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麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底

  • 　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說(shuō)：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。 　　整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
  • 關(guān)鍵字： DRAM  Flash  

傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺(tái)/美/日半導(dǎo)體大廠

  • 　　全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)瓶頸，后續(xù)恐將演變成國(guó)家級(jí)的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺(tái)積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺(tái)、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 　　硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過(guò)去10年來(lái)硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過(guò)于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運(yùn)作，尤其是12吋規(guī)
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  DRAM  

一文看懂3D Xpoint！ 它估將在未來(lái)引爆內(nèi)存市場(chǎng)革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長(zhǎng)的路要走，直到 2025 年，這個(gè)技術(shù)都是安然無(wú)憂的。 因此，NAND Flash 暫時(shí)不會(huì)被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

高盛:DRAM漲勢(shì)將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢(shì)可能在未來(lái)幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會(huì)轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評(píng)等。 　　巴倫周刊8日?qǐng)?bào)導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報(bào)告表示，過(guò)去四個(gè)季度以來(lái)，DRAM毛利不斷提高。 過(guò)往經(jīng)驗(yàn)顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢(shì)代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來(lái)到中后段。 業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。 　　Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)的成長(zhǎng)動(dòng)能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

后PC時(shí)代 移動(dòng)型DRAM成市場(chǎng)主力

  • 　　三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢(shì)，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動(dòng)存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)上漲。 　　從DRAM角度來(lái)看，存儲(chǔ)器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  DRAM  

三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

  • 　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收只增加1.5%的情況下凈利潤(rùn)大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門(mén),也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒(méi)有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級(jí)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 　　三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個(gè)是針對(duì)NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

新興內(nèi)存百家爭(zhēng)鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(zhǎng)2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營(yíng)收則成長(zhǎng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長(zhǎng)幅度超過(guò)30%;車用半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模也比2015年成長(zhǎng)9.7%。 　　IHS預(yù)期，由于市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模則有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NANDFlash  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)

  • 　　量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭(zhēng)奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。 　　Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。 　　同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 微軟  DRAM  

力晶：大陸DRAM做不起來(lái)　5G時(shí)代存儲(chǔ)器會(huì)長(zhǎng)缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來(lái)用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來(lái)扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲(chǔ)器，包括紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì)放緩，配合韓國(guó)2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(zhǎng)期缺貨的走勢(shì)! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對(duì)10納米晶圓代工和NAND F
  • 關(guān)鍵字： DRAM  5G  

力晶：大陸DRAM做不起來(lái)　5G時(shí)代存儲(chǔ)器會(huì)長(zhǎng)缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來(lái)用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來(lái)扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲(chǔ)器，包括紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì)放緩，配合韓國(guó)2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(zhǎng)期缺貨的走勢(shì)! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對(duì)10納米晶圓代工和NAND F
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三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限

  • 　　三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國(guó)業(yè)者追上。 　　韓媒 etnews 18 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開(kāi)始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開(kāi)發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 　　三星從 20 納米制程(28→25&rar
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？

  • 　　三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國(guó)業(yè)者追上。 　　韓媒etnews 18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開(kāi)發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 　　三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
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中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)的“春天”來(lái)了？

  • 目前說(shuō)中國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)的”春天”已經(jīng)到來(lái)可能還為時(shí)尚早，確切地說(shuō)，應(yīng)該是中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)一定要跨入全球存儲(chǔ)器的行列之中。
  • 關(guān)鍵字： 3DNAND  DRAM  

DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

  • 　　第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長(zhǎng)。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 　　調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過(guò)去6年DDR3占比持續(xù)維持第
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  
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