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第二季度爾必達 DRAM銷售大增

  • 　　據(jù) iSuppli 公司，日本爾必達是第二季度全球 DRAM 市場明星，大幅提價導致其營業(yè)收入比第一季度勁增了 50%。 　　在五大 DRAM 供應商中，第二季度爾必達業(yè)績最好，營業(yè)收入從第一季度時的 4.97 億美元上升到 7.45 億美元。第二季度該公司 DRAM 的平均銷售價格(ASP)比第一季度提高了 32%，推動其業(yè)績明顯提升。 　　爾必達通過擴大面向移動與消費應用的專用 DRAM 銷售，大幅提高了營業(yè)收入與 ASP。這些專用 DRAM 價格高于通用產(chǎn)品，幫助爾必達取得了優(yōu)于競爭對手的業(yè)
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  DDR3   

Q2全球DRAM內(nèi)存市場銷售收入環(huán)比增長34%

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli稱，2009年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入達45億美元，比今年第一季度的34億美元增長了34%。今年第一季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過，與去年同期相比，第二季度的DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入下降了33.5%。 　　日本內(nèi)存芯片供應商Elpida Memory第二季度的DRAM內(nèi)存銷售收入是7.45億美元，比第一季度的4.79億美元增長了50%，是所有DRAM內(nèi)存芯片廠商中增長率最高的。第二季度DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價格比第一
  • 關鍵字： 三星  DRAM  內(nèi)存芯片  DDR3  

臺灣半導體年產(chǎn)值預計將下滑13%

  • 　　臺灣資訊工業(yè)策進會日前預計，今年臺灣半導體產(chǎn)值可達1.14萬億元，比去年衰退13%。同時，受惠于新興市場成長，部分領域的產(chǎn)值可能超過全球平均水準。 　　臺灣媒體引述資策會的分析稱，今年第一季度是臺灣半導體產(chǎn)業(yè)的景氣底限，在上下游業(yè)者同步快速調整庫存的情況下，第二季度的產(chǎn)業(yè)供應鏈恢復正常供需水準。受惠于下游系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)回暖，目前半導體產(chǎn)業(yè)各項指標都出現(xiàn)回升跡象。 　　其中，臺灣晶圓代工產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約占全球產(chǎn)值的70%，今年第一、第二季度產(chǎn)值分別約為525億元、1000億元，第三季度將比第二季度增長15%以上
  • 關鍵字： 半導體  DRAM  

力晶復工生產(chǎn)　投片量近8萬片

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)景氣回春，價格逐漸觸底反彈，促使原本減產(chǎn)的臺系DRAM廠紛復工生產(chǎn)，其中，華亞科和南亞科率先增產(chǎn)，力晶近期亦宣布全面取消無薪假，大家都想多生產(chǎn)一點，為2009年傳統(tǒng)旺季行情拼一拼。存儲器業(yè)者表示，力晶目前單月投片量已接近8萬片，但其中有50%是晶圓代工生意，標準型存儲器的量還不多。 　　力晶2008年10月在DRAM價格過低，虧損劇烈的情況下，率先宣布減產(chǎn)，之后引發(fā)其它DRAM廠包括爾必達(Elpida)、南亞科、華亞科、海力士(Hynix)、茂德等陸續(xù)跟進，在供給逐漸減少的情況下，
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  DDR3  

上網(wǎng)本LED背光是未來主流

  • 　　DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、顯示和背光對于上網(wǎng)本來說是較耗電的部分。現(xiàn)在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產(chǎn)品，因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網(wǎng)本更節(jié)能。 　　由于本身相關芯片均比筆記本電腦的功率需求低，所以上網(wǎng)本相對有較高的電池使用時間?，F(xiàn)在的電源方案與筆記本電腦應該是相同的設計思路，未來的電源設計可能會有一些改變，但還需要市場的認同。 　　我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
  • 關鍵字： Intel  DRAM  DDR3  LED背光  

2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍

  • 　　根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 　　按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達到400億個 　　《日經(jīng)市場調查》的調查結果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
  • 關鍵字： 三星  DRAM  NAND  

名家觀點:臺灣半導體業(yè)大有可為

  • 　　臺灣芯片產(chǎn)業(yè)正走在十字路口上，今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。 　　目前臺灣的DRAM公司太多，又都債臺高筑，政府急于整合DRAM產(chǎn)業(yè)，因而創(chuàng)設臺灣記憶體公司(TMC)，推動整合。政府也終于處理迫切需要改變的半導體大陸投資政策。 　　民間半導體業(yè)者也做好改變的準備，張忠謀回任臺積電董事長，準備領導臺積電進軍大陸市場。聯(lián)電也把自己和大陸和艦半導體的關系正常化，準備迎接即將來臨的改變。 　　臺積電與聯(lián)電深知下一階段的成長機會在大陸，也深知如果要成為大陸半導體領導廠商，必須做好全力打進市場
  • 關鍵字： 臺積電  DRAM    

美光新加坡廠年底導入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

  • 　　三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導入40納米制程，將成為美光旗下第1個導入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出，雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復工生產(chǎn)，但多是采用落后制程生產(chǎn)，也很難募得新資金升級機器設備，因此不認為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會因此惡化。 　　美光表示，2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
  • 關鍵字： Samsung  40納米  DRAM  

美光：TMC模式不會成功

  • 　　隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產(chǎn)能相當吸引人，不會像奇夢達倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。 　　現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
  • 關鍵字： 美光  DRAM  NAND  

三星計劃升級美國內(nèi)存芯片工廠 裁員500人

  • 　　三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進行升級改造，這一過程中將裁員500人。 　　三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。 　　今年早些時候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當?shù)負碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存芯片  DRAM  NAND  

飛索半導體瘦身 專攻嵌入式和IP授權兩大業(yè)務

  • 　　“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護而進行的戰(zhàn)略調整。 　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。 　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
  • 關鍵字： Spansion  DRAM  閃存  

矽品將投資臺灣新成立DRAM公司TMC

  • 　　臺灣新成立DRAM公司——臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場的計劃正進入沖刺階段，臺灣半導體封測廠矽品周四表示，董事會通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。 　　矽品發(fā)言人江百宏表示，“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達的合作模式，而且這是政府支持的產(chǎn)業(yè)再造計劃。” 　　TMC公司人士則是不予置評。 　　為了整合臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，“經(jīng)濟部”在今年3月便宣布主導成立TMC，由
  • 關鍵字： TMC  DRAM  

耶魯大學和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器

  • 　　耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。 　　耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。 　　“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  閃存  FeDRAM  

爾必達問題出在推遲代工業(yè)務

  • 　　爾必達和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。 　　盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達還不可能如奇夢達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經(jīng)濟剌激，因為從長遠看能生存下來可能是個奇跡。 　　前些時候爾必達CEO己經(jīng)把爾必達的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質疑為什么要支持
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  50nm  40nm  

各界看DRAM業(yè)市場及因應之道

  • 　　DDR3需求暢旺，市場缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機。 　　在英特爾CULV平臺帶動需求下，DDR3價格走勢凌厲。根據(jù)集邦科技(DRAMe change)報價，1Gb DDR3現(xiàn)貨價格已從第二季末的1.5美元附近，近期已站穩(wěn)2.15美元以上，本季以來漲幅逾43%。 　　盡管DDR2最近也開始展開漲價行情，但現(xiàn)貨價仍在1.45美元附近，DDR3與DDR2仍有近五成的價差，價格優(yōu)勢帶動下，將有助推升業(yè)者營運。 　　在DDR3效應推升下，市調機構
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  DDR3  CULV  
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