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市場動蕩 傳全球頂級內(nèi)存芯片廠茂德將倒閉
- 2009年1月底,全球第二大DRAM公司,300mm工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者和個人電腦、服務(wù)器、DRAM市場最大的供應(yīng)商之一奇夢達(dá)已經(jīng)宣布倒閉。該公司由總部位于德國的英飛凌科技在2006年5月分拆而成。 奇夢達(dá)的業(yè)務(wù)領(lǐng)域主要集中在DRAM領(lǐng)域。包括電腦主機(jī)中的DRAM內(nèi)存條,電腦顯示卡的顯存顆粒,消費(fèi)級DRAM內(nèi)存,移動存儲裝置中的高速DRAM緩存以及閃存存儲芯片。另外目前家用游戲主機(jī)PS3、Xbox360以及Wii,均采用了部分奇夢達(dá)的圖形/內(nèi)存芯片,供貨商的倒閉勢必會增加游戲主機(jī)的成本壓力。 而另
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存儲器可能領(lǐng)先復(fù)蘇嗎?
- 據(jù)iSuppli最新報道,全球存儲器將從09年開始有一輪新的上升周期,而從2012年始又將呈下降走勢(如下圖所示);其中,09年全球存儲器銷售額仍將下降4%,為242億美元,這已經(jīng)是連續(xù)下跌的第三年。08年下降20%,達(dá)到252億美元;07年為315億美元,下降7%;而在06年,全球存儲器達(dá)到了338億美元的高峰。 受金融風(fēng)暴影響,在過去兩年中全球存儲器前八大制造商已累積總虧損達(dá)80億美元,至09年底時虧損將擴(kuò)大到110億美元。 金融危機(jī)加速存儲器業(yè)復(fù)蘇 金融危機(jī)是把雙
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分析:全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨有史以來最冷冽的寒冬
- 北京時間2月9日消息,據(jù)國外媒體報道,受內(nèi)存芯片嚴(yán)重供應(yīng)過剩沖擊,全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處于有史以來最嚴(yán)重的下滑趨勢。 在延續(xù)一年多的景氣循環(huán)下滑趨勢中,全球景氣放緩近來更讓情況雪上加霜,許多DRAM資金流失慘重,德國DRAM制造商奇夢達(dá)(Qimonda)更在上月申請破產(chǎn)。 在最近一連串的壞消息中,全球第三大DRAM制造商--日本爾必達(dá)記憶體周五公布連續(xù)第五季虧損。 以下為全球主要DRAM制造商和最新狀況: 全球最大的DRAM制造商--韓國三星電子1月公布有史以來首次季度虧損,因內(nèi)
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DRAM內(nèi)存芯片漲價減輕芯片廠商壓力
- 北京時間2月3日消息,據(jù)國外媒體報道,美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)稱,2008年全球芯片銷售自2001年來首次出現(xiàn)下降。 SIA的數(shù)字顯示,2008年全球芯片銷售額從2007年的2556億美元下降至2480億美元,跌幅為2.8%。其中2008年12月的銷售額只有174億美元,比2007年12月的223億美元同比下降22%,也比2008年11月的209億美元環(huán)比下跌16.6%。 按地域區(qū)分,歐美地區(qū)的跌幅較大,亞洲稍小。歐洲2008年芯片銷售同比跌幅高達(dá)27.8%,美國為26.2%,日本只有
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報告稱09年DRAM廠商資本開支將銳減63%
- 北京時間2月2日消息,據(jù)國外媒體報道,市場調(diào)查公司iSuppli表示,DRAM(動態(tài)隨即存取器)行業(yè)面臨著有史以來最嚴(yán)重的衰退局面,今年全球DRAM資本開支將銳減63%。 近來,由于芯片價格下滑至成本線以下,加上消費(fèi)者需求疲軟和生產(chǎn)過剩,各大主要DRAM芯片廠商的虧損不斷增加。iSuppli表示:“更糟糕的是,全球經(jīng)濟(jì)和DRAM市場形勢有可能迫使DRAM資本開支銳減七成以上。今年全球DRAM資本開支甚至不及三星電子一家在07年的資本開支。” 2007年,三星電子在D
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世界半導(dǎo)體市場近年首次下降
- 金融風(fēng)暴席卷全球,嚴(yán)重沖擊實體經(jīng)濟(jì),所幸世界各國紛紛出手,援救市場,但經(jīng)濟(jì)趨緩已成定勢,世行預(yù)測,世界GDP增長將從2008年的2.5%放緩到2009年僅微增0.9%。這種局面也使世界半導(dǎo)體市場受到極為不利影響。往常世界半導(dǎo)體市場權(quán)威預(yù)測機(jī)構(gòu)——WSTS都在10月發(fā)表秋季預(yù)測,而2008年直到11月才見數(shù)據(jù),大約有它的難處罷。另一特點(diǎn)是發(fā)表愈晚的單位,愈加悲觀。11月18日WSTS預(yù)測2009年世界半導(dǎo)體市場將略降2.2%,而向與WSTS同步的SIA11月19日一反常態(tài),預(yù)測2
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臺灣DRAM整并案再觸礁 爾必達(dá)、茂德合并案遭拒
- 1月13日,據(jù)臺灣媒體報道,臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合案波折不斷,繼力晶與爾必達(dá)(Elpida)的DRAM建議書被經(jīng)濟(jì)部退件,茂德與爾必達(dá)于1月7日共同送件的DRAM整合書,12日也遭到經(jīng)濟(jì)部退件。 經(jīng)濟(jì)部表示,瑞晶代表人沒有連署簽名是退件原因之一,且內(nèi)容與政府希望能技術(shù)扎根臺灣有所落差,經(jīng)濟(jì)部已與茂德、力晶、瑞晶3方在12日繼續(xù)研議,希望在修改后能盡快提出更新版本;茂德官方則表示,尊重政府的立場,會在期間內(nèi)盡快補(bǔ)件。 DRAM業(yè)者指出,臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合案鬧的沸沸揚(yáng)揚(yáng),但力晶和茂德送出的建議
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三星計劃削減DRAM芯片產(chǎn)量 提高報價
- 1月2日消息,由于三星電子減少了供應(yīng)量,12月后半月部分型號NAND閃存芯片合同價出現(xiàn)了大漲上漲。據(jù)業(yè)界人士稱,三星電子計劃提高DRAM芯片報價,并減少供應(yīng)量。 據(jù)國外媒體報道稱,消息人士稱,一般而言,DRAM芯片廠商寄希望于減少供應(yīng)量,而非終端市場上需求的增長推動價格的上漲。目前DRAM芯片需求仍然低迷。除了三星電子外,我國臺灣省DRAM芯片廠商產(chǎn)量的減少也將刺激未來數(shù)月內(nèi)DRAM芯片的價格,DRAM芯片廠商希望1Gb DDR2芯片的價格能夠反彈至1美元。 力晶半導(dǎo)體已經(jīng)將12月產(chǎn)量降低
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日本爾必達(dá)洽購臺灣茂德等三家DRAM廠商
- 12月30日消息,日本爾必達(dá)CEO阪本幸雄在接受彭博社采訪時表示,正在與力晶、瑞晶、茂德等廠商洽談合并,但沒有透露具體細(xì)節(jié)。 由于DRAM價格持續(xù)低迷不振,臺灣DRAM企業(yè)前三季虧損金額高達(dá)900億元新臺幣(約合225億人民幣),全年虧損金額可能高達(dá)1200億元新臺幣,由于下半年營收明顯萎縮,主要企業(yè)第三季開始,已經(jīng)呈現(xiàn)現(xiàn)金凈流出。 根據(jù)彭博社報導(dǎo),力晶與爾必達(dá)上周已經(jīng)遞交整合建議書,爭取將茂德納入整合方案,26日獲得爾必達(dá)證實,阪本幸雄(Yukio Sakamoto)坦承,爾必達(dá)的確與力
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CEO觀點(diǎn):掌握DRAM脫胎換骨契機(jī)
- 自2007年第一季起,全球DRAM產(chǎn)業(yè)開始出現(xiàn)供過于求的狀況,由于產(chǎn)能過剩的問題嚴(yán)重,再加上金融海嘯的沖擊市場需求、韓元劇貶韓商殺價求現(xiàn),導(dǎo)致DRAM價格在二年內(nèi)暴跌85%,低于所有業(yè)者的變動成本,包含美、日、德、韓和臺灣在內(nèi)的DRAM廠商,全部陷入巨額虧損、營運(yùn)現(xiàn)金流出的困局。 政府介入紓困 確有必要 在此形勢中,除了多角化經(jīng)營的三星之外,占有全球70%市場的其它DRAM廠商,目前都因大幅舉債(Over-Financing)擴(kuò)充產(chǎn)能,面臨債權(quán)到期無力還款,甚至營運(yùn)現(xiàn)金用罄的窘境。
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爾必達(dá)和茂德、力晶、瑞晶展開并購洽談
- 日本爾必達(dá)CEO阪本幸雄在接受采訪時表示,正在與力晶、瑞晶、茂德等廠商洽談合并,但沒有透露具體細(xì)節(jié)。 由于DRAM價格持續(xù)低迷不振,臺灣DRAM企業(yè)前三季虧損金額高達(dá)900億元新臺幣(約合225億人民幣),全年虧損金額可能高達(dá)1200億元新臺幣,由于下半年營收明顯萎縮,主要企業(yè)第三季開始,已經(jīng)呈現(xiàn)現(xiàn)金凈流出。 據(jù)報導(dǎo),力晶與爾必達(dá)上周已經(jīng)遞交整合建議書,爭取將茂德納入整合方案,26日獲得爾必達(dá)證實,阪本幸雄(Yukio Sakamoto)坦承,爾必達(dá)的確與力晶、瑞晶、茂德洽談合并。
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dram 介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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