EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cxl dram
cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區(qū)
季度利潤(rùn)創(chuàng)歷史最高 三星名利雙收要做江湖第一
- 上周,三星電子發(fā)布業(yè)績(jī)初報(bào)告稱,初步核實(shí)今年第二季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比大增72%,達(dá)14萬(wàn)億韓元(121億美元),超過(guò)了2013年第三季度創(chuàng)下的最高紀(jì)錄10.16萬(wàn)億韓元(88億美元),實(shí)現(xiàn)史上最高利潤(rùn)。同時(shí)超出了之前分析師預(yù)計(jì)的113億美元。完整的財(cái)務(wù)報(bào)告將會(huì)在本月底對(duì)外公布。 初報(bào)顯示,此次增長(zhǎng),三星電子主要受到半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、S8智能手機(jī)等業(yè)務(wù)的推動(dòng)以及大幅削減支出。超出了分析師預(yù)期,也創(chuàng)下了公司記錄。 在三星電子公布二季度財(cái)務(wù)初步數(shù)據(jù)之后,三星電子股價(jià)上周三在韓國(guó)首爾證券交易所下跌0.2%,
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
傳美光華亞科廠逾半晶圓報(bào)廢 DRAM供應(yīng)雪上加霜?
- 存儲(chǔ)器缺貨狀況將雪上加霜?已與臺(tái)灣美光半導(dǎo)體合并的DRAM廠華亞科,近日傳出廠房制程所需的氮?dú)獬鰻顩r,造成逾半晶圓報(bào)廢,廠房目前仍處停工狀態(tài),接下來(lái)DRAM供貨恐受影響。 根據(jù)取得的消息,華亞科廠房近日傳出制程所需氮?dú)獬霈F(xiàn)狀況,氣體污染造成約6萬(wàn)片晶圓報(bào)廢,華亞科廠房為雙子星結(jié)構(gòu),一廠可容納兩座12吋廠,兩廠月產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片以上,此次逾半產(chǎn)能晶圓報(bào)廢,影響不可謂小。 華亞科與美國(guó)DRAM大廠美光于去年12月初正式合并,華亞科于去年初即逐步轉(zhuǎn)進(jìn)20納米,為美光體系中,最早開(kāi)始轉(zhuǎn)進(jìn)20納米的
- 關(guān)鍵字: 美光華 DRAM
污染事件美光媒體各執(zhí)一詞,美光鄭重聲明澄清
- 針對(duì)近日市場(chǎng)上傳出美光旗下桃園廠的相關(guān)傳聞,美光于昨天發(fā)布聲明鄭重澄清,美光桃園廠并無(wú)發(fā)生氮?dú)馔庑故录?,也并無(wú)撤離廠區(qū)人員,僅有些微廠務(wù)狀況,且已經(jīng)迅速恢復(fù)運(yùn)作,美光相關(guān)業(yè)務(wù)并無(wú)受到任何實(shí)質(zhì)影響。 美光桃園廠為美光全球DRAM生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)之一。 美光表示,作為全球內(nèi)存大廠,美光的生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)遍布全球,已能及時(shí)應(yīng)對(duì)各種廠務(wù)需求,并確保將單一據(jù)點(diǎn)之突發(fā)狀況對(duì)營(yíng)運(yùn)的影響力減至最低,以維持整體良好運(yùn)作。 不過(guò),臺(tái)媒報(bào)道,根據(jù)協(xié)助的設(shè)備商透露,美光的N2廠遭到污染事件,比想象還嚴(yán)重,到昨天為止還是全數(shù)停工狀
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
制程良率影響產(chǎn)能提升,美光看好DRAM價(jià)格維持高檔
- 美光2017年第3季財(cái)報(bào)營(yíng)收大幅優(yōu)于預(yù)期,這要因DRAM、NAND Flash價(jià)格上漲,美光認(rèn)為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定,價(jià)格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示,國(guó)內(nèi)相關(guān)個(gè)股中,華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K,估下半年 DRAM價(jià)格維持高檔,2018年上半年在供給改善后將趨緩,因此維持族群中立建議。 永豐投顧表示,今年上半年存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)需求強(qiáng)勁,DRAM報(bào)價(jià)從去年第3季的起漲點(diǎn)已累積約40%的漲幅,雖然Gartner預(yù)估供給速度還未在第3季追上需求,但下半年報(bào)價(jià)的漲幅由于各大廠擴(kuò)產(chǎn)完成使貨源逐漸充足
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
中國(guó)DRAM夢(mèng)初現(xiàn)曙光
- 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要實(shí)現(xiàn)制造DRAM夢(mèng)己經(jīng)初現(xiàn)曙光,近期由臺(tái)灣咨詢時(shí)報(bào)報(bào)道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業(yè)界的廣泛興趣。 一直低調(diào)行事的合肥“睿力”DRAM項(xiàng)目,由前應(yīng)用材料公司資深副總裁David王寧國(guó)領(lǐng)軍。 匯總消息,“睿力”做DRAM,采用19納米制程工藝。該項(xiàng)目總占地面積約1582畝,一期總投資額約80億美元,一期的兩層廠房預(yù)計(jì)2017年三季度完工。目前已開(kāi)始下設(shè)備的PO訂單,計(jì)劃今年10月設(shè)備開(kāi)始安裝,有望2
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)“芯”動(dòng)態(tài):美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能
- 多數(shù)手機(jī)以不同存儲(chǔ)規(guī)格來(lái)區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版,而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲(chǔ)器的重要性。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng),其三大主流產(chǎn)品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù),且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù),而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)持續(xù)吃緊 下半年價(jià)格依然看漲
- 隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增,今年來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò),在供應(yīng)持續(xù)吃緊下,各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。 南亞科總經(jīng)理李培瑛說(shuō),第2季DRAM市場(chǎng)狀況穩(wěn)定,下半年需求將比上半年好,對(duì)第3季并不悲觀。 聯(lián)合報(bào)系數(shù)據(jù)照 需求增加,供應(yīng)端產(chǎn)能卻未同步增加,導(dǎo)致半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來(lái)出現(xiàn)罕見(jiàn)同時(shí)供應(yīng)吃緊的情況。 隨著時(shí)序逐漸步入傳統(tǒng)旺季,加上短時(shí)間新產(chǎn)能
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
手機(jī)終于躍居半導(dǎo)體最大應(yīng)用出???/a>
- 多年來(lái),個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)一直是半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場(chǎng),但由于近年來(lái)PC市場(chǎng)出貨量成長(zhǎng)乏力,相關(guān)半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長(zhǎng)速度也跟著牛步化。 據(jù)IC Insights最新報(bào)告指出,PC應(yīng)用將在2017年失去半導(dǎo)體最大應(yīng)用出??诘膶氉?。 手機(jī)則可望正式超越PC,成為芯片產(chǎn)品最大的應(yīng)用市場(chǎng)。 整體來(lái)說(shuō),受惠于DRAM與閃存價(jià)格居高不下,不管是PC或智能型手機(jī)的半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模,未來(lái)幾年都將呈現(xiàn)成長(zhǎng)格局。 但由于PC出貨量連年緩步下滑,短期間內(nèi)不見(jiàn)轉(zhuǎn)機(jī),因此手機(jī)市場(chǎng)雖然也遇到成長(zhǎng)高原期,手機(jī)芯片銷售額仍可望拉開(kāi)與
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
第三季度服務(wù)器DRAM合約價(jià)續(xù)揚(yáng),預(yù)估季增3%~8%
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,由于內(nèi)存供應(yīng)吃緊態(tài)勢(shì)尚未改變,今年第一季合約價(jià)上揚(yáng)近四成,第二季合約價(jià)更進(jìn)一步上揚(yáng)約一成水位;放眼第三季,出貨至一線廠的32GB服務(wù)器模組價(jià)格將來(lái)到260美元大關(guān),二線廠更會(huì)高于此價(jià)格水位,使得整體第三季價(jià)格將會(huì)持續(xù)季增3%~8%的幅度。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出,受到服務(wù)器內(nèi)存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進(jìn)一步提升到2666MHz,且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注,下半年單機(jī)容量上的提升與
- 關(guān)鍵字: 服務(wù)器 DRAM
存儲(chǔ)“芯”動(dòng)態(tài):美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能
- 多數(shù)手機(jī)以不同存儲(chǔ)規(guī)格來(lái)區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版,而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲(chǔ)器的重要性。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng),其三大主流產(chǎn)品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù),且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù),而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)
- 量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭(zhēng)奪的新高地,IBM、谷歌都涉獵其中。 現(xiàn)在,微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作,雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng),為未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。 Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱,與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率,并且降低功耗。 同時(shí),高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行,從而確保整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)在
- 關(guān)鍵字: 微軟 DRAM
第一季PC DRAM合約價(jià)格上漲約三成
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看,由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求,多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價(jià)以確保供貨穩(wěn)定,使得第一季合約價(jià)再度上漲超過(guò)三成,亦帶動(dòng)其他內(nèi)存類別同步上揚(yáng),如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價(jià)格上揚(yáng)也相當(dāng)可觀,移動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格也有近一成的漲幅。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,第一季DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約13.4%。從市場(chǎng)面來(lái)觀察,原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
- 關(guān)鍵字: DRAM
cxl dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cxl dram的理解,并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cxl dram的理解,并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473