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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價格或跌40%
- 全球DRAM內(nèi)存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過內(nèi)存市場今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價格降幅甚至高達40%。 跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進，每一代工藝的進步在外人看來感覺是越來越小了，CPU工藝好歹是從22nm進步到14/16nm、NAND也是
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠
- 28日武漢新芯科技主導的12英寸晶圓廠正式動工，建成后將成為中國最大、最先進的存儲芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點不低。再之前中國紫光集團宣布斥資300億美元打造全球前三的半導體公司，一時間中國半導體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內(nèi)不會在大陸建立晶圓廠。 中國在半導體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購已經(jīng)引起了業(yè)界震動，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標轉(zhuǎn)向
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無廠DRAM企業(yè)Sino King 意圖革新商業(yè)模式
- 前日本爾必達(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設(shè)IC設(shè)計公司Sino King Technology，指出目前半導體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強調(diào)研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進生產(chǎn)技術(shù)的如臺積電。 而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司，以研發(fā)高度客制化存儲器為重，不
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大陸進軍DRAM 華亞科李培瑛：5年內(nèi)沒影響
- 針對中國將進軍DRAM產(chǎn)業(yè)，華亞科(3474)董事長李培瑛表示， 由于中國未能取得技術(shù)來源，如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，勢必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術(shù)進入障礙門檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達成，預期5年內(nèi)將不會造成DRAM市場的影響，短期內(nèi)難有進展。 李培瑛指出，目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中，為維持自身利益及寡占市場結(jié)構(gòu)，避免中國廠商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術(shù)授權(quán)合作或合資建廠計劃。中國若未能取得技術(shù)來源，短 期
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TrendForce:2016大陸手機品牌增速排行
- 自2015年第四季以來，全球終端需求始終停滯，智慧型手機品牌商皆計畫調(diào)降今年首季的出貨計畫，整體市場開始進行約一個季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機構(gòu)TrendForce智慧型手機分析師吳雅婷表示，受益于庫存調(diào)節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機發(fā)表，2月中起中國手機品牌陸續(xù)出現(xiàn)庫存回補的需求。此外，中國智慧型手機營運商為拉抬4G機種的普及率，針對數(shù)款4G高階智慧型手機增加 補貼額度，也推升消費者的購買欲望。 TrendForce預估2016
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武漢新芯12寸DRAM廠 28日動工
- 大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 這是繼紫光集團進軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動全球記憶體板塊移動，業(yè)界高度關(guān)注 。 業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價
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大陸臺灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國最大DRAM廠
- 還記得「爾必達」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食，爾必達于2012年申請破產(chǎn)、之后被美國美光(Micron)收購，而坂本幸雄也成為爾必達的末代社長、在爾必達被美光收購后就辭去社長一職以示負責。不過坂本幸雄要開始踏上復仇之路了，此次將攜手臺灣、中國大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠，力抗三星等廠商。 日經(jīng)新聞11日報導，由坂本幸雄所設(shè)立的半導體設(shè)計公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，Sino將主導合肥市政府總
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韓廠欲擺脫大陸半導體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場
- 大陸半導體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。 由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場
- 中國紫光欲與美韓合作DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達前社長坂本幸雄所主導成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細節(jié)預計本周于日本舉行記者會說明。 臺灣DRAM業(yè)界指出，爾必達于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達研發(fā)團隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內(nèi)存市場，加上中國企圖建立自主技術(shù)，地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場
- 大陸半導體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。 由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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傳三星半導體西安廠第二階段增設(shè)恐延期
- 三星電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠進行第二階段的投資，日前傳出這項計劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預估，2016年將會進入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。 目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來說，已經(jīng)到達最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認為，三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價格跌 上季全球產(chǎn)值掉9%
- DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計報告，受到DRAM平均銷售單價持續(xù)下降及市況持續(xù)供過于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當季DRAM價格持續(xù)下修。 三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元，
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紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠，循華亞科模式
- 大陸紫光集團已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當年臺塑集團與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請美光等國際大廠入股，解決技術(shù)授權(quán)問題。 據(jù)了解，此計畫由前華亞科董事長、現(xiàn)為紫光集團執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。 大陸官方自前年成立國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團，由
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dram 介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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