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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

臺(tái)積電3nm！聯(lián)發(fā)科沖刺高端芯片

  • 聯(lián)發(fā)科近日公布其9月份營(yíng)收達(dá)到了360.78億新臺(tái)幣，同比下降了36.23%。據(jù)了解，今年前三季度聯(lián)發(fā)科的累計(jì)營(yíng)收為3038.84億新臺(tái)幣，同比下降了31.03%。聯(lián)發(fā)科CEO蔡力行預(yù)計(jì)，公司第三季度的營(yíng)收有望重回1000億新臺(tái)幣大關(guān)，并達(dá)到1021億至1089億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)4%-11%。從目前的數(shù)據(jù)來(lái)看，聯(lián)發(fā)科第三季度的營(yíng)收已經(jīng)超出了預(yù)期數(shù)字。蔡力行表示，在智能設(shè)備、手機(jī)和電源管理芯片等領(lǐng)域，聯(lián)發(fā)科取得了同步增長(zhǎng)。他指出，智能手機(jī)、聯(lián)網(wǎng)芯片和電源管理芯片的營(yíng)收表現(xiàn)有望改善，將減緩智能電視和其他消費(fèi)產(chǎn)
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三星、臺(tái)積電3nm良品率均未超過(guò)60% 將影響明年訂單競(jìng)爭(zhēng)

  • 作為當(dāng)前全球最先進(jìn)的制程工藝，臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn)，其中三星電子是在6月30日開(kāi)始量產(chǎn)，臺(tái)積電則是在12月29日開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來(lái)看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。此前預(yù)計(jì)三星的良品率在今年將超過(guò)60%，臺(tái)積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達(dá)到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認(rèn)為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
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是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

  • ●? ?新參考流程采用臺(tái)積電 N4PRF 制程，提供了開(kāi)放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案●? ?強(qiáng)大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設(shè)計(jì)效率，實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場(chǎng)是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導(dǎo)體設(shè)計(jì)加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺(tái)積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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臺(tái)積電的雄心為何舉步維艱？

  • 即使亞利桑那州工廠成功運(yùn)營(yíng)，臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)全球芯片生產(chǎn)多元化的雄心仍將因公司規(guī)模龐大而面臨障礙。
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熬出頭的CoWoS

  • 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電正在擴(kuò)大 CoWoS 先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以滿足客戶，尤其是 AI 芯片領(lǐng)域的需求。英偉達(dá)等大客戶增加了對(duì) CoWoS 封裝的訂單量，AMD、亞馬遜等其他大廠也出現(xiàn)了緊急訂單。為了滿足這些需求，臺(tái)積電已要求設(shè)備供應(yīng)商增加 CoWoS 機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)數(shù)量，并計(jì)劃在明年上半年完成交付和安裝。9 月底，傳出消息臺(tái)積電再次追加 30% 半導(dǎo)體設(shè)備訂單，帶動(dòng)聯(lián)電、日月光投控等 CoWoS 先進(jìn)封裝中介層供應(yīng)商接單量，并傳出后者要漲價(jià)的消息。CoWoS 也曾「煎熬」CoWoS 是臺(tái)積電獨(dú)門技術(shù)，201
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CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。CGD 的 ICeGaN 已使用臺(tái)積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量生產(chǎn)，將典型外部驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級(jí)的元件數(shù)量，并顯著提高功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)
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臺(tái)積電9月份營(yíng)收56億美元 同比環(huán)比再次下滑

  • 臺(tái)積電通常在每月10日公布上一月?tīng)I(yíng)收，在前兩天就已公布了9月份的營(yíng)收，較通常的月度營(yíng)收公布時(shí)間略有提前。雖然臺(tái)積電9月份營(yíng)收的公布時(shí)間有提前，但他們這一個(gè)月的營(yíng)收，卻并未大漲，同比仍在下滑，環(huán)比也再次下滑，并未延續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭。官網(wǎng)公布的數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電9月份營(yíng)收56.11億美元，不及去年同期的64.77億美元，同比下滑13.4%；較8月份的58.68億也有減少，環(huán)比下滑4.4%。9月份的營(yíng)收同比下滑13.4%，也就意味著臺(tái)積電的月度營(yíng)收，自3月份以來(lái)已連續(xù)7個(gè)月同比下滑，在今年僅1月份和2月份同比有增長(zhǎng)。臺(tái)
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(2023.10.7)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

  • 半導(dǎo)體周要聞2023.9.28-2023.10.61. 英特爾決戰(zhàn)2nm，4年追趕5代制程，與臺(tái)積電維持競(jìng)合關(guān)系明年底，英特爾將推進(jìn)至18Ａ制程，挑戰(zhàn)臺(tái)積電2nm制程，并將用于2025年推出的服務(wù)器處理器產(chǎn)品上。英特爾認(rèn)為，屆時(shí)將用比超微更佳的制程奪回市場(chǎng)。臺(tái)積電則預(yù)計(jì)于2025年量產(chǎn)2nm制程芯片?；粮裥嬗⑻貭栂乱淮瞥?0Ａ將在明年上半年推出。A代表埃米，一埃米是10分之1nm，20Ａ代表的即是2nm制程。由于電晶體的體積極小，因此，英特爾將改采用GAA（閘極全環(huán)電晶體）技術(shù)設(shè)計(jì)的新型電晶體「Ri
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臺(tái)積電二季度營(yíng)收同比跌幅收窄

  • 10月6日，臺(tái)積電公布最新?tīng)I(yíng)收數(shù)據(jù)，2023年9月公司營(yíng)收約為新臺(tái)幣1804.3億元，同比減少較2023年8月增加4.4%，較2022年9月減少13.4%。2023年1月至9月?tīng)I(yíng)收總計(jì)新臺(tái)幣15362.1億元，較2022年同期減少6.2%。臺(tái)積電預(yù)計(jì)10月19日將召開(kāi)線上法人說(shuō)明會(huì)，對(duì)外說(shuō)明第3季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)、第4季營(yíng)運(yùn)展望。此前，臺(tái)積電在第二季度業(yè)績(jī)法說(shuō)會(huì)上表示，今年第三季營(yíng)收以美元計(jì)，預(yù)計(jì)將介于167億到175億美元，如果以1美元兌換新臺(tái)幣30.8元匯率基礎(chǔ)計(jì)算，第三季營(yíng)收目標(biāo)則需要達(dá)到新臺(tái)幣5143.6
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臺(tái)積電與亞利桑那州工會(huì)的糾葛

  • 全球領(lǐng)先的芯片制造商與建設(shè)亞利桑那州工廠的工會(huì)工人之間長(zhǎng)達(dá)數(shù)月的爭(zhēng)執(zhí)尚未結(jié)束。臺(tái)積電和代表 14 個(gè)工會(huì)和臺(tái)積電工廠 12,000 名工人中大約四分之一的亞利桑那州建筑行業(yè)委員會(huì)已經(jīng)進(jìn)行了大約六周的談判，以解決一些工人的安全、管理、 和培訓(xùn)問(wèn)題。工會(huì)聯(lián)盟發(fā)言人布蘭迪·德夫林 (Brandi Devlin) 告訴媒體，這些談判沒(méi)有取得太大進(jìn)展，臺(tái)積電“沒(méi)有對(duì)理事會(huì)提出的協(xié)議做出正式回應(yīng)”。“我們已經(jīng)與臺(tái)積電進(jìn)行了討論，并提供了我們認(rèn)為良好的協(xié)議框架，”她說(shuō)。 “我們目前感到失望的是，我們今天并沒(méi)有比幾周前開(kāi)
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消息稱臺(tái)積電美國(guó)工廠將近一半為外派員工

  • IT之家 10 月 6 日消息，根據(jù)金融時(shí)報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那工廠計(jì)劃投產(chǎn)后雇傭 4500 人，目前已經(jīng)雇傭了 2200 人。不過(guò)根據(jù)兩位知情人士透露的信息，目前本土員工的占比 50% 左右，將近一半是來(lái)自中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的外派人員。本土人員占比過(guò)低的一個(gè)重要原因是，臺(tái)積電美國(guó)工廠主要聘請(qǐng)工程專業(yè)畢業(yè)生作為技術(shù)人員，希望他們發(fā)揮主觀能動(dòng)性，最大限度地提高產(chǎn)量。但美國(guó)工程專業(yè)的畢業(yè)生往往有更多更好的選擇，被其它地方更令人興奮的機(jī)會(huì)所吸引。美國(guó)咨詢公司 SemiAnalysis 的首席分析師迪倫?帕特爾
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美股周五：芯片龍頭股普遍上漲，AMD漲幅超過(guò)4%，臺(tái)積電、英偉達(dá)、ARM等漲幅超過(guò)2%

  • 10月7日消息，美國(guó)時(shí)間周五，美股收盤主要股指全線上漲。投資者評(píng)估了美國(guó)9月份就業(yè)報(bào)告，該報(bào)告顯示美國(guó)就業(yè)崗位大幅增加，工資增長(zhǎng)壓力放緩。道瓊斯指數(shù)收于33407.58點(diǎn)，上漲288.01點(diǎn)，漲幅0.87%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)收于4308.50點(diǎn)，漲幅1.18%；納斯達(dá)克指數(shù)收于13431.34點(diǎn)，漲幅1.60%。大型科技股普遍上漲，Meta漲幅超過(guò)3%，谷歌、微軟和奈飛漲幅超過(guò)2%，蘋果和亞馬遜漲幅超過(guò)1%。芯片龍頭股普遍上漲，AMD漲幅超過(guò)4%，臺(tái)積電、英偉達(dá)、ARM等漲幅超過(guò)2%。新能源汽車熱門股普
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三星和臺(tái)積電均遭遇難題：在3nm工藝良品率上掙扎

  • 目前三星和臺(tái)積電（TSMC）都已在3nm制程節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動(dòng)3nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)，蘋果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機(jī)型上搭載的A17 Pro應(yīng)用了該工藝。據(jù)ChosunBiz報(bào)道，雖然三星和臺(tái)積電都已量產(chǎn)了3nm工藝，不過(guò)兩者都遇到了良品率方面的問(wèn)題，都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術(shù)，而臺(tái)積電沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù)，無(wú)論如何取舍和選
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打破摩爾定律 硅光芯片離我們有多遠(yuǎn)

  • 全球芯片制造巨頭臺(tái)積電正大舉押注芯片制造領(lǐng)域的下一代最前沿技術(shù) —— 硅光芯片。摩爾定律逼近極限摩爾定律逼近極限已很大程度上導(dǎo)致傳統(tǒng)電子芯片性能強(qiáng)化幅度放緩，而硅光芯片則提供了一種基于光技術(shù)的性能強(qiáng)化方案，使得芯片性能在納米制程技術(shù)受限的情況下繼續(xù)擴(kuò)張。
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臺(tái)積電介紹

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor) 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介 　　臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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