首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

力晶復(fù)工生產(chǎn)　投片量近8萬片

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)景氣回春，價格逐漸觸底反彈，促使原本減產(chǎn)的臺系DRAM廠紛復(fù)工生產(chǎn)，其中，華亞科和南亞科率先增產(chǎn)，力晶近期亦宣布全面取消無薪假，大家都想多生產(chǎn)一點，為2009年傳統(tǒng)旺季行情拼一拼。存儲器業(yè)者表示，力晶目前單月投片量已接近8萬片，但其中有50%是晶圓代工生意，標(biāo)準(zhǔn)型存儲器的量還不多。 　　力晶2008年10月在DRAM價格過低，虧損劇烈的情況下，率先宣布減產(chǎn)，之后引發(fā)其它DRAM廠包括爾必達(dá)(Elpida)、南亞科、華亞科、海力士(Hynix)、茂德等陸續(xù)跟進(jìn)，在供給逐漸減少的情況下，
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  DDR3  

上網(wǎng)本LED背光是未來主流

  • 　　DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、顯示和背光對于上網(wǎng)本來說是較耗電的部分?，F(xiàn)在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產(chǎn)品，因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網(wǎng)本更節(jié)能。 　　由于本身相關(guān)芯片均比筆記本電腦的功率需求低，所以上網(wǎng)本相對有較高的電池使用時間。現(xiàn)在的電源方案與筆記本電腦應(yīng)該是相同的設(shè)計思路，未來的電源設(shè)計可能會有一些改變，但還需要市場的認(rèn)同。 　　我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
  • 關(guān)鍵字： Intel  DRAM  DDR3  LED背光  

2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍

  • 　　根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預(yù)測結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導(dǎo)體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 　　按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個 　　《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  

名家觀點:臺灣半導(dǎo)體業(yè)大有可為

  • 　　臺灣芯片產(chǎn)業(yè)正走在十字路口上，今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。 　　目前臺灣的DRAM公司太多，又都債臺高筑，政府急于整合DRAM產(chǎn)業(yè)，因而創(chuàng)設(shè)臺灣記憶體公司(TMC)，推動整合。政府也終于處理迫切需要改變的半導(dǎo)體大陸投資政策。 　　民間半導(dǎo)體業(yè)者也做好改變的準(zhǔn)備，張忠謀回任臺積電董事長，準(zhǔn)備領(lǐng)導(dǎo)臺積電進(jìn)軍大陸市場。聯(lián)電也把自己和大陸和艦半導(dǎo)體的關(guān)系正?；?，準(zhǔn)備迎接即將來臨的改變。 　　臺積電與聯(lián)電深知下一階段的成長機(jī)會在大陸，也深知如果要成為大陸半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商，必須做好全力打進(jìn)市場
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  DRAM    

美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

  • 　　三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個導(dǎo)入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出，雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復(fù)工生產(chǎn)，但多是采用落后制程生產(chǎn)，也很難募得新資金升級機(jī)器設(shè)備，因此不認(rèn)為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會因此惡化。 　　美光表示，2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
  • 關(guān)鍵字： Samsung  40納米  DRAM  

美光：TMC模式不會成功

  • 　　隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團(tuán)將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(dá)(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人，不會像奇夢達(dá)倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會。 　　現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  NAND  

三星計劃升級美國內(nèi)存芯片工廠 裁員500人

  • 　　三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級改造，這一過程中將裁員500人。 　　三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。 　　今年早些時候，三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
  • 關(guān)鍵字： 三星  內(nèi)存芯片  DRAM  NAND  

飛索半導(dǎo)體瘦身 專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)

  • 　　“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。 　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。 　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
  • 關(guān)鍵字： Spansion  DRAM  閃存  

矽品將投資臺灣新成立DRAM公司TMC

  • 　　臺灣新成立DRAM公司——臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場的計劃正進(jìn)入沖刺階段，臺灣半導(dǎo)體封測廠矽品周四表示，董事會通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。 　　矽品發(fā)言人江百宏表示，“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達(dá)的合作模式，而且這是政府支持的產(chǎn)業(yè)再造計劃。” 　　TMC公司人士則是不予置評。 　　為了整合臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，“經(jīng)濟(jì)部”在今年3月便宣布主導(dǎo)成立TMC，由
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器

  • 　　耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。 　　耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點。 　　“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  閃存  FeDRAM  

爾必達(dá)問題出在推遲代工業(yè)務(wù)

  • 　　爾必達(dá)和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達(dá)6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達(dá)簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。 　　盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達(dá)注資，可是對于存儲器制造商爾必達(dá)最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達(dá)還不可能如奇夢達(dá)同樣的命運(yùn)，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經(jīng)濟(jì)剌激，因為從長遠(yuǎn)看能生存下來可能是個奇跡。 　　前些時候爾必達(dá)CEO己經(jīng)把爾必達(dá)的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  50nm  40nm  

各界看DRAM業(yè)市場及因應(yīng)之道

  • 　　DDR3需求暢旺，市場缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機(jī)。 　　在英特爾CULV平臺帶動需求下，DDR3價格走勢凌厲。根據(jù)集邦科技(DRAMe change)報價，1Gb DDR3現(xiàn)貨價格已從第二季末的1.5美元附近，近期已站穩(wěn)2.15美元以上，本季以來漲幅逾43%。 　　盡管DDR2最近也開始展開漲價行情，但現(xiàn)貨價仍在1.45美元附近，DDR3與DDR2仍有近五成的價差，價格優(yōu)勢帶動下，將有助推升業(yè)者營運(yùn)。 　　在DDR3效應(yīng)推升下，市調(diào)機(jī)構(gòu)
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  DDR3  CULV  

臺灣媒體：奇夢達(dá)資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜

  • 　　曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購奇夢達(dá)西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團(tuán)接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。 　　德國內(nèi)存龍頭廠奇夢達(dá)確定遭到市場淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達(dá)在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
  • 關(guān)鍵字： 奇夢達(dá)  晶圓  服務(wù)器  DRAM  NAND  

分析師擔(dān)心:臺灣存儲業(yè)能否籌足資金實現(xiàn)復(fù)蘇

  • 　　據(jù)金融時報報道，盡管有跡象表明，臺灣的DRAM存儲芯片產(chǎn)業(yè)可能擺脫為期三年的低迷，但分析師和高管仍然認(rèn)為，臺灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔(dān)心臺灣DRAM存儲芯片公司是否能籌足現(xiàn)金，為工廠引進(jìn)50納米技術(shù)。 　　DRAM芯片是每臺計算機(jī)不可缺少的部分，但該產(chǎn)業(yè)的過度擴(kuò)張導(dǎo)致產(chǎn)品價格大幅下跌，過去三年累計虧損150億美元。 　　而經(jīng)濟(jì)危機(jī)更加深了該行業(yè)的困境，唯一的歐洲領(lǐng)先DRAM存儲芯片廠商德國奇夢達(dá)今年破產(chǎn)。 　　臺灣南亞科技，——世界排名第五，上周稱公
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  50納米  存儲芯片  DDR3  

爾必達(dá)：計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

  • 　　8月7日消息 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計劃直接 跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。 　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時，三星還將推出4F2技術(shù)。 　　美國鎂光公司則已經(jīng)
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  40nm  50nm  60nm  
共1908條 106/128 |‹ « 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 » ›|

ddr5 dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473