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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

  • 　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開(kāi)始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。 　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢(shì)，開(kāi)始出現(xiàn)下跌的情況。 　　Gart
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IC Insights :DRAM價(jià)格下半年要下滑

  • 　　IC Insights 對(duì)DRAM后市提出示警，預(yù)期下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價(jià)格恐將下滑，DRAM 市場(chǎng)無(wú)可避免將展開(kāi)周期性修正。 　　IC Insighta 指出，DRAM 價(jià)格自 2016 年中以來(lái)快速走高，據(jù)統(tǒng)計(jì)，DRAM 平均售價(jià)已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達(dá)至 54%。 　　在產(chǎn)品價(jià)格大漲帶動(dòng)下，IC Insights 預(yù)估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達(dá) 573 億美元規(guī)模，將較去年成長(zhǎng)達(dá) 39%。 　　IC Insight
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高啟全：長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入

  • 　　臺(tái)灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團(tuán)操盤存儲(chǔ)器大計(jì)劃超過(guò)1年，日前晉升長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)，接受DIGITIMES獨(dú)家專訪公開(kāi)未來(lái)規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開(kāi)發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì)在技術(shù)開(kāi)發(fā)具競(jìng)爭(zhēng)力后才開(kāi)始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)有利! 　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃存儲(chǔ)器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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中國(guó)半導(dǎo)體遭圍堵 晉華并沒(méi)有DRAM試產(chǎn)線？

  • 美光此次提起訴訟無(wú)非是為了防止其存儲(chǔ)技術(shù)遭到泄露，間接給大陸廠商和相關(guān)員工施壓，其行為也是國(guó)際大廠圍堵中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的縮影之一
  • 關(guān)鍵字： 晉華  DRAM  

集邦咨詢：美光圍堵，無(wú)礙中國(guó)DRAM研發(fā)進(jìn)程

  • 　　近日，有媒體報(bào)道美國(guó)存儲(chǔ)器大廠在臺(tái)灣地區(qū)采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標(biāo)是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！　∈袌?chǎng)更是傳出，美光這一行動(dòng)已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導(dǎo)致后者出資在聯(lián)電臺(tái)灣南科廠設(shè)置的試產(chǎn)線停產(chǎn)?！　〔贿^(guò)，4月5日，聯(lián)電方面對(duì)外表示，確實(shí)有員工收到了訴訟通知，但只是個(gè)人行為，與公司無(wú)關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開(kāi)發(fā)階段，尚無(wú)試產(chǎn)線，并無(wú)外傳試產(chǎn)線暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計(jì)劃也將持續(xù)不變?！　「鶕?jù)集邦咨詢觀察，近年來(lái)，中國(guó)
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

IC Insights：存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景好，DRAM、NAND報(bào)價(jià)調(diào)升兩倍

  • 　　DRAM、NAND 快閃存儲(chǔ)器價(jià)格漲不停，促使半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) IC Insights 將今年全球芯片成長(zhǎng)預(yù)估調(diào)升兩倍。 　　IC Insights 最新預(yù)期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長(zhǎng) 11%，兩倍高于原先估計(jì)的 5%。IC Insights 解釋原因?yàn)?DRAM、NAND 快閃存儲(chǔ)器展望明顯上修。 　　IC Insights 現(xiàn)在預(yù)期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲(chǔ)器有望成長(zhǎng) 25%，隨著報(bào)價(jià)走揚(yáng)，未來(lái)兩者都還有進(jìn)一步上修的可能。 　　IC Insights 指出
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

2015年大陸貢獻(xiàn)全球IC需求29%,供給僅4%

  • 　　2013年，中國(guó)從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導(dǎo)體，進(jìn)口金額首度超越石油，也促成了中國(guó)「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn)，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導(dǎo)體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻(xiàn)了全球29%的半導(dǎo)體需求量，但中國(guó)能自己供應(yīng)的比重僅有4%。 　　中國(guó)政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長(zhǎng)。 相較于海外的購(gòu)并工作不斷的受到干擾，中國(guó)顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個(gè)字
  • 關(guān)鍵字： IC  DRAM  

車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)分析

  • 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術(shù)日”上，ISSI技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理田步嚴(yán)介紹了車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)，包括：信息娛樂(lè)、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
  • 關(guān)鍵字： 汽車  SRAM  DRAM  SDRAM  e.MMC  201704   

三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場(chǎng)供貨吃緊仍沒(méi)改善

  • 　　自 2016 年中開(kāi)始，DRAM 內(nèi)存供貨不足，造成市場(chǎng)價(jià)格全面上漲的情況，如今又要多加一個(gè)變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場(chǎng)龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號(hào)的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬(wàn)臺(tái)的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

紫光國(guó)芯第四代DRAM存儲(chǔ)器成功通過(guò)科技成果評(píng)價(jià)

  • 　　2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開(kāi)由紫光國(guó)芯股份有限公司/西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲(chǔ)器”科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。 　　北京中企慧聯(lián)評(píng)價(jià)機(jī)構(gòu)嚴(yán)格按照《科技成果評(píng)價(jià)試點(diǎn)暫行辦法》的有關(guān)規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨(dú)立的原則，聘請(qǐng)同行專家對(duì)該項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)委員會(huì)聽(tīng)取了項(xiàng)目完成單位的技術(shù)總結(jié)報(bào)告，對(duì)評(píng)價(jià)資料進(jìn)行了審查，經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)詢和充分討論形成了評(píng)價(jià)意見(jiàn)。 　　 &nb
  • 關(guān)鍵字： 紫光國(guó)芯  DRAM  

韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對(duì)專利紛爭(zhēng)

  • 　　大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注，韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過(guò)去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對(duì)專利紛爭(zhēng)

  • 　　大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注，韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過(guò)去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
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Micron宣布在臺(tái)成立DRAM卓越制造中心

  • 　　Micron 宣布于本月14日成功標(biāo)得達(dá)鴻先進(jìn)科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺(tái)之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。 　　經(jīng)由此收購(gòu)案， Micron取得與其臺(tái)中廠相鄰的無(wú)塵室和設(shè)備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測(cè)得以集中于同一據(jù)點(diǎn)，并專注于建立集中式的后段封測(cè)營(yíng)運(yùn)。 　　全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺(tái)建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測(cè)結(jié)合在同一地點(diǎn)，構(gòu)建一個(gè)完整連貫的高效制造支援組織，
  • 關(guān)鍵字： Micron  DRAM  

DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)都爭(zhēng)啥？

  • 　　什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))　　工作原理　　動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的?！　?nbsp; 
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DRAM邁入3D時(shí)代！

  • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲(chǔ)存電容的高深寬比，為了要延長(zhǎng)DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時(shí)間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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