3d dram 文章 進入3d dram技術(shù)社區(qū)

三星加快部署3D芯片封裝技術(shù) 希望明年同臺積電展開競爭

• 據(jù)國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術(shù)，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術(shù)的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術(shù)的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術(shù)名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術(shù)，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術(shù)來
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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

• 據(jù)臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應(yīng)用嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設(shè)備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節(jié)
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第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案

• 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標(biāo)前進。而實現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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打破國外壟斷，全國產(chǎn)3D芯片為機器人“點睛”

從原子的物理世界到0和1的數(shù)字世界，3D視覺“感知智能”技術(shù)是第一座橋梁。我國放量增長的工業(yè)級、消" />

• 傳統(tǒng)機器人只有“手”，只能在固定好的點位上完成既定操作，而新一輪人工智能技術(shù)大大推動了機器和人的協(xié)作，這也對機器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測量、抓取、移動和避讓物體，機器人首先需要對周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知，而3D視覺芯片可以引導(dǎo)機器人完成上述復(fù)雜的自主動作，它相當(dāng)于機器人的”眼睛”和”大腦”。近日，中科融合感知智能研究院（蘇州工業(yè)園區(qū)）有限公司（以下簡稱中科融合）的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片，已經(jīng)在國內(nèi)一家芯片代工廠進入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經(jīng)進入批
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SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

• 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

• SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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Melexis 推出汽車級 3D 霍爾效應(yīng)傳感器 IC

• 微電子半導(dǎo)體解決方案全球供應(yīng)商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計節(jié)點，這是一款汽車級 (AEC-Q100) 單片傳感器 IC，可利用霍爾效應(yīng)提供三維無接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實現(xiàn)冗余，適用于要求苛刻的場景，例如汽車應(yīng)用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過系統(tǒng)處理器定義，而不是硬連線到器件本身。就位置傳感的適用性而言，該產(chǎn)品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口，可輕松在汽車或工業(yè)控制環(huán)境中集成。
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國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作

• 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設(shè)。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導(dǎo)，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)

• 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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三星一季度全球DRAM市場份額超過40% 但銷售額有下滑

• 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

• 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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長江存儲：128層3D NAND技術(shù)會按計劃在今年推出

• 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。▲長江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

• 從20nm技術(shù)節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設(shè)計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計中漏電流造成的問題也會導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計中至關(guān)重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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三星首次將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

• 據(jù)ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
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