驍龍 888 5g 芯片文章進(jìn)入驍龍 888 5g 芯片技術(shù)社區(qū)

下一代芯片重要技術(shù) —— 玻璃基板，封裝競(jìng)爭(zhēng)新節(jié)點(diǎn)？

根據(jù)最新市場(chǎng)消息，蘋(píng)果正積極與多家供應(yīng)商商討將玻璃基板技術(shù)應(yīng)用于芯片開(kāi)發(fā)，以提供更好散熱性能，使芯片在更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持峰值性能。同時(shí)，玻璃基板的超平整特性使其可以進(jìn)行更精密的蝕刻，從而使元器件能夠更加緊密地排列在一起，提升單位面積內(nèi)的電路密度。
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山東省計(jì)劃明年底前再建成開(kāi)通 7 萬(wàn)個(gè) 5G 基站，總量突破 27 萬(wàn)個(gè)

IT之家 4 月 10 日消息，國(guó)務(wù)院新聞辦在今天舉行“推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展”系列主題新聞發(fā)布會(huì)的第 8 場(chǎng)發(fā)布會(huì)，圍繞“中國(guó)式現(xiàn)代化山東實(shí)踐：綠色低碳高質(zhì)量發(fā)展”作介紹。山東省發(fā)改委主任孫愛(ài)軍在會(huì)上表示，發(fā)展數(shù)字經(jīng)濟(jì)，新基建必須先行。山東擁有濟(jì)南、青島兩個(gè)互聯(lián)網(wǎng)骨干直連點(diǎn)，是全國(guó)首個(gè)“雙樞紐”的省份，2.2 億個(gè)物聯(lián)網(wǎng)終端在全國(guó)也是最多的。這方面山東持續(xù)加大力度，今年全省 16 個(gè)市將全部達(dá)到千兆城市標(biāo)準(zhǔn)，明年底前再建成開(kāi)通 7 萬(wàn)個(gè) 5G 基站，總量突破 27 萬(wàn)個(gè)，進(jìn)一步織密數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)，助
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臺(tái)積電最高將獲美國(guó)66億美元直接補(bǔ)貼打造新半導(dǎo)體集群

據(jù)美國(guó)政府官方聲明，臺(tái)積電已與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成不具約束力的初步條款備忘錄（PMT）。臺(tái)積電將獲得最高可達(dá)66億美元的直接資金補(bǔ)貼，根據(jù)初步協(xié)議還將向臺(tái)積電的晶圓廠建設(shè)提供最高可達(dá)50億美元的貸款。同時(shí)，臺(tái)積電計(jì)劃向美國(guó)財(cái)政部就TSMC Arizona資本支出中符合條件的部分，申請(qǐng)最高可達(dá)25%的投資稅收抵免。臺(tái)積電方面承諾在亞利桑那州設(shè)立第三座晶圓廠，有助于提高產(chǎn)量，滿足市場(chǎng)對(duì)高性能芯片的需求，進(jìn)而在亞利桑那州打造一個(gè)前沿半導(dǎo)體集群。另外，這將有助于臺(tái)積電在應(yīng)對(duì)地緣政治風(fēng)險(xiǎn)和供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)方面發(fā)揮更大作用。臺(tái)積
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是德科技5G 研發(fā)測(cè)試臺(tái)

是德科技5G 研發(fā)測(cè)試臺(tái)參考解決方案可以靈活評(píng)測(cè)調(diào)制帶寬高達(dá) 2 GHz 和頻段高達(dá) 110 GHz 的 5G 候選波形。Keysight 5G 研發(fā)測(cè)試臺(tái)充分利用 Keysight VXG 微波信號(hào)發(fā)生器和 UXA 系列信號(hào)分析儀的強(qiáng)大功能，依照最新的 3GPP 38.141 標(biāo)準(zhǔn)來(lái)驗(yàn)證 5G NR 基站（gNB）的性能。這款靈活的波形生成與分析解決方案能夠提供：最寬 2 GHz 的帶寬，可以生成 5G NR 多分量載波波形出色的測(cè)量系統(tǒng)性能，適用于測(cè)試符合 3GPP 標(biāo)準(zhǔn)的 5G NR 256 QA
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消息稱三星獲英偉達(dá) AI 芯片 2.5D 封裝訂單

月 8 日消息，據(jù)韓國(guó)電子行業(yè)媒體 TheElec 報(bào)道，三星電子成功拿下了英偉達(dá)的 2.5D 封裝訂單。消息人士透露，三星的先進(jìn)封裝 (AVP) 團(tuán)隊(duì)將為英偉達(dá)提供 Interposer（中間層）和 I-Cube，這是其自主研發(fā)的 2.5D 封裝技術(shù)，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 和 GPU 晶圓的生產(chǎn)將由其他公司負(fù)責(zé)。據(jù)IT之家了解，2.5D 封裝技術(shù)可以將多個(gè)芯片，例如 CPU、GPU、I / O 接口、HBM 等，水平放置于中間層上。臺(tái)積電將這種封裝技術(shù)稱為 CoWoS，而三星則稱之為
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高通驍龍 X Elite 芯片初上手：跑分亮眼、功耗優(yōu)異、AI 性能出色

4 月 8 日消息，國(guó)外科技媒體 Windows Latest 幾周前受邀前往高通位于圣迭戈的總部，親身體驗(yàn)了驍龍 X Elite 平臺(tái)產(chǎn)品，在最新博文中分享了跑分、游戲?qū)崪y(cè)和 NPU 性能等相關(guān)信息。跑分該媒體使用 3D Mark、Jetstream 等軟件進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試，IT之家基于該媒體報(bào)道，附上 23W 驍龍 X Elite 處理器（系統(tǒng)瓦數(shù)，而非封裝瓦數(shù)）和英特爾酷睿 Ultra 7 155H 處理器的跑分對(duì)比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
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強(qiáng)震后小心荷包失血！外媒爆3產(chǎn)品變得更貴

中國(guó)臺(tái)灣昨（3）日發(fā)生規(guī)模7.2地震，為25年來(lái)最嚴(yán)重，外媒擔(dān)憂半導(dǎo)體供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)槿蛴?0%高階芯片在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)，并用于相關(guān)智能科技產(chǎn)品，預(yù)估未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)，包括手機(jī)、筆電及電視等將變得更加昂貴。英國(guó)地鐵報(bào)（Metro）報(bào)導(dǎo)，中國(guó)臺(tái)灣這次地震造成至少9人死亡、數(shù)百人受傷，包括臺(tái)積電（TSMC）在內(nèi)的多家晶圓制造廠在人員疏散后，有數(shù)個(gè)小時(shí)工廠暫停生產(chǎn)。盡管看似不嚴(yán)重，但短暫的生產(chǎn)中斷仍可能對(duì)供應(yīng)造成重大影響。半導(dǎo)體廠的晶圓制造是一個(gè)精密過(guò)程，通常每天24小時(shí)、每周7天，全年無(wú)休持續(xù)運(yùn)作。臺(tái)積電稍早表示，
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未來(lái)芯片發(fā)展關(guān)鍵方向！蘋(píng)果積極布局玻璃基板芯片封裝技術(shù)

4月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，蘋(píng)果公司正積極與多家供應(yīng)商商討，將玻璃基板技術(shù)應(yīng)用于芯片開(kāi)發(fā)。據(jù)了解，玻璃基板具有耐高溫的特性，能夠讓芯片在更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持峰值性能。同時(shí)，玻璃基板的超平整特性使其可以進(jìn)行更精密的蝕刻，從而使元器件能夠更加緊密地排列在一起，提升單位面積內(nèi)的電路密度。玻璃基板的應(yīng)用不僅是材料上的革新，更是一場(chǎng)全球性的技術(shù)競(jìng)賽，它有望為芯片技術(shù)帶來(lái)革命性的突破，并可能成為未來(lái)芯片發(fā)展的關(guān)鍵方向之一。而蘋(píng)果公司的積極參與可能會(huì)加速玻璃基板技術(shù)的成熟，并為芯片性能的提升帶來(lái)新的突破。此前華金證券曾表示，未
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再再再升級(jí)！美國(guó)修訂半導(dǎo)體出口管制措施，擬于4月4日生效

3月29日，據(jù)路透社報(bào)道，以國(guó)家安全為由美國(guó)商務(wù)部下屬工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布實(shí)施額外出口管制的規(guī)定，擬于4月4日生效，這距離美上次出臺(tái)措施僅半年不到。修訂針對(duì)半導(dǎo)體項(xiàng)目出口，進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)中國(guó)人工智能芯片、半導(dǎo)體制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的限制。
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臺(tái)積電海外廠危及中國(guó)臺(tái)灣？公司高層曝2大難處

臺(tái)積電先前宣布陸續(xù)在美國(guó)、日本、德國(guó)設(shè)廠，目前日本熊本1廠已正式開(kāi)幕，引發(fā)外界關(guān)注中國(guó)臺(tái)灣本地的制造優(yōu)勢(shì)可能遭到反超。CNN記者日前走訪「臺(tái)積中科新訓(xùn)中心」，人力資源資深副總何麗梅指出，海外擴(kuò)廠正面臨人才短缺、文化沖擊兩大問(wèn)題，但強(qiáng)調(diào)不會(huì)影響中國(guó)臺(tái)灣。CNN報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電不僅是中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍頭，也是全球重要的芯片代工廠，掌握全球約9成先進(jìn)芯片生產(chǎn)。熊本1廠已在今年2月底開(kāi)幕，另外還將在美國(guó)亞利桑那州、德國(guó)德勒斯登設(shè)廠，不過(guò)「人才荒」卻是臺(tái)積電眼前最大挑戰(zhàn)之一。何麗梅表示：「全球各地都缺乏人才。如果我
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快速、安全、原生的Chrome瀏覽器將登陸搭載驍龍的Windows PC

要點(diǎn)：●? ?首次面向搭載驍龍的筆記本產(chǎn)品推出全面優(yōu)化的谷歌Chrome瀏覽器●? ?與此前版本相比，優(yōu)化版實(shí)現(xiàn)顯著的性能提升●? ?優(yōu)化版的Chrome瀏覽器現(xiàn)已推出，先于將在2024年年中發(fā)布的搭載驍龍X Elite的PC面市高通技術(shù)公司和谷歌近日宣布，即日起推出面向搭載驍龍的Windows PC的優(yōu)化版Chrome瀏覽器，先于2024年年中即將發(fā)布的搭載驍龍?X Elite計(jì)算平臺(tái)的PC面市。Chrome是全球廣受歡迎的瀏覽器，通過(guò)推出包括
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小米 Redmi 新系列手機(jī)正面曝光：驍龍 8s Gen 3、無(wú)塑料支架直屏

3 月 27 日消息，Redmi 品牌總經(jīng)理王騰今日開(kāi)通抖音賬號(hào)，并曝光了 Redmi 新系列手機(jī)的正面實(shí)拍畫(huà)面，搭載驍龍 8s Gen 3 處理器?！鳵edmi 驍龍 8s 新系列手機(jī)這款 Redmi 新機(jī)采用無(wú)塑料支架直屏設(shè)計(jì)，下巴比左右邊框略寬，整體屏占比與 Redmi K70E 手機(jī)接近。IT之家昨日?qǐng)?bào)道，小米型號(hào)為 24069RA21C 的手機(jī)通過(guò)了國(guó)家 3C 質(zhì)量認(rèn)證，由西安比亞迪電子代工，支持 90W 有線快充。根據(jù)其他數(shù)碼博主補(bǔ)充，這款新機(jī)為搭載驍龍 8s Gen 3 處理器的Redmi
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前谷歌工程師創(chuàng)業(yè)造AI芯片，要比英偉達(dá)好10倍！已融資2500萬(wàn)美元

3月27日消息，英偉達(dá)在AI芯片市場(chǎng)的主導(dǎo)地位激發(fā)了其他公司自主設(shè)計(jì)芯片的決心。盡管從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)芯片充滿挑戰(zhàn)，耗時(shí)多年且成本高昂，通常以失敗告終，但人工智能的巨大潛力驅(qū)使業(yè)界人士勇敢嘗試。在這一背景下，兩位前谷歌工程師共同創(chuàng)立了MatX。他們利用在谷歌的經(jīng)驗(yàn)，識(shí)別出現(xiàn)有人工智能芯片的局限性，并致力于開(kāi)發(fā)更高效、成本更低的新型芯片，旨在提高大語(yǔ)言模型的訓(xùn)練和運(yùn)行效率。MatX信心十足地預(yù)測(cè)，其芯片的性能將至少比英偉達(dá)的GPU好十倍。目前該公司已成功籌集了2500萬(wàn)美元的資金。人工智能時(shí)代的到來(lái)改變了風(fēng)險(xiǎn)投資
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3納米制程受追捧！

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電3納米訂單動(dòng)能強(qiáng)勁，受到蘋(píng)果、英特爾及超威等客戶頻頻追單。從三大廠商下單狀況來(lái)看。報(bào)道稱，作為臺(tái)積電2024年3納米的新訂單來(lái)源之一，英特爾Lunar Lake中央處理器、繪圖處理器等確定將于第2季在臺(tái)積電投片量產(chǎn)，而這也是英特爾首度將主流消費(fèi)性平臺(tái)全系列芯片交由臺(tái)積電代工。此前，英特爾CEO帕特·基辛格證實(shí)，與臺(tái)積電的合作已由5納米制程推進(jìn)至3納米。基辛格表示，最快2024年第四季登場(chǎng)的Arrow Lake與Lunar Lake的運(yùn)算芯片塊（CPU tile）將采用臺(tái)積電3納米
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50億元！先進(jìn)封裝等半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約湖北黃石

3月23日，湖北黃石市人民政府和聞泰科技共同主辦了“聞泰科技2024年全球精英合作伙伴大會(huì)暨黃石光電子信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)布會(huì)”，共有51個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目集中簽約，總投資高達(dá)507.9億元。其中，現(xiàn)場(chǎng)有31個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目分4批集中簽約，部分項(xiàng)目涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。第一批簽約共9個(gè)聞泰供應(yīng)鏈項(xiàng)目包括半導(dǎo)體先進(jìn)封裝項(xiàng)目（投資10億元）；第二批簽約共8個(gè)項(xiàng)目包括半導(dǎo)體光學(xué)材料項(xiàng)目（投資20億元）、半導(dǎo)體紫外LED芯片及模組項(xiàng)目（投資5億元）、精細(xì)金屬掩膜版項(xiàng)目（投資5億元）；第三批簽約共7個(gè)項(xiàng)目包括半導(dǎo)體掩膜版項(xiàng)目（投資10億元）
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