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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展，帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%

  • 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群，以作為LLM及AI建?；A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外，因AI PC或NB在計算機(jī)設(shè)備基本架構(gòu)組成與
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲

  • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機(jī)會」，在美光
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美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運(yùn)未受任何影響

  • 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點(diǎn)34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠火警廠區(qū)營運(yùn)未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi)，消防局抵達(dá)時廠區(qū)人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報報導(dǎo)，美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區(qū)營運(yùn)未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達(dá)96％。美光高達(dá)65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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合約價勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增

  • 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動營收較前一季度成長5.1％，達(dá)183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價意圖強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應(yīng)用之
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合約價上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營收季增5.1%

  • 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動營收較前一季度成長5.1%，達(dá)183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價意愿強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動Mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Co
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

  • IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟(jì)日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

  • 據(jù)日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運(yùn)。報道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日圓補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求

  • 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

  • IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價格年內(nèi)也不會
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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會逾三成。2024年HBM
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SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求的急劇增長，計劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會批準(zhǔn)該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]

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