EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cxl dram
cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區(qū)
TrendForce:原廠控制產(chǎn)出,2017年DRAM價(jià)格止跌回穩(wěn)露曙光
- DRAM產(chǎn)業(yè)因長(zhǎng)期需求不振,合約價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)19個(gè)月的跌幅趨勢(shì)。今年五月底DDR4合約均價(jià)為1.31美元,而DDR3僅1.25美元,各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示,第三季個(gè)人電腦(PC)將進(jìn)入出貨高峰、中國(guó)品牌智能手機(jī)出貨持續(xù)走揚(yáng),再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動(dòng)能,將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外,各家DRAM供貨商對(duì)于制程轉(zhuǎn)進(jìn)的態(tài)度趨于
- 關(guān)鍵字: TrendForce DRAM
NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康
- 蘋果iPhone 7已展開備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等,預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。 創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤態(tài)勢(shì)成形,SSD需求強(qiáng)勁,儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長(zhǎng)陳立白日
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
威剛:DRAM軍備賽三星帶頭喊卡 2年半空頭市場(chǎng)將走完
- 臺(tái)存儲(chǔ)器模組廠威剛董事長(zhǎng)陳立白指出,觀察國(guó)際龍頭大廠動(dòng)向,全球DRAM軍備競(jìng)賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節(jié)制資本支出的情況下停止,預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格在2016年第2季落底,9月前后DRAM景氣將好轉(zhuǎn),為期兩年半的DRAM空頭市場(chǎng)將走完。 陳立白認(rèn)為,三星在DRAM的資本支出上踩煞車,影響接近45%的供貨,接下來(lái)就要看SK海力士的態(tài)度,如果海力士也認(rèn)同避免軍備競(jìng)賽的移動(dòng),開始節(jié)制資本支出,對(duì)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)就是美事一樁。 據(jù)臺(tái)存儲(chǔ)器模組業(yè)者表示,SK海力士新董事長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字: 威剛 DRAM
三星海力士DRAM市場(chǎng)占有率繼續(xù)增長(zhǎng) 營(yíng)收不增反降
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。 盡管如此,受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊,三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。 SK海力士狀況類似,市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn),但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來(lái)卻較前期倒退23.1%,成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率,從去年第四
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM
三星+海力士移動(dòng)DRAM逼近九成,美光瀕臨淘汰
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr) 盡管如此,受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊,三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。 SK海力士狀況類似,市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn),但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來(lái)卻較前期倒退23.1%,成為9.03
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
美光漲逾7%!應(yīng)材估DRAM資本支出降溫、三星傳縮手
- 半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營(yíng)收預(yù)估值擊敗分析師預(yù)估,帶動(dòng)20日股價(jià)跳漲13.81%、收22.66美元,漲幅不但居費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股30支成分股之冠,收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來(lái)收盤新高。 美國(guó)記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元,創(chuàng)4月28日以來(lái)收盤新高。TheStreet.com 20日?qǐng)?bào)導(dǎo),應(yīng)材在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上指出,投資活動(dòng)逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃記憶體
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,第一季全球DRAM總產(chǎn)值環(huán)比衰退16.6%
- TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,受到市況持續(xù)供過(guò)于求、平均銷售單價(jià)下降影響,2016年第一季全球DRAM總產(chǎn)值為85.6億美元,環(huán)比衰退16.6%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第一季為傳統(tǒng)淡季,除中國(guó)市場(chǎng)的智能手機(jī)略有庫(kù)存回補(bǔ)的需求以外,筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修,導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)象更為明顯。 三星營(yíng)收持續(xù)摘冠,美光集團(tuán)開始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn) 三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,第一季營(yíng)收雖下跌16.6%,
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
DIGITIMES專欄:三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn),DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三星于DRAM 18納米制程將運(yùn)用自動(dòng)對(duì)位QPT(Self A
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
福建晉華攜手聯(lián)電 開發(fā)制程DRAM技術(shù)
- 晶圓代工廠聯(lián)電昨天宣布,與中國(guó)大陸福建官方投資的晉華集成電路,簽署技術(shù)合作協(xié)議,由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。 聯(lián)電強(qiáng)調(diào),所開發(fā)技術(shù)將應(yīng)用于利基型DRAM生產(chǎn),但該公司沒(méi)有要進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。外界解讀,聯(lián)電現(xiàn)階段雖然僅投入利基型記憶體技術(shù)開發(fā),未來(lái)視兩岸政策與市場(chǎng)情況,說(shuō)不定將進(jìn)入相關(guān)代工領(lǐng)域。 聯(lián)電表示,這次的合作協(xié)議結(jié)合臺(tái)灣的半導(dǎo)體制造能力,及中國(guó)大陸的市場(chǎng)與資金,在臺(tái)灣進(jìn)行技術(shù)研發(fā)。雙方合作開發(fā)的技術(shù),主要應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn),不僅能提供國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司使用,也能結(jié)合
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 DRAM
大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖
- 工研院 IEK認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行,未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。 聯(lián)電接受中國(guó)大陸福建省晉華集成電路委托,開發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù),引起各界關(guān)注。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長(zhǎng)楊瑞臨認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國(guó)大陸發(fā)展DRAM似乎已勢(shì)在必行。 楊瑞臨指出,中國(guó)大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展,除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外,還有武漢新芯,中芯也傳將重操舊業(yè),
- 關(guān)鍵字: DRAM 海力士
三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18奈米制程為其投資重點(diǎn),DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三 星于DRAM 18奈米制程將運(yùn)用自動(dòng)對(duì)位QPT(Self
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國(guó)三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額,甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個(gè)人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機(jī)增長(zhǎng)放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。 高通曾表示,第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降65%,這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jī)。 將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星,也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會(huì)下降,一些分析師預(yù)測(cè)1-
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減
- 三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示,拜韓圜相對(duì)于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營(yíng)益預(yù)估因而增加0.4兆韓圜,主要反映在零件事業(yè)盈余數(shù)據(jù)上。 三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜,半導(dǎo)體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預(yù)算、但預(yù)估將略高于2015年水準(zhǔn)。 三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強(qiáng)勁需求帶動(dòng)下可望攀高。DRAM資本支出預(yù)計(jì)將依照市場(chǎng)供需變化彈性調(diào)整、目前初估將低于去年水準(zhǔn)。
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
請(qǐng)注意,這14類IC今年會(huì)增長(zhǎng)迅速
- 市場(chǎng)研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預(yù)測(cè)報(bào)告發(fā)布更新,在該報(bào)告統(tǒng)計(jì)的33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類別中,有14項(xiàng)產(chǎn)品類別在今年的成長(zhǎng)率將超過(guò)2%,尤其是手機(jī)應(yīng)用處理器MPU與訊號(hào)轉(zhuǎn)換IC的成長(zhǎng)幅度居冠。 ICInsights的《2016McCleanReport》預(yù)測(cè)33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類別在2020年以前的市場(chǎng)成長(zhǎng)。如圖1列出33項(xiàng)主要的IC產(chǎn)品類別,分別以更新的2016年成長(zhǎng)率排名。ICInsights預(yù)測(cè),今年將有14項(xiàng)產(chǎn)品類別的成長(zhǎng)幅度超過(guò)2%—
- 關(guān)鍵字: IC DRAM
cxl dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cxl dram的理解,并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cxl dram的理解,并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473