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DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

  •   據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指,今年以來DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌,其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%,這對于依靠存儲(chǔ)芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來說顯然不是好消息,其或因存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?! 〈鎯?chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel  自2016年以來,受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對存儲(chǔ)芯片需求不斷擴(kuò)大,PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大,智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大,存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?! ∽鳛?/li>
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集邦咨詢:第一季DRAM合約價(jià)大幅下修,創(chuàng)8年以來最大跌幅

  •   Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,由于供過于求的市況,DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals),2月份更罕見出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%,是繼2011年以來單季最大跌幅?! RAMeXchange指出,從市場面來觀察,整體合約價(jià)自去年第四季開始下跌,隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí),Intel低
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STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級(jí)新型材料亮相2019年TCT亞洲展

  •  3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì)(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì)期間,Stratasys所展示的體素級(jí)3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本,滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級(jí)的行業(yè)盛會(huì),匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展
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Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

  • 3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì)(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì)期間,Stratasys所展示的體素級(jí)3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本,滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級(jí)的行業(yè)盛會(huì),匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用,
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中國將增加在美半導(dǎo)體采購量?韓媒:不太容易

  •   據(jù)businesskorea報(bào)道,中國計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢S多專家表示,美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心,不太可能接受中國的提議,因?yàn)樗鼘⒃黾訉χ袊陌雽?dǎo)體依賴。  韓國企業(yè)對該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度,主要有兩個(gè)原因?! ∈紫?,中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片,無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下,很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
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全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國?

  • 作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料,全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代,同時(shí)生產(chǎn)中心由美國轉(zhuǎn)移到了日本。目前日本憑借半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機(jī)遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額,但......
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DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破,DDR6火速殺到:速度飛天

  •   據(jù)外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā),預(yù)期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000?! 〗邮懿稍L時(shí),SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻,DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來。  Kim Dong-kyun透露,“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型,其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范,另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合。  資料顯示,去年11月,SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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莫大康:影響2019中國半導(dǎo)體業(yè)增長的三個(gè)關(guān)鍵因素

  • 業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢,用呈”不確定性”,而一言以蔽之。本文擬從以下三個(gè)方面,包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢;中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長的攻堅(jiān)戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的增長。
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2019年全球Flash支出達(dá)260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑,但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出。  ICInsights最新資料顯示,2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元?!?/li>
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非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器的對比

  •   非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類?!   ≡诤芏嗟拇鎯?chǔ)系統(tǒng)的寫操作程序中,內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁,提供更快速的性能,但是如果發(fā)生突然間斷電的情況,如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失,這是存儲(chǔ)系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲(chǔ)器就是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候,里面的數(shù)據(jù)會(huì)丟失,就像內(nèi)存。非易失性存儲(chǔ)器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,像硬盤等外存。RRAM是一
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2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅擴(kuò)大至近20%

  • 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年12月正值歐美年節(jié)時(shí)期,DRAM成交量清淡,因此不列入合約價(jià)計(jì)算,意味著12月份合約價(jià)與11月份大致持平。主流模組8GB均價(jià)仍在60美元左右,而4GB約在30美元水位,但兩種模組的最低價(jià)分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出,2019年第一季合約價(jià)已于去年12月開始議定,綜合庫存過高、需求比原先預(yù)估更為疲弱,以及短中期經(jīng)濟(jì)展望不明朗等因素,買賣雙方已有8GB均價(jià)降至55美
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晉華、聯(lián)電被控竊取機(jī)密案開庭 美方多管齊下打擊中國內(nèi)存自主化進(jìn)程

  • 隨著中美談判嘗試結(jié)束貿(mào)易戰(zhàn),對于兩國沖突的一個(gè)關(guān)鍵方面——針對涉嫌盜竊商業(yè)機(jī)密的刑事起訴,美國謀求新的策略來打擊中國實(shí)現(xiàn)內(nèi)存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周三,福建晉華與其合作伙伴臺(tái)灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機(jī)密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理,預(yù)計(jì)晉華和聯(lián)電將做無罪辯護(hù)。
  • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  聯(lián)電  

Gartner:三星2018年再度登頂全球半導(dǎo)體市場

  •   據(jù)BusinessKorea北京時(shí)間1月8日報(bào)道,受內(nèi)存行業(yè)的增長推動(dòng),去年全球半導(dǎo)體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注),營收同比增長38.2%,在行業(yè)前十大公司中增速最快?! ?jù)市場研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場初步報(bào)告顯示,全球半導(dǎo)體營收去年達(dá)4767億美元,同比增長13.4%。存儲(chǔ)芯片占半導(dǎo)體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%,占比最大?! ∪请娮尤ツ甑陌雽?dǎo)體營收達(dá)759
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CES 2019:英特爾推出5G芯片 躋身無線基站

  • CES 2019展會(huì)上,英特爾宣布了因應(yīng)5G時(shí)代的“Snow Ridge”。此外,該公司還同時(shí)發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動(dòng)處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
  • 關(guān)鍵字: CES2019  5G芯片  Snow Ridge  Foveros 3D  

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷,2019年如何破局?

  • DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然,內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止,降價(jià)的勢頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時(shí),NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期,以致市場供過于求,價(jià)格連續(xù)走跌。
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