詢預(yù)估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價(jià)格跌幅將收斂，由原預(yù)估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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先進(jìn)封裝推動(dòng) NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

  • 先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
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SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

  • 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲(chǔ)器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場(chǎng)，以滿足
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利基型DRAM市場(chǎng)Q2回穩(wěn)

  • 據(jù)媒體報(bào)道，盡管消費(fèi)性電子應(yīng)用需求復(fù)蘇緩慢，但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價(jià)格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)、制造與銷售公司，其產(chǎn)品包括利基型存儲(chǔ)器（Specialty DRAM）、行動(dòng)存儲(chǔ)器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價(jià)格上看，在NAND Flash方面，此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調(diào)查指出，即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服
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2023年內(nèi)存芯片趨勢(shì)

  • 2023 年，存儲(chǔ)芯片的跌勢(shì)仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
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第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%，仍不見止跌訊號(hào)

  • TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應(yīng)商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%，預(yù)估第二季跌幅會(huì)收斂至10~15%。不過，由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確，DRAM均價(jià)下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生，后續(xù)合約價(jià)才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面，由于買方已連續(xù)三季大減采購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
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DRAM市況何時(shí)回溫？存儲(chǔ)廠商這樣說

  • 當(dāng)前，由于消費(fèi)電子市場(chǎng)需求持續(xù)疲弱，當(dāng)前存儲(chǔ)器賣方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探。為避免存儲(chǔ)器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價(jià)，多家供應(yīng)商已經(jīng)開始積極減產(chǎn)，盡管2023年第一季價(jià)格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢?nèi)灶A(yù)估當(dāng)季DRAM價(jià)格跌幅將達(dá)13~18%，NAND Flash均價(jià)跌幅為10~15%。對(duì)于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉(zhuǎn)南亞科總經(jīng)理李培英認(rèn)為，受高通貨膨脹與供應(yīng)鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
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內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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三大存儲(chǔ)模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景

  • 存儲(chǔ)模組大廠威剛認(rèn)為，以供給面而言，DRAM供給相對(duì)單純且市場(chǎng)庫存水位較低，看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費(fèi)性需求尚未全面復(fù)蘇，第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力，但存儲(chǔ)器中下游業(yè)者庫存調(diào)整已歷經(jīng)近一年時(shí)間，并也降至相對(duì)健康水位，因此只要存儲(chǔ)器價(jià)格明確落底，市場(chǎng)備貨需求將可望快速啟動(dòng)，加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預(yù)估，第一季營收走勢(shì)可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認(rèn)為，DRAM上半年仍會(huì)處于供過于求，但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
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外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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3d dram介紹

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