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韓國芯片巨頭SK海力士計劃升級在華工廠

  • 據(jù)韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機(jī)出口相關(guān)限制，對其中國半導(dǎo)體工廠進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇以及中國高性能半導(dǎo)體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。韓國《首爾經(jīng)濟(jì)》13日的報道援引韓國業(yè)內(nèi)人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術(shù)升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認(rèn)工廠的具體運(yùn)營計劃”。無錫工廠
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？

英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應(yīng)對？

  • 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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ASML兩款光刻機(jī)出口許可被撤銷

  • 1月2日，全球光刻機(jī)龍頭ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱，荷蘭政府最近撤銷了此前頒發(fā)給其2023年發(fā)貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機(jī)的部分出口許可證，這將對ASML在中國內(nèi)地的個別客戶產(chǎn)生影響。在聲明中，ASML表示：“在新的出口管制條例下，今年（指2023年）年底前ASML仍能履行已簽訂的合同，發(fā)運(yùn)這些光刻設(shè)備。客戶也已知悉出口管制條例所帶來的限制，即自2024年1月1日起，ASML將基本不會獲得向中國客戶發(fā)運(yùn)這些設(shè)備的出口許可證。”預(yù)計此次出口許可證撤銷及最新的美國出口管制限制不會對公司2023
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?ASML被禁止向中國運(yùn)送其部分關(guān)鍵的芯片制造工具

  • 半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML表示，荷蘭政府禁止其向中國出口部分工具。ASML表示，荷蘭政府最近部分撤銷了其NXT：2050i和NXT：2100i光刻系統(tǒng)在2023年裝運(yùn)的許可證。在撤銷船舶許可證之前，美國政府在10月份加強(qiáng)了對中國先進(jìn)半導(dǎo)體和芯片制造工具的出口管制，并在此前的規(guī)定基礎(chǔ)上進(jìn)行了進(jìn)一步收緊。荷蘭公司ASML制造了制造世界上最先進(jìn)芯片所需的最重要機(jī)器之一。美國的芯片限制使包括ASML在內(nèi)的公司爭先恐后地弄清楚這些規(guī)則在實(shí)踐中的含義。ASML公司該公司表示，荷蘭政府禁止其制造最先進(jìn)半導(dǎo)體的關(guān)鍵機(jī)器向中
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英特爾拿到首臺2nm光刻機(jī) 重回領(lǐng)先地位？

  • 12月21日，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML通過社交媒體宣布，其首套高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機(jī)正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發(fā)貨，將向英特爾進(jìn)行交付。數(shù)值孔徑（NA）是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率和最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
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韓國總統(tǒng)到訪之際，ASML與三星達(dá)成7.52億美元的芯片廠協(xié)議

  • 周二，荷蘭科技巨頭ASML和三星（Samsung）簽署了一項(xiàng)價值約7億歐元的協(xié)議，將在韓國建設(shè)一家半導(dǎo)體研究廠。與此同時，韓國總統(tǒng)尹錫悅（Yoon Suk Yeol）結(jié)束了這次以科技為重點(diǎn)的訪問的第一天。尹錫悅是第一位到訪ASML高度安全的“無塵室”的外國領(lǐng)導(dǎo)人，這次到訪荷蘭的目的是在這兩個全球半導(dǎo)體大國之間結(jié)成“芯片聯(lián)盟”。他參觀了ASML的城市規(guī)模設(shè)施，該公司制造先進(jìn)的機(jī)器來制造半導(dǎo)體芯片，為從智能手機(jī)到汽車的一切提供動力。ASML和三星后來同意“未來共同”投資該設(shè)施，該設(shè)施將“使用下一代EUV（極紫
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紐約州宣布聯(lián)合IBM、美光等公司，斥資100億美元建立研發(fā)中心

  • 據(jù)IBM官網(wǎng)消息，美國紐約州州長宣布與IBM、美光以及其他行業(yè)參與者合作，投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設(shè)下一代 High-NA EUV 半導(dǎo)體研發(fā)中心。IBM稱，這將是北美第一個也是唯一一個擁有高數(shù)值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統(tǒng)的公共研發(fā)中心，可為開發(fā)和生產(chǎn)小于2nm的節(jié)點(diǎn)芯片鋪平道路。
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佳能押注納米壓印技術(shù) 價格比阿斯麥EUV光刻機(jī)“少一位數(shù)”

  • 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計劃將新型芯片制造設(shè)備的價格定在阿斯麥最好光刻機(jī)的很小一部分，從而在光刻機(jī)領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟出一條道路。“這款產(chǎn)品的價格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù)，”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔(dān)任佳能總裁，上一次退
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納米壓?。阂粋€「備胎」走向「臺前」的故事

  • 佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備。對于 2004 年就開始探索納米壓印技術(shù)的佳能來說，新設(shè)備的推出無疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個設(shè)備型號是 FPA-1200NZ2C，目前可以實(shí)現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的 5 納米節(jié)點(diǎn)。佳能表示當(dāng)天開始接受訂單，目前已經(jīng)向東芝供貨。半導(dǎo)體行業(yè)可謂是「苦光刻機(jī)久已」，納米壓印設(shè)備的到來，讓期盼已久的半導(dǎo)體迎來一線曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)？這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機(jī)嗎？納米壓印走向臺前想要
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EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個缺點(diǎn)

  • 光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對半導(dǎo)體供需穩(wěn)定將會產(chǎn)生什么樣的影響，首先要了解的是大家經(jīng)常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應(yīng)用處理器等用語，要先說明納米是什么意
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英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節(jié)點(diǎn)已大規(guī)模量產(chǎn)

  • 近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)英特爾中國官微獲悉，近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)悉，作為英特爾首個采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn)，Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動著算力需求最高的應(yīng)用，如AI、先進(jìn)移動網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。英特爾“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”計劃正在順利推進(jìn)中。目前，Intel 7和I
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俄羅斯7納米驚人突破 泄國產(chǎn)EUV曝光時間

  • 俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備獨(dú)占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號稱開發(fā)出可取代曝光機(jī)的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語，將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機(jī)，還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國際新聞通訊社（俄新社）報導(dǎo)，圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國產(chǎn)曝光復(fù)合體」，可用于蝕刻生產(chǎn)無掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問題。科學(xué)家表示，這款芯片制造設(shè)備成本為500萬盧布（約臺幣161萬元），而另一種工具的成本未知
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Intel 4技術(shù)在愛爾蘭大批量生產(chǎn)，點(diǎn)燃?xì)W洲半導(dǎo)體制造能力

  • DIGITAL-得益于ASML的芯片機(jī)，英特爾在愛爾蘭的尖端技術(shù)生產(chǎn)點(diǎn)燃了歐洲革命。在英特爾位于愛爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術(shù)領(lǐng)域掀起了波瀾，在愛爾蘭推出了英特爾4技術(shù)的大批量生產(chǎn)，引發(fā)了一場歐洲革命。這標(biāo)志著極紫外光刻機(jī)（EUV）首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾，并提升了歐洲的半導(dǎo)體制造能力。?這家科技巨頭在愛爾蘭、德國和波蘭的投資正在推動整個歐洲大陸的尖端價值鏈。英特爾對可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛爾蘭氣候行動計
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