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圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計布局，紫光國芯下一代DRAM開發(fā)順利

  • 　　今年以來，全球集成電路市場增長迅速，我國集成電路產(chǎn)業(yè)在國家政策引導(dǎo)、市場需求拉動的雙重作用下，繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中，頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國際合作”相結(jié)合的發(fā)展路徑，圍繞芯片設(shè)計核心業(yè)務(wù)，同時開拓了存儲器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用市場。 　　8月21日晚間，紫光國芯發(fā)布了2017上半年財報，財報顯示，公司上半年實現(xiàn)營收8.01億元，同比增長24.01%;歸
  • 關(guān)鍵字： 紫光國芯  DRAM  

DRAM持續(xù)火爆 再迎創(chuàng)紀錄的營收總值

  • 雖然全球DRAM供應(yīng)短缺的問題正得到逐步緩解，但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續(xù)迎來創(chuàng)紀錄的營收總值。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  芯片  

臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣

  • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 　　大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。 　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團隊，仍如火如荼進行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
  • 關(guān)鍵字： DRAM  聯(lián)電  

三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機構(gòu)最近紛紛出具報告，強調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。 　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價遠比DRAM
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣

  • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 　　大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。 　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團隊，仍如火如荼進行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
  • 關(guān)鍵字： DRAM  SK海力士  

第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%

  • 　　集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成，行動式內(nèi)存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量，價格僅小幅上漲5%內(nèi)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進，大規(guī)模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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并購路不易走 中國芯片產(chǎn)業(yè)如何實現(xiàn)自主替代？

  • 在海外并購道路障礙重重的情況下，我們通過培養(yǎng)積蓄人才來為中國創(chuàng)“芯”積攢力量，向2020年實現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進，是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實現(xiàn)自主替代的路徑。
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IC Insights:今年全球IC分類增長排行,DRAM達55%

  • 　　根據(jù)市場研究調(diào)查機構(gòu) IC Insights 的預(yù)估，2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中，在DRAM將成長更將達 55%，將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產(chǎn)品。 　　 ? 　　IC Insights 表示，DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%，也都是當年成長最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。 統(tǒng)計過去 5 年，DRAM 市場經(jīng)常是成長最大，或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項目，顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過，DRAM 市
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背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲DRAM實力能否殺出重圍？

  • 　　在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線一期項目開工儀式。 　　   　　據(jù)資料顯示，晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預(yù)計于2018年9月達產(chǎn)。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專項建設(shè)基金支持。 　　此項目堪稱晉江所有重
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全球半導(dǎo)體2017年增速將達16%，其中10種產(chǎn)品增速可達兩位數(shù)

  • ,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個大類。近日，市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場狀況的預(yù)期。 　　33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計)如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價格異常出色，IC Insights預(yù)計2017年DRAM總銷售額同比增長55%，從而成為半導(dǎo)體細分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個產(chǎn)業(yè)增長。在過去5年，DRAM要么是增長率
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三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%

  • 　　全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 　　存儲器業(yè)者強調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構(gòu)，帶動DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下，
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

  • 　　DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。 　　內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 　　這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及計算機三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
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國內(nèi)存儲器市場分析 該如何走存儲器國產(chǎn)化道路？

  • 近年來，隨著移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲器產(chǎn)品的應(yīng)用市場也隨之逐步開拓，市場需求越來越大。
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內(nèi)存價格暴漲一整年：徹底沒法買了

  • 內(nèi)存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價，但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數(shù)據(jù)那是相當?shù)膰樔恕?/li>
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2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

  • 　　隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。 　　2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
  • 關(guān)鍵字： IC  DRAM  
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