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Hynix勢頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危
- 4月28日消息,據(jù)國外媒體報道,權威調(diào)研機構Gartner日前指出,三星在全球DRAM市場的份額已降至7年來的最低點,可能被競爭對手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報告顯示,今年第一季度,三星全球DRAM市場份額已降至25.5%,比第二名的Hynix僅高出2.7個百分點。這是自2000年以來,三星在DRAM市場表現(xiàn)最糟糕的一次。 在過去的五年中,三星的DRAM市場份額平均比第二名高出17%。相比之下,競爭對手Hynix的市場份額達到了22.8%。銷售額達到了21.82億美元,同比增長6
- 關鍵字: DRAM Hynix 三星 消費電子 存儲器 消費電子
DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息,據(jù)國外媒體報道,英特爾日前表示,其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器(PRAM)有潛力取代當前的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。 在日前于北京召開的“英特爾信息技術峰會(IDF)”上,英特爾首席技術官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存,并表示,PRAM有潛力取代當前的DRAM。 Rattner還稱,英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉,PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品,它集DRAM內(nèi)存的高速存取,以及閃存在關閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體,因此被業(yè)界視為未來D
- 關鍵字: DRAM PRAM 存儲器
4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道,運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱,最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%,每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來自4月上旬的合約價格,它們顯示出DR
- 關鍵字: DRAM 消費電子 存儲器 消費電子
4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息,據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道,運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱,最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%,每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來
- 關鍵字: DRAM 成本 合約價格 存儲器
揚長補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥,或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件,有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分,它們各有所長,應用領域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM,SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù),但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM(只讀存儲器)技術,包
- 關鍵字: DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
印度半導體離中國還很遠
- 29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設計生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
- 關鍵字: DRAM 單片機 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍
- DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導體工藝制程技術的進步,90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大,首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。 臺灣力晶半導體的黃崇仁表示,2006年是轉(zhuǎn)折點,DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢,一批較早的8英寸芯片廠,已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為,五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業(yè),全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應用中,有
- 關鍵字: 8英寸 DRAM IC制造 單片機 理性突圍 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍
- 推動全球半導體工業(yè)進步的兩個輪子,一個是縮小特征尺寸,另一個是增大硅片直徑,通常總是以不斷地縮小特征尺寸為先。如今,全球正進入12英寸,65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮,業(yè)界正在為何時進入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下,業(yè)界關心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀,以及何時將退出歷史舞臺。縱觀全球半導體業(yè)發(fā)展的歷史過程,進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右,所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段,顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
- 關鍵字: 8英寸 DRAM IC 存儲器
奇夢達與南亞科技獲75納米DRAM技術驗證
- 奇夢達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術之驗證,最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項新的技術平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項新一代 DRAM技術之試產(chǎn)。 負責奇夢達的市場和運作,也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
- 關鍵字: 75納米 DRAM 單片機 技術驗證 南亞科技 奇夢達 嵌入式系統(tǒng) 通訊 網(wǎng)絡 無線 存儲器
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