3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM

2022年5月10日，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠(chǎng)商，三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器（CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開(kāi)發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級(jí)版本，以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM

NVIDIA透過(guò)人工智能將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場(chǎng)景

當(dāng)人們?cè)?5年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機(jī)拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項(xiàng)以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫(huà)面的創(chuàng)舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項(xiàng)稱(chēng)為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程，利用 AI 來(lái)預(yù)估光線(xiàn)在真實(shí)世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
關(guān)鍵字： 3D CPU GPU NVIDIA

第二季度DRAM跌幅估縮小

根據(jù)市調(diào)預(yù)估，第二季整體DRAM平均價(jià)格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買(mǎi)賣(mài)雙方庫(kù)存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機(jī)等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來(lái)源，故整體第二季DRAM仍有供過(guò)于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)影響，引發(fā)PC OEM對(duì)第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標(biāo)，然而整體供給位卻仍在增長(zhǎng)，故第二季PC DRAM價(jià)格跌幅達(dá)3～8％，且可能會(huì)進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
關(guān)鍵字： DRAM 集幫咨詢(xún)

適用于 TMAG5170 SPI 總線(xiàn)接口、高精度線(xiàn)性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評(píng)估模塊

TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺(tái)，用于評(píng)估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評(píng)估模塊 (EVM) 包含圖形用戶(hù)界面 (GUI)，用于讀取和寫(xiě)入寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過(guò)單個(gè)器件測(cè)試角度測(cè)量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫(xiě)入器件寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過(guò)常見(jiàn)的 micro-USB 連接器充電
關(guān)鍵字：精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器霍爾效應(yīng)傳感器 3D

三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)上驗(yàn)證使用

今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗(yàn)證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)。自去年11月開(kāi)發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來(lái)，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動(dòng)平臺(tái)。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
關(guān)鍵字：三星 LPDDR5X DRAM 高通驍龍

摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù)：3D堆疊技術(shù)或許是答案

按照摩爾定律進(jìn)一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來(lái)越大，半導(dǎo)體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數(shù)級(jí)攀升，因此，業(yè)界開(kāi)始向更多方向進(jìn)行探索。
關(guān)鍵字：摩爾定律 3D 堆疊技術(shù)

雙目立體賦能3D機(jī)器視覺(jué)，銀牛攜芯片模組登陸中國(guó)市場(chǎng)

1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個(gè)技術(shù)方向：雙目立體，結(jié)構(gòu)光，飛行時(shí)間（ToF），結(jié)構(gòu)光起步比較早，但是技術(shù)的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢(shì)頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結(jié)構(gòu)光二者都用了三角測(cè)距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點(diǎn)，來(lái)計(jì)算對(duì)象物深度的數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)光需要有一個(gè)發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對(duì)象物體再反射回來(lái)來(lái)計(jì)算這個(gè)深度。結(jié)構(gòu)光的弱點(diǎn)是在室外時(shí)，結(jié)構(gòu)光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
關(guān)鍵字： 3D 雙目深度

微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
關(guān)鍵字： DRAM 微結(jié)構(gòu)

美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預(yù)
關(guān)鍵字：美光 EUV DRAM

TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%

根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫(kù)存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢(shì)。賣(mài)方積極調(diào)節(jié)手上庫(kù)存，持續(xù)降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂(yōu)長(zhǎng)短料問(wèn)題而大量備料，使DRAM庫(kù)存已達(dá)高水位，庫(kù)存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
關(guān)鍵字： TrendForce PC DRAM

三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門(mén)將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類(lèi)用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！　〉聦?shí)證明，這家韓國(guó)巨頭可能還不滿(mǎn)足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存 DRAM DDR5

EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程

SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
關(guān)鍵字： EUV DRAM

SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM

SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuān)為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
關(guān)鍵字： SK海力士 10納米 DRAM

AMD推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展首款3D chiplet應(yīng)用亮相

AMD展示了最新的運(yùn)算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果，以加速推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展，涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運(yùn)算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術(shù)；與業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商特斯拉和三星合作，擴(kuò)大了AMD運(yùn)算與繪圖技術(shù)在汽車(chē)與手機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用；新款A(yù)MD Ryzen處理器瞄準(zhǔn)狂熱級(jí)玩家與消費(fèi)性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來(lái)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐展示AMD全新3D chi
關(guān)鍵字： AMD 3D chiplet Ryzen

美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線(xiàn)上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車(chē)應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過(guò)內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一
關(guān)鍵字：美光 176層NAND 1α DRAM