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圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)布局，紫光國芯下一代DRAM開發(fā)順利
- 今年以來，全球集成電路市場增長迅速，我國集成電路產(chǎn)業(yè)在國家政策引導(dǎo)、市場需求拉動(dòng)的雙重作用下，繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中，頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國際合作”相結(jié)合的發(fā)展路徑，圍繞芯片設(shè)計(jì)核心業(yè)務(wù)，同時(shí)開拓了存儲(chǔ)器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用市場。 8月21日晚間，紫光國芯發(fā)布了2017上半年財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示，公司上半年實(shí)現(xiàn)營收8.01億元，同比增長24.01%;歸
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 DRAM
臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對(duì)象。 大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
- 關(guān)鍵字： DRAM 聯(lián)電
三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。 集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴(yán)重。 業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對(duì)象。 大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%
- 集邦咨詢內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來看，由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成，行動(dòng)式內(nèi)存則因中國品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量，價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
- 關(guān)鍵字： DRAM NOR
IC Insights:今年全球IC分類增長排行,DRAM達(dá)55%
- 根據(jù)市場研究調(diào)查機(jī)構(gòu) IC Insights 的預(yù)估，2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中，在DRAM將成長更將達(dá) 55%，將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產(chǎn)品。 ? IC Insights 表示，DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%，也都是當(dāng)年成長最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。 統(tǒng)計(jì)過去 5 年，DRAM 市場經(jīng)常是成長最大，或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項(xiàng)目，顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過，DRAM 市
- 關(guān)鍵字： DRAM IC
背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲(chǔ)DRAM實(shí)力能否殺出重圍？
- 在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線一期項(xiàng)目開工儀式。 據(jù)資料顯示，晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)項(xiàng)目由福建省電子信息集團(tuán)和泉州、晉江兩級(jí)政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預(yù)計(jì)于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國家重點(diǎn)支持的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，晉華項(xiàng)目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項(xiàng)目清單，并獲得首筆30億元國家專項(xiàng)建設(shè)基金支持。 此項(xiàng)目堪稱晉江所有重
- 關(guān)鍵字： 晉華存儲(chǔ) DRAM
全球半導(dǎo)體2017年增速將達(dá)16%，其中10種產(chǎn)品增速可達(dá)兩位數(shù)
- ,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個(gè)大類。近日，市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場狀況的預(yù)期。 33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計(jì))如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價(jià)格異常出色，IC Insights預(yù)計(jì)2017年DRAM總銷售額同比增長55%，從而成為半導(dǎo)體細(xì)分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對(duì)DRAM市場而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)增長。在過去5年，DRAM要么是增長率
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
三星計(jì)劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價(jià) 漲幅約10%
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計(jì)劃調(diào)漲第4季行動(dòng)式存儲(chǔ)器(Mobile DRAM)合約價(jià)，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 存儲(chǔ)器業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強(qiáng)勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲(chǔ)器的整合架構(gòu)，帶動(dòng)DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價(jià)居高不下，
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三大內(nèi)存罕見同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。 內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì)排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價(jià)格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及計(jì)算機(jī)三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強(qiáng)，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高
- 隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。 2017年全球DRAM市場規(guī)模將會(huì)年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機(jī)構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
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