3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
關(guān)鍵字： NAND 3D NAND

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
關(guān)鍵字：晶體管 3D 晶體管 FinFET

DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展

高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
關(guān)鍵字： DRAM

基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
關(guān)鍵字： 3D 打印機(jī) NXP LPC5528

三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來拐點(diǎn)。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績低迷，負(fù)責(zé)人雙雙被換

IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個(gè)韓國媒體報(bào)道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負(fù)責(zé)人，被解讀為“彌補(bǔ)今年上半年存儲(chǔ)半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷、強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術(shù)開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負(fù)責(zé)人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí)，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)半導(dǎo)體中 DRAM 開發(fā)的部門負(fù)責(zé)人也被更換，由原本擔(dān)任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相?。℉wang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HB
關(guān)鍵字：三星 DRAM

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì)展中心舉辦的 2023中國（上海）機(jī)器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
關(guān)鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像

DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)？

6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結(jié)合并營收為新臺(tái)幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準(zhǔn)。累計(jì)前5月合并營收為新臺(tái)幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國臺(tái)灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預(yù)期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認(rèn)為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來各種消費(fèi)型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
關(guān)鍵字： DRAM TrendForce

韓媒：三星已組建開發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM

5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報(bào)道稱，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說工藝難點(diǎn)頗多。不過三星認(rèn)為，與SK海力士和美
關(guān)鍵字：三星 4F2結(jié)構(gòu) DRAM

不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開發(fā) 4F2 DRAM

IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
關(guān)鍵字：三星 DRAM

DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個(gè)季度衰退

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價(jià)三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價(jià)格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預(yù)期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機(jī)備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價(jià)（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
關(guān)鍵字： DRAM TrendForce

需求好轉(zhuǎn)？兩家存儲(chǔ)廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單

受消費(fèi)電子市場需求疲弱影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”，加上今年一季度為市場淡季，供過于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市況如何？未來是否將有所好轉(zhuǎn)？近期，南亞科、華邦電兩家存儲(chǔ)廠商對此進(jìn)行了回應(yīng)。南亞科：庫存逐步去化，部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單近期，媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點(diǎn)，在需求與供應(yīng)端改善下，庫存正逐步去化，預(yù)期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應(yīng)用需求趨勢，南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)廠商 DRAM

存儲(chǔ)進(jìn)入筑底階段？

伴隨存儲(chǔ)芯片價(jià)格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來越熱。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)芯片 DRAM

三星電子宣布12納米級(jí) DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
關(guān)鍵字：三星電子 12納米 DDR5 DRAM

功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
關(guān)鍵字：三星 DDR5 DRAM