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武漢新芯12寸DRAM廠 28日動工

  • 　　大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 　　這是繼紫光集團進軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動全球記憶體板塊移動，業(yè)界高度關(guān)注 。 　　業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價
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SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動能

  • 　　SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”(SEMIWorldFabForecast)報告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預期將增加3.7%，達372億美元，而2017年則將再成長13%，達421億美元。另方面，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。 　　SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”報告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
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大陸臺灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國最大DRAM廠

  • 　　還記得「爾必達」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食，爾必達于2012年申請破產(chǎn)、之后被美國美光(Micron)收購，而坂本幸雄也成為爾必達的末代社長、在爾必達被美光收購后就辭去社長一職以示負責。不過坂本幸雄要開始踏上復仇之路了，此次將攜手臺灣、中國大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠，力抗三星等廠商。 　　日經(jīng)新聞11日報導，由坂本幸雄所設(shè)立的半導體設(shè)計公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，Sino將主導合肥市政府總
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韓廠欲擺脫大陸半導體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場

  • 　　大陸半導體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場

  • 　　中國紫光欲與美韓合作DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達前社長坂本幸雄所主導成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細節(jié)預計本周于日本舉行記者會說明。 　　臺灣DRAM業(yè)界指出，爾必達于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達研發(fā)團隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內(nèi)存市場，加上中國企圖建立自主技術(shù)，地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場

  • 　　大陸半導體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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傳三星半導體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠進行第二階段的投資，日前傳出這項計劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預估，2016年將會進入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。 　　目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來說，已經(jīng)到達最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認為，三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價格跌　上季全球產(chǎn)值掉9%

  • 　　DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計報告，受到DRAM平均銷售單價持續(xù)下降及市況持續(xù)供過于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當季DRAM價格持續(xù)下修。 　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元，
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中國如何撕開存儲芯片壟斷圍欄？

  • 存儲芯片在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色，但前5家公司高度壟斷全球市場，我國發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)關(guān)乎國家安全，意義重大。
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紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠，循華亞科模式

  • 　　大陸紫光集團已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當年臺塑集團與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請美光等國際大廠入股，解決技術(shù)授權(quán)問題。 　　據(jù)了解，此計畫由前華亞科董事長、現(xiàn)為紫光集團執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。 　　大陸官方自前年成立國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團，由
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2015臺灣DRAM產(chǎn)值增長由正轉(zhuǎn)負 晶圓代工增長下滑

  • 　　經(jīng)濟部統(tǒng)計處資料顯示，臺灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長，但去年增率卻是近三年來首見個位數(shù)成長，也結(jié)束自2011年以來的上升走勢，臺灣經(jīng)濟部指出，去年臺灣DRAM產(chǎn)值成長由正轉(zhuǎn)負，加上晶圓代工成長下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。 　　臺灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟復蘇力道疲弱，尤其新興市場需求明顯下降，抑制終端消費性電子產(chǎn)品銷售成長動能，下半年衰退7.9%。 　　去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點反
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紫光計劃今年再收購2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面

  • 　　清華紫光集團所屬的清華控股董事長徐井宏，昨天在瑞士達沃斯的世界經(jīng)濟論壇現(xiàn)場，接受彭博訪問時坦承，由于美國主管機關(guān)豎立的障礙，美光投資案過關(guān)的機會渺茫，但紫光集團仍持續(xù)推動與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。 　　他表示，紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。 　　徐井宏也透露，清華紫光集團旗下的3大平臺之中，主攻DRAM的同方國芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購并對象。 　　徐井宏也提到，2016紫光集團的海
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三星開始量產(chǎn)HBM2標準的TSV連接4GB DRAM芯片

  • 　　三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標準(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標準“JESD235A”。 　　   　　HBM2標準的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。 　　按照HBM2標準，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務器用
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美光DRAM表現(xiàn)看弱　市場供需變化使然

  • 　　日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。 　　評論認為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價格淡季，而且PC與移動裝置帶動DRAM成長有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強布局3D XPoint技術(shù)必要性。 　　據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報導，DRAM已成為半導體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當容易受到供需平衡變化而導致價格改變。加上目前正處于需求弱但供應強階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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盤點2015：中國海外收購起摩擦

  • 迅速邁向“大國”的中國也在世界上引發(fā)摩擦，自主的行為原則與現(xiàn)有的國際秩序不兼容，在經(jīng)濟減速局面下的經(jīng)濟改革時而動搖市場，中國的真實情況到底是什么呢。
  • 關(guān)鍵字： 紫光  DRAM  
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