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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cxl dram

嚴防技術泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信

  • 　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。 　　半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴大，明年再現(xiàn)飆漲
  • 關鍵字： DRAM  SK海力士  

IC Insights：2017年全球存儲器市場同比增長10%

  • 　　在經歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。 　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

力晶黃崇仁：2017年DRAM市況非常好

  • 　　力晶執(zhí)行長黃崇仁20日出席臺灣物聯(lián)網產業(yè)技術協(xié)會成立大會時表示，明年存儲器市況不錯，但力晶沒有到大陸生產存儲器的計劃;同時他發(fā)表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法，他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會去挖臺積電的墻角。 　　20日市場傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團，協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會去挖臺積電的墻角。 　　由于力晶已經前進大陸合肥在當?shù)厣w12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經蓋好，明年將進
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  

華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導權大戰(zhàn)

  • 　　中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。 　　長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。 　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
  • 關鍵字： 華亞科  DRAM  

SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM　與三星拉近差距

  • 　　傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產10奈米級DRAM的半導體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發(fā)，同時著手開發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團隊，持續(xù)追求更高的技術競爭力。 　　據韓媒ET News報導，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產。其目前已完成客戶樣品生產，正進行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導權大戰(zhàn)

  • 　　中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。 　　長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。 　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
  • 關鍵字： 華亞科  DRAM  

SK海力士計劃明年第二季量產10 納米DRAM

  • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 　　來自產業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業(yè)。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 　　半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發(fā)才算完成。據報
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK 海力士計劃明年第二季量產10 納米DRAM

  • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 　　來自產業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業(yè)。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 　　半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發(fā)才算完成。據報
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

美光重心押注臺灣 3D DRAM封測廠和華亞科擴建案投資達千億

  • 　　美光全數(shù)收購華亞科股權，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國臺灣地區(qū)擴大投資案，包括3D DRAM封測廠和華亞科擴建案，估計總投資金額上看千億元新臺幣。 　　美光已網羅前艾克爾總經理梁明成出任負責美光存儲器后段封測廠投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預料將同步宣布相關人事及擴大在臺投資布局。 　　這也是美光繼在大陸西安廠之后，在海外最大手筆的封測投資計劃，美光也借由邀請包括臺灣桃園市長鄭文燦及經濟部長等相
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

美光計劃擴大3D DRAM封測廠和華亞科擴建案

  • 　　繼以一千三百億元新臺幣收購華亞科股權后，美光決定擴大在臺投資，計劃在中科興建美光在海外首座3D架構的存儲器封測廠，并網羅前艾克爾(Amkor)總經理梁明成出任這項業(yè)務臺灣區(qū)總經理，新投資計劃預定十二日宣布。 　　梁明成四日證實已于十月底離開艾克爾，但因美光還未正式對布發(fā)布人事，他低調表示還在休息，詳細職務等美光宣布。 　　據了解，美光收購華亞科股權案已進入尾聲，華亞科已于十一月卅日停止交易，美光預定十二日舉辦華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Duncan)將再度親自抵臺主持，預料
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

一文看盡最新最全的大陸晶圓廠產能數(shù)據

  • 無論如何，產業(yè)要想發(fā)展、進步，就必須要有投資，而投資必然會伴隨著風險，大量資金和資源投入，都打了水漂的情況以前也曾頻頻出現(xiàn)過，只希望在國家大力扶持下的IC產業(yè)，能盡量少走彎路，早日實現(xiàn)中國“芯”，強國夢。
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  

三星內存霸占手機：市場份額創(chuàng)紀錄

  • 　　市調機構DRAMeXchange的最新數(shù)據顯示，2016年第三季度的全球移動DRAM內存市場上，三星電子的份額已經達到創(chuàng)紀錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個百分點。 　　當季，三星移動內存業(yè)務收入達29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。 　　作為三星的頭號對手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規(guī)模，不過兩家合計已經占到了87.3%。 　　美光位列第三，但形勢也不太好，跌落到10.6%。臺灣南亞有所上升，但也不過1.3%。 　　上
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

第三季移動DRAM內存產值季增16.8%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于全球智能手機進入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產品價格同步上揚，第三季行動式內存總產值達45.88億美元，季成長約16.8%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋果iPhone 7與三星Note 7旗艦機型發(fā)布，讓全球行動式內存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產，先前的備料動作已為第三季行動式內存的營收做出貢獻。 　　以三大DRAM廠行動式內存營收市占來
  • 關鍵字： DRAM  

TrendForce：價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內存的產出，轉為行動式內存與服務器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
  • 關鍵字： TrendForce  DRAM  
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