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ldmos
一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法
電源與新能源
202006
LDMOS
功率放大器
功率附加效率
|
2020-05-27
埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管
電源與新能源
LDMOS
VSWR
|
2020-01-25
氮化鎵的卓越表現(xiàn):推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力
模擬技術(shù)
氮化鎵
LDMOS
|
2018-03-02
意法半導(dǎo)體與遠創(chuàng)達簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議
EDA/PCB
意法半導(dǎo)體
LDMOS
|
2018-02-26
驗證射頻功率晶體管的耐用性
測試測量
射頻功率晶體管
耐用性
LDMOS
|
2017-06-03
氮化鎵發(fā)展評估
氮化鎵
砷化鎵
LDMOS
201701
|
2016-12-28
寬頻設(shè)計不能滿足?來看看這款4G小基站用LDMOS功放
測試測量
PTFC270101
小基站
4G
LTE
末級放大器
功率放大器
LDMOS
|
2016-10-29
5G基站射頻市場:LDMOS開始下滑、GaN快速增長
手機與無線通信
5G
LDMOS
|
2016-09-05
寬頻設(shè)計不能滿足?來看看這款4G小基站用LDMOS功放
元件/連接器
基站
LDMOS
|
2016-04-04
覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS
手機與無線通信
TD-SCDMA
LDMOS
|
2015-11-05
一種適用于RFIC的抗擊穿LDMOS設(shè)計
模擬技術(shù)
LDMOS
RFIC
射頻放大器
|
2014-08-15
憑借第二代Airfast功放,飛思卡爾繼續(xù)擴大RF領(lǐng)導(dǎo)地位
模擬技術(shù)
飛思卡爾
RF
Airfast
LDMOS
201407
|
2014-07-08
飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個射頻功率產(chǎn)品
模擬技術(shù)
飛思卡爾
LDMOS
RF
國防
|
2014-03-04
一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計
射頻
抗擊穿
LDMOS
埋層
漂移區(qū)
襯底
|
2014-02-19
利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置
模擬技術(shù)
DS4303
LDMOS
RF
功率放大器
|
2013-11-14
基站功率放大器ADS仿真設(shè)計
ADS
晶體管
基站功率放大器
仿真
LDMOS
|
2012-06-15
LDMOS結(jié)構(gòu)特點和使用優(yōu)勢
手機與無線通信
優(yōu)勢
使用
特點
結(jié)構(gòu)
LDMOS
|
2012-06-04
最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應(yīng)用類型
模擬技術(shù)
LDMOS
大功率
測試
晶體管
|
2012-06-04
飛思卡爾推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配條件下使
醫(yī)療電子
LDMOS
飛思卡爾
功率管
阻抗
|
2012-05-08
基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功放設(shè)計
LDMOS
TD-SCDMA
射頻功率放大器
EVM指標(biāo)
|
2012-04-25
基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器
手機與無線通信
功率放大器
射頻
TD-SCDMA
LDMOS
基于
|
2012-04-23
LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點
模擬技術(shù)
LDMOS
|
2012-02-11
LDMOS的性能與制造工藝
模擬技術(shù)
LDMOS
性能
制造工藝
|
2012-02-11
檢測LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案
電源與新能源
是否
方案
判斷
電壓
LDMOS
檢測
|
2011-08-22
基于超薄外延技術(shù)的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設(shè)計
消費電子
D-RESURF
LDMOS
設(shè)計
新型
擴散
超薄
外延
技術(shù)
基于
|
2011-04-11
飛思卡爾的先進射頻功率處理技術(shù)LDMOS降低蜂窩發(fā)射器成本和功耗
電源與新能源
LDMOS
|
2011-03-06
世強電訊推出Infineon 推動功放參考設(shè)計及Demoboard
手機與無線通信
Infineon
LDMOS
移動通信
|
2010-12-31
英飛凌向中國通信市場推出新一代LDMOS晶體管
元件/連接器
英飛凌
晶體管
LDMOS
|
2010-10-18
恩智浦射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海及波士頓近郊
模擬技術(shù)
NXP
射頻
LDMOS
|
2010-07-07
3G基站:LDMOS技術(shù)提升3G基站能效
手機與無線通信
恩智浦
3G基站
LDMOS
|
2009-12-23
飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管
飛思卡爾
晶體管
RF
LDMOS
|
2008-06-05
恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率
手機與無線通信
恩智浦
LDMOS
基站
功率晶體管
|
2008-05-19
英飛凌推出行業(yè)最優(yōu)峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管
模擬技術(shù)
英飛凌
LDMOS
晶體管
|
2008-05-05
飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管
模擬技術(shù)
嵌入式系統(tǒng)
單片機
飛思卡爾
LDMOS
晶體管
嵌入式
|
2007-08-07
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