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三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18奈米制程為其投資重點,DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動對位QPT(Self
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機增長放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。 高通曾表示,第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%,這是其三年來的最差業(yè)績。 將于周四公布第一季財報的三星,也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計三星芯片獲利將會下降,一些分析師預(yù)測1-
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三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減
- 三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示,拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預(yù)估因而增加0.4兆韓圜,主要反映在零件事業(yè)盈余數(shù)據(jù)上。 三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜,半導(dǎo)體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預(yù)算、但預(yù)估將略高于2015年水準(zhǔn)。 三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預(yù)計將依照市場供需變化彈性調(diào)整、目前初估將低于去年水準(zhǔn)。
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請注意,這14類IC今年會增長迅速
- 市場研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預(yù)測報告發(fā)布更新,在該報告統(tǒng)計的33項主要IC產(chǎn)品類別中,有14項產(chǎn)品類別在今年的成長率將超過2%,尤其是手機應(yīng)用處理器MPU與訊號轉(zhuǎn)換IC的成長幅度居冠。 ICInsights的《2016McCleanReport》預(yù)測33項主要IC產(chǎn)品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項主要的IC產(chǎn)品類別,分別以更新的2016年成長率排名。ICInsights預(yù)測,今年將有14項產(chǎn)品類別的成長幅度超過2%—
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不影響DRAM市場結(jié)構(gòu) 公平會核準(zhǔn)美光購并華亞科
- 公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議,核準(zhǔn)美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權(quán),向該會申報事業(yè)結(jié)合乙案,依公平交易法第13條第1項規(guī)定,不禁止其結(jié)合。 公平會表示,本案系屬公平法第10條第1項第2、5款之結(jié)合型態(tài),又美商美光于相關(guān)市場之市占率達(dá)25%,符合公平法第11條第1項第2款規(guī)定之申報門檻,且無同法第12條所規(guī)定除外適用情形,故依法提出結(jié)合申報。 公平會表示,華亞科系屬美光DRAM的代工廠,其所生產(chǎn)之DRAM全數(shù)售予美光,故華亞科
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三星DRAM連霸24年 2015年市占寫下45%新高
- 三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導(dǎo)體市占率第一,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達(dá)45.3%,營收突破200億美元,不但刷新自身紀(jì)錄,也成為存儲器價格持續(xù)下跌聲中,唯一還能獲利的業(yè)者。 據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo),市調(diào)機構(gòu)IHS資料顯示,2015年三星DRAM營收為204.34億美元,較2014年186.61億美元成長9.5%,首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元,但三星營收卻
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三星開始量產(chǎn)10nm級DRAM,采用ArF液浸四重曝光
- 韓國三星電子2016年4月5日宣布,開始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。 此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,新開發(fā)了自主設(shè)計的新存儲單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此,無需使用EUV裝置,可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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DRAM市場上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?
- 目前,全球DRAM(Dynamic Random Access Memory,也稱動態(tài)隨機存取存儲器,是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調(diào)公司IHS指,韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%,這已經(jīng)是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高,那么第三位的美光前途在何方呢? 三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 據(jù)DRAMeXchange的報告,受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響,三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場所向披靡 手機份額萎縮
- 三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報告,結(jié)果一則以喜,一則以憂,雖然其半導(dǎo)體事業(yè)蒸蒸日上,但另一個營收主力,也就是手機部門表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實,三星去年以獲利為最高指導(dǎo)原則,營運的重心主要放在半導(dǎo)體上,有如此結(jié)果也不令人意外。 據(jù) 三星統(tǒng)計,在全球DRAM市場上,三星所向披靡、強取豪奪45.3%的份額,市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個百分點。三星指出盡管手機、平板 等行動產(chǎn)品減緩,但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場將持續(xù)成長。除此之外,三星也相當(dāng)看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車對存儲器的需求展望。 在
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三星18納米DRAM投產(chǎn) 海力士、美光面臨更大壓力
- 三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代,三星電子未來在DRAM市場上,勢必將更具價格競爭力。 根據(jù)韓媒ETnews報導(dǎo),存儲器半導(dǎo)體的價格越來越低,越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話,才有利潤能剩下,若降低成本的速度太慢,就會產(chǎn)生赤字。以目前看來,2016年美光最需擔(dān)憂的就是赤字問題,因為美光沒能成功地轉(zhuǎn)換微
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價,跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%,當(dāng)季凈虧損9700萬美元,對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報,當(dāng)季營收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。 美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損,毛利率只有19.7%
- 美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報,每股凈損0.09美元,單季由盈轉(zhuǎn)虧,并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為,美光連二季虧損,與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營運將有壓力。 受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響,美光第2季營收為29.34億美元,季減12.4%,年減29.5%,影響其毛利率表現(xiàn),僅19.7%,遠(yuǎn)不如前一季的25.3%,單季稅后凈損9,700萬美元,每股凈損0.09美元。 美光預(yù)期,本季恐持續(xù)虧損,估每股凈損0.05至0.12美元,
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dram 介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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