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在2025年DRAM位元產出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產能以保持盈利
- DRAM產業(yè)歷經2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產業(yè)位元產出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據TrendForce集邦咨詢最新調查，DRAM產業(yè)結構越趨復雜，除現有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產品
- 關鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出
- 近日，北京君正在接受機構調研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產品研發(fā)。關于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。存儲產品價格方面，北京君正的存儲產品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年，2
- 關鍵字： 北京君正 21nm DRAM
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息，天風證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
- 關鍵字： 郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
- 關鍵字： 鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待下一代HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
- 關鍵字： HBM DRAM TrendForce
TrendForce：內存下半年價格恐摔
- 根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機，出現整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現象，導致以消費型產品為主的內存現貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰(zhàn)。內存產業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
- 關鍵字： TrendForce 內存 DRAM
第二季DRAM產業(yè)營收季增24.8%，預期第三季合約價將上調
- 根據TrendForce集邦咨詢調查，受惠主流產品出貨量擴張帶動多數業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內存）產業(yè)營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
- 關鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
- 關鍵字： imec High-NA EUV DRAM
外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著移動設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術，將LPDDR5X的厚度
- 關鍵字： 三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng)新實力
- 圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng)新實力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（簡稱：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等重點領域，為客戶提供全方面的存儲產品及相關技術解決方案。展會現場重點展示了DRAM存儲系列產品、SeDRAM?技術和CXL技術、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
- 關鍵字： 紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
服務器支撐下半年需求，預估DRAM價格第三季漲幅達8-13%
- 根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，由于通用型服務器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進入生產旺季，因此預計智能手機
- 關鍵字： 服務器 DRAM TrendForce
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