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sk 海力士 文章 進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)
消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品
- 10 月 17 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS 圖像傳感器)等次要業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資,同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓,不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額,SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位,遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí),SK 海力
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SK電信將在首爾開(kāi)設(shè)AI數(shù)據(jù)中心 全部配套英偉達(dá)GPU
- 韓國(guó)最大電信運(yùn)營(yíng)商SK電信周三(8月21日)稱,將與美國(guó)GPU云服務(wù)公司Lambda合作,于今年12月在首爾江南區(qū)開(kāi)設(shè)一家人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心,該設(shè)施將以英偉達(dá)先進(jìn)的圖形處理器(GPU)為基礎(chǔ)。目前,雙方已簽署了人工智能云服務(wù)合作協(xié)議,將通過(guò)戰(zhàn)略合作擴(kuò)大GPU即服務(wù)(GPUaaS)業(yè)務(wù),并奠定Lambda在韓國(guó)的立足點(diǎn)。Lambda成立于2012年,為尋求訓(xùn)練人工智能大模型的公司提供云、本地和咨詢服務(wù)。目前Lambda的平臺(tái)可以訪問(wèn)英偉達(dá)公司的大型GPU集群。所謂的GPUaaS服務(wù),就是幫助企業(yè)客戶通
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SK 海力士:美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向
- IT之家 8 月 20 日消息,據(jù)韓媒 MK 報(bào)道,SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示,M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注:M7 即 Magnificent 7,指美股七大科技巨頭蘋(píng)果、微軟、Alphabet(谷歌)、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作,與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通,并為滿足這些企業(yè)的需
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AI 驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 價(jià)格及需求暴漲,SK 海力士擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)
- IT之家 8 月 20 日消息,受人工智能(AI)服務(wù)器需求激增影響,企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的價(jià)格飆升了 80% 以上。為滿足市場(chǎng)需求,SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴(kuò)產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續(xù)升溫,不僅帶動(dòng)了高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片需求,如今也正在推動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。AI 服務(wù)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),企業(yè)紛紛搶購(gòu)大容量 SSD,甚至不惜高價(jià)確保供應(yīng)。面對(duì)企業(yè)級(jí) SSD 的旺盛需求,SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴(kuò)大采用四層單元(QLC)技
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%
- IT之家 8 月 13 日消息,華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱,SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱,海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間:各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能,這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降;再加上下半年是傳統(tǒng)旺季,預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道,SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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三星工藝輸臺(tái)積電 還被海力士超越!芯片主管揭關(guān)鍵硬傷
- 三星芯片良率不佳,先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí),最后統(tǒng)計(jì)出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉(Jun Young-hyun) 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個(gè)月后,向員工示警需停止隱瞞或回避問(wèn)題,如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄,警告員工必須改變職場(chǎng)文化,強(qiáng)調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問(wèn)題,若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言,三星必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化,「如果我們依賴市場(chǎng),沒(méi)恢復(fù)根本的競(jìng)爭(zhēng)力,將陷入惡性循環(huán),重蹈去年?duì)I運(yùn)的困境?!谷歉?jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士(SK Hynix)在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕,
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SK 海力士加大環(huán)保投入,在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮
- 7 月 25 日消息,SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣(F2)。SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報(bào)告顯示,該公司原先將三氟化氮(NF3)用于芯片生產(chǎn)過(guò)程中的清洗工藝,用于去除沉積過(guò)程中腔室內(nèi)部形成的殘留物,其全球變暖潛能值(GWP)顯著高于氟氣(NF3的 GWP 為 17200,而 F2為 0)。除此之外,SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸(HF)的使用量(可用于低溫蝕刻設(shè)備),該氣體的 GWP 為 1 甚至更低,遠(yuǎn)低于過(guò)去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳?xì)怏w。
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【電動(dòng)車和能效亮點(diǎn)】Sakuu和SK On合作推動(dòng)電動(dòng)汽車的電池制造
- Source: Zhihao/via Getty Images總部位于美國(guó)加州硅谷的Sakuu是一家專注于為電池制造行業(yè)提供商業(yè)化設(shè)備和技術(shù)的公司,該公司日前已與韓國(guó)電動(dòng)汽車電池供應(yīng)商SK On簽訂了一份聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議。此次合作彰顯了兩家公司通過(guò)推動(dòng)電池制造創(chuàng)新以解決當(dāng)前行業(yè)挑戰(zhàn)的堅(jiān)定承諾,并為下一代解決方案的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。作為此次合作的一部分,兩家企業(yè)將攜手推進(jìn)Sakuu干法制造工藝平臺(tái)Kavian的工業(yè)化進(jìn)程。Sakuu干法制造工藝平臺(tái)Kavian有助于電池供應(yīng)商轉(zhuǎn)變其業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)模式。該公司表示,使
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
- 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》17日訊,SK海力士計(jì)劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合,目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺(tái)下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗(yàn)工廠,用于測(cè)試混合鍵合工藝?;旌湘I合取消了銅焊盤(pán)之間使用的凸塊和銅柱,并直接鍵合焊盤(pán),這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊,并增加帶寬。
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英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟:HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)
- 7 月 13 日消息,韓媒 businesskorea 報(bào)道,英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”,為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)(其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展),包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù),促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM,特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存,它將開(kāi)啟市場(chǎng)的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道,SK 海力士總裁 Kim Joo-
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消息稱三星電子、SK 海力士分別考慮申請(qǐng) 5/3 萬(wàn)億韓元低息貸款,擴(kuò)張運(yùn)營(yíng)
- IT之家 7 月 1 日消息,據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行申請(qǐng) 5 萬(wàn)億和 3 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣)低息貸款,用于業(yè)務(wù)擴(kuò)張。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行由韓國(guó)政府全資控股,是韓國(guó)唯一的政策性金融機(jī)構(gòu),主要為韓國(guó)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供長(zhǎng)期資金。韓國(guó)企劃和財(cái)政部此前公布了“半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計(jì)劃”。作為該計(jì)劃的一部分,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行將向半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)放 17 萬(wàn)億韓元低息貸款,其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓,而中小
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求,消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息,韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱,韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱,這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?;?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比:除鎧俠外,三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常規(guī) DDR、LPDDR)需求整體萎靡,市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面,是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
- 關(guān)鍵字: DRAM 閃存 三星 海力士
半導(dǎo)體后端工藝|第七篇:晶圓級(jí)封裝工藝
- 在本系列第六篇文章中,我們介紹了傳統(tǒng)封裝的組裝流程。本文將是接下來(lái)的兩篇文章中的第一集,重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝(WLP)。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝,包括:光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級(jí)封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級(jí)封裝分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)和扇
- 關(guān)鍵字: 海力士 封裝工藝
SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
- IT之家 5 月 14 日消息,據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道,兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示,整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM,HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià),不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下,三星電子代表預(yù)計(jì),不僅 HBM 內(nèi)存,通用 DRAM(如標(biāo)準(zhǔn) DDR5)的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
- 關(guān)鍵字: 海力士 三星 DRAM
AI硬件核心HBM,需求爆發(fā)增長(zhǎng)
- 2022年末,ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標(biāo)志性事件,宣告著新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花,到無(wú)數(shù)大模型席卷全球浪潮,AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。 在這波浪潮中,伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級(jí),AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景,并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對(duì)算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢(shì),全球算力規(guī)模超高速增長(zhǎng)。在這場(chǎng)浪潮中,最大的受益者無(wú)疑是英偉達(dá),其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)脫穎而出,然
- 關(guān)鍵字: 三星 海力士 美光 HBM
sk 海力士介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條sk 海力士!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sk 海力士的理解,并與今后在此搜索sk 海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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